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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強其針對AI數據中心的電源產(chǎn)品組合
- 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車(chē)斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場(chǎng)的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來(lái)常用的現成驅動(dòng)器。綜合這
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅JFET SiC JFET 數據中心電源
安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)
- 據安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿(mǎn)足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車(chē)斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場(chǎng)的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
- 關(guān)鍵字： 安森美 收購 Qorvo SiC JFET
碳化硅可靠性驗證要點(diǎn)
- 從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數電子設備的核心。從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē)(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統能夠在更小的外形尺寸內顯著(zhù)減少損耗并加快開(kāi)關(guān)速度。由于SiC在市場(chǎng)上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術(shù)可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉換猶豫不決。但是，等待本身也會(huì )帶來(lái)風(fēng)
- 關(guān)鍵字： WBG SiC 半導體
光伏逆變器市場(chǎng)狂飆，全SiC模組會(huì )成為主流嗎？
- 隨著(zhù)清潔能源的快速增長(cháng)，作為光伏系統心臟的太陽(yáng)能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統，離不開(kāi)功率器件。全IGBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優(yōu)勢，均在市場(chǎng)上有廣泛應用。但隨著(zhù)SiC成本下降，全SiC方案被越來(lái)越多的廠(chǎng)家采用。未來(lái)10年，光伏逆變器市場(chǎng)狂飆目前，風(fēng)能和太陽(yáng)能的總發(fā)電量已經(jīng)超過(guò)了水力發(fā)電。預計到2028年，清潔能源的比重將達到42%。中國市場(chǎng)增長(cháng)勢頭強勁，已成為全球清潔能源增長(cháng)的主要驅動(dòng)力。光伏逆變器承載著(zhù)將太陽(yáng)能光伏組件產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 功率模塊 SiC 逆變器
意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術(shù)的標準閾壓40V MOSFET
- 意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼備強化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場(chǎng)景。工業(yè)級晶體管STL300N4F8和車(chē)規晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實(shí)現出色的能效。動(dòng)態(tài)性能得到了改進(jìn)，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開(kāi)關(guān)頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 STripFET F8 MOSFET
第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
- 柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過(guò)與Si類(lèi)似的熱氧化過(guò)程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過(guò)程需要很長(cháng)時(shí)間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 SiC 柵極絕緣層
看完這篇，4個(gè)步驟快速完成MOSFET選型
- 今天教你4個(gè)步驟選擇一個(gè)合適的MOSFET。第一步：選用N溝道還是P溝道 為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個(gè)MOSFET接地，而負載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí)，該MOSFET就構成了低壓側開(kāi)關(guān)。在低壓側開(kāi)關(guān)中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關(guān)閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線(xiàn)及負載接地時(shí)，就要用高壓側開(kāi)關(guān)。通常會(huì )在這個(gè)拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動(dòng)的考慮?！∫x擇適合應用的器件，必須確定驅動(dòng)器件所需的電壓，以及
- 關(guān)鍵字： MOSFET 選型
英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護功能
- 為了滿(mǎn)足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩健的線(xiàn)性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專(zhuān)為實(shí)現溝槽?MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面?MOSFET?的寬安全工作區（SOA）之間的理想平衡而設計。該半導體器件通過(guò)限制高浪涌電流防止對負載造成損害，并因其低RDS(on
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 OptiMOS MOSFET 熱插拔
強茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng )新槽溝技術(shù)車(chē)規級60 V N通道 突破車(chē)用電子的高效表現
- 隨著(zhù)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統的發(fā)展，強茂推出最新車(chē)規級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來(lái)支持汽車(chē)電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車(chē)電子系統的性能與能源效率，降低導通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
- 關(guān)鍵字： 強茂 SGT MOSFET 車(chē)用電子
第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過(guò)離子注入，可以實(shí)現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡(jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴散系數非常小，因此無(wú)法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構（形成pn結）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在SiC中進(jìn)行離子注入時(shí)，對于n型區域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于A(yíng)l離子注入的原料通常是固體，要穩定地進(jìn)行高濃度的Al離子注入，需
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 SiC
Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計算應用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導通電阻降低了68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數（FOM）降低了1
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
意法半導體先進(jìn)的電隔離柵極驅動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅動(dòng)器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過(guò)采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調、工廠(chǎng)自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機驅動(dòng)裝置的可靠性。新驅動(dòng)器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 電隔離柵極驅動(dòng)器 IGBT SiC MOSFET
東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車(chē)載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，最新開(kāi)發(fā)出一款用于車(chē)載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng )新的結構可實(shí)現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開(kāi)始提供測試樣品，供客戶(hù)評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時(shí)，其可靠性會(huì )因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過(guò)在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來(lái)緩解上述問(wèn)題，但如若將SBD布置在芯片上
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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