良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠(chǎng)環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC
IT之家 10 月 27 日消息,全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股(GlobalWafers)董事長(cháng)徐秀蘭表示,公司克服了量產(chǎn)碳化硅(SiC)晶圓的重重技術(shù)難關(guān),已經(jīng)將 SiC 晶圓推進(jìn)至 8 英寸,和國際大廠(chǎng)保持同步。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202310/452161.htm徐秀蘭預估將會(huì )在 2024 年第 4 季度開(kāi)始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品,2025 年大幅增長(cháng),到 2026 年占比超過(guò) 6 英寸晶圓。
環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率,已經(jīng)超過(guò) 50%,而且有進(jìn)一步改善的空間,明年上半年開(kāi)始交付相關(guān)樣品。
IT之家從報道中獲悉,徐秀蘭表示客戶(hù)都希望環(huán)球晶圓教書(shū)從 6 英寸到 8 英寸 SiC 量產(chǎn)的過(guò)渡,主要客戶(hù)來(lái)自汽車(chē)領(lǐng)域。
環(huán)球晶圓設計并開(kāi)發(fā)了專(zhuān)門(mén)的碳化硅晶體生長(cháng)爐(Crystal Growth Furnace),增強了材料質(zhì)量控制并降低了晶體生長(cháng)成本。
SiC 的高硬度和脆性使得晶圓加工具有挑戰性,但環(huán)球晶圓采用更高的工藝精度和更高效的晶圓處理方法,從而實(shí)現超薄 SiC 晶圓加工。
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