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sic fet 文章 進(jìn)入sic fet技術(shù)社區
Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門(mén)極驅動(dòng)器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器，新驅動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以?xún)鹊?2mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門(mén)極驅動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅動(dòng)器還具有高
- 關(guān)鍵字： Power Integrations 短路保護 SiC IGBT模塊 門(mén)極驅動(dòng)器
Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應管，采用CCP
- 關(guān)鍵字： Nexperia SMD CCPAK GaN FET
“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng )新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個(gè)人電子設備等應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓?xiě)眯阅苷?，怎么做到的？寬禁帶材料的?yōu)勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強度，更高的擊穿
- 關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應用的安全性、穩健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿(mǎn)足電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開(kāi)關(guān)
三菱電機將與安世攜手開(kāi)發(fā)SiC功率半導體
- 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿(mǎn)足對高效分立式功率半導體快速增長(cháng)的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內開(kāi)始供應。公開(kāi)消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠(chǎng)。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側重點(diǎn)不同，前者以“多個(gè)離散元件組合
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 安世 SiC 功率半導體
理想自研芯片進(jìn)展曝光：在新加坡設立辦公室，團隊規模已超160人
- 11 月 21 日消息，據晚點(diǎn) LatePost 報道，在芯片自研方面，理想同時(shí)在研發(fā)用于智能駕駛場(chǎng)景的 AI 推理芯片，和用于驅動(dòng)電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱(chēng)，理想目前正在新加坡組建團隊，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場(chǎng)應用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專(zhuān)家、SiC 功率模塊設計專(zhuān)家、SiC 功率模塊工藝專(zhuān)家和 SiC 功率模塊電氣設計專(zhuān)家。報道還稱(chēng)，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
- 關(guān)鍵字： 理想 自研芯片 新能源汽車(chē) 智能駕駛 AI 推理芯片 驅動(dòng)電機 控制器 SiC 功率芯片。
FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
- 由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優(yōu)點(diǎn)，對于此類(lèi)傳感器的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場(chǎng)效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場(chǎng)效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時(shí)診斷，環(huán)境應用，以及食品安全。生物場(chǎng)效應管將生物響應轉換為分析物，并將其轉換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時(shí)間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關(guān)。根據設備上的終端數量，可以使用多個(gè)源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
- 關(guān)鍵字： 泰克科技 FET 生物傳感器
Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿(mǎn)足對高效分立式功率半導體快速增長(cháng)的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶(hù)在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領(lǐng)域實(shí)現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線(xiàn)列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關(guān)鍵字： Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
三菱電機和Nexperia合作開(kāi)發(fā)SiC功率半導體
- 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開(kāi)發(fā)SiC芯片，通過(guò)SiC功率模塊來(lái)積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會(huì )社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術(shù)開(kāi)發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開(kāi)發(fā)SiC分離器件。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)正在全球范圍內擴大，并有助于推動(dòng)Si
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 安世 SiC
電裝5億美元入股這家SiC公司
- 11月6日，株式會(huì )社電裝（Denso）宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長(cháng)期穩定采購。關(guān)于本次投資，市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報道稱(chēng)，電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣，并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數股權進(jìn)行過(guò)討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機會(huì )，同時(shí)也是對SiC發(fā)展前景的看好，Coher
- 關(guān)鍵字： 電裝 SiC
EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現更小的電機驅動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車(chē)、機器人和無(wú)人機
- 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著(zhù)提高了電機驅動(dòng)系統的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動(dòng)器，包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)滑板車(chē)、無(wú)人
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET 電機驅動(dòng)器
應對汽車(chē)檢測認證機構測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案
- _____近年來(lái)，在國家“雙碳”戰略指引下，汽車(chē)行業(yè)油電切換提速，截至2022年新能源汽車(chē)滲透率已經(jīng)超過(guò)25%。汽車(chē)電動(dòng)化浪潮中，半導體增量主要來(lái)自于功率半導體，根據 Strategy Analytics，功率半導體在汽車(chē)半導體中的占比從傳統燃油車(chē)的21%提升至純電動(dòng)車(chē)的55%，躍升為占比最大的半導體器件。同其他車(chē)用電子零部件一樣，車(chē)規級功率半導體也須通過(guò)AEC-Q100認證規范所涵蓋的7大類(lèi)別41項測試要求。對于傳統的硅基半導體器件，業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應用于開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)檢測認證 泰克 SiC
通過(guò)碳化硅(SiC)增強電池儲能系統
- 電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
- 關(guān)鍵字： 202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統
良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠(chǎng)環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC
- IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長(cháng)徐秀蘭表示，公司克服了量產(chǎn)碳化硅（SiC）晶圓的重重技術(shù)難關(guān)，已經(jīng)將 SiC 晶圓推進(jìn)至 8 英寸，和國際大廠(chǎng)保持同步。徐秀蘭預估將會(huì )在 2024 年第 4 季度開(kāi)始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品，2025 年大幅增長(cháng)，到 2026 年占比超過(guò) 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經(jīng)超過(guò) 50%，而且有進(jìn)一步改善的空間，明年上半年開(kāi)始交付相關(guān)樣品。IT之家從報道中
- 關(guān)鍵字： 晶圓廠(chǎng) SiC
2024年全球超過(guò)一半的SiC晶圓可能來(lái)自中國
- 2023年，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)現歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長(cháng)領(lǐng)域，尤其得到國際IDM廠(chǎng)商的認可，中國廠(chǎng)商產(chǎn)能大幅提升。 此前，來(lái)自中國的SiC材料僅占全球市場(chǎng)的5%。 然而，到2024年，預計將搶占可觀(guān)的市場(chǎng)份額。該領(lǐng)域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長(cháng)的龍頭企業(yè)，為測算我國SiC晶體生長(cháng)產(chǎn)能提供了依據。 目前，他們的月產(chǎn)能合計約為60,000單位。 隨著(zhù)各公司積極增產(chǎn)，預計到2024年月產(chǎn)能將達到12萬(wàn)單位
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅
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