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sic fet 文章 進(jìn)入sic fet技術(shù)社區
采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機
- “引言”近年來(lái)，為了更好地實(shí)現自然資源可持續利用，需要更多節能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規定應運而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過(guò)改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過(guò)功率模塊解決方案設計來(lái)實(shí)現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進(jìn)持續發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多
- 關(guān)鍵字： 增強互連封裝技術(shù) SiC MOSFET單管 焊機
目標 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車(chē) SiC 芯片市場(chǎng)，安森美半導體投資 20 億美元擴建工廠(chǎng)
- IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導體表示將投資 20 億美元，用于擴展現有工廠(chǎng)，目標在全球汽車(chē)碳化硅（SiC）芯片市場(chǎng)中，占據 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠(chǎng)，其中韓國工廠(chǎng)已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會(huì )擴建哪家工廠(chǎng)，安森美半導體計劃構建完整產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車(chē)芯片市場(chǎng) 40% 的份額。專(zhuān)家還表示到 2027 年，安森美半導體的銷(xiāo)售
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電子 安森美 SiC
意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片
- 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過(guò)流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動(dòng)
EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動(dòng)器參考設計
- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實(shí)現更長(cháng)的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車(chē)、小型電動(dòng)汽車(chē)、農業(yè)機械、叉車(chē)和大功率無(wú)人機等應用。EPC9186在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET ARMS 電機驅動(dòng)器
Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關(guān)鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的能效和性能？
- 隨著(zhù)人們對電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混動(dòng)汽車(chē) (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車(chē)制造商為向不斷擴大的客戶(hù)群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅動(dòng)，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著(zhù)系統可以在更低的電流下運行，同時(shí)實(shí)現相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT SiC
SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性
- 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設計都會(huì )非常關(guān)注導通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優(yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個(gè)標準，或許還
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
德國博世收購美國TSI，全球半導體領(lǐng)域再添并購案
- 據國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產(chǎn)，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業(yè)務(wù)。目前，博世和TSI公司已經(jīng)達成協(xié)議，但并未透露此次收購的具體細節，且這項收購還需要得到監管部門(mén)的批準。資料顯示，TSI是專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 的代工廠(chǎng)。目前，主要開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動(dòng)、電信、能源和生命科學(xué)等行業(yè)的應用。而博世在半導體領(lǐng)域的生產(chǎn)時(shí)間已超過(guò)60年，在全球范圍內投資了數十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠(chǎng)。博世認為，此次收購
- 關(guān)鍵字： 博世 TSI 半導體 SiC
功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考
- 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會(huì )社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠(chǎng)的奠基儀式。該工廠(chǎng)是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內開(kāi)始。東芝還將在新工廠(chǎng)附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節，布局完成后將形成：外延設備+外
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 IGBT MOSFET SIC
優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)
- 在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 柵極驅動(dòng) 安森美
適用于運輸領(lǐng)域的SiC：設計入門(mén)
- 簡(jiǎn)介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動(dòng)力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅動(dòng)器的理想靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。 為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來(lái)說(shuō)，必須大致了解適用于功率半導體開(kāi)關(guān)器件的半導體物理學(xué)原理，以便掌握非理想器件的電氣現象及其對目標應用的影響。理想開(kāi)關(guān)在關(guān)斷時(shí)的電阻無(wú)窮大，導通時(shí)的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來(lái)看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結構中的導通狀態(tài)電流
- 關(guān)鍵字： SiC Microchip
柵極長(cháng)度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性
- 當今行業(yè)中發(fā)現的大多數 FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現的電子特性。根據摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過(guò)渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問(wèn)題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實(shí)現激進(jìn)的溝道長(cháng)度縮放。自從在現代電子產(chǎn)品中引入場(chǎng)效應晶體管 (FET) 以來(lái)，理論和應用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進(jìn)。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
- 關(guān)鍵字： 柵極 FET
功率半導體市場(chǎng)需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設備采購訂單
- 今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來(lái)自中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢包括更少的開(kāi)關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車(chē)和可再生能源等行業(yè)對功率半導體需求的增加
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 盛美上海 Ultra C SiC 襯底清洗
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