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sic fet 文章 進(jìn)入sic fet技術(shù)社區
保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來(lái)說(shuō)是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽(yáng)
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意法半導體為博格華納提供SiC，“上車(chē)”沃爾沃？
- 近日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來(lái)多款純電動(dòng)汽車(chē)設計電驅逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導體和博格華納技術(shù)團隊密切合作，力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開(kāi)關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅架構尺寸并提升經(jīng)濟效益。意法半導體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車(chē)輛性能
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 博格華納 SiC 沃爾沃
基于STM32G474RBT6 MCU的數字控制3KW通信電源方案
- STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。電路設計包括前端無(wú)橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時(shí)，測量峰值效率為96.3%
- 關(guān)鍵字： ST 第三代半導體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無(wú)橋PFC 全橋LLC 數字電源
意法半導體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設計
- ●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車(chē)在2030年前全面實(shí)現電動(dòng)化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現有和未來(lái)的多款純電動(dòng)汽車(chē)設計電驅逆變器平臺服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)將與提供創(chuàng )新和可持續移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專(zhuān)有的基于 Viper 功率模塊
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 SiC 博格華納 功率模塊 沃爾沃 電動(dòng)汽車(chē)
自動(dòng)執行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對電氣技術(shù)的投資，特別是數據中心和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。根據彭博社最新的電動(dòng)汽車(chē)展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實(shí)現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機驅動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的，包括比硅器件更快
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)？阿斯麥臉色不再重要！
- 在科技領(lǐng)域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著(zhù)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，芯片技術(shù)也不斷突破創(chuàng )新。而在這股技術(shù)浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著(zhù)阿斯麥這位傳統芯片巨頭的重磅投資，人們開(kāi)始紛紛關(guān)注，碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關(guān)注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
- 關(guān)鍵字： 碳化硅芯片 SiC 阿斯麥
東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。類(lèi)似上述的工業(yè)應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預計未來(lái)幾年內DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
- 關(guān)鍵字： 東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊
大功率、高性能汽車(chē)類(lèi) SiC 牽引逆變器參考設計
- TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創(chuàng )建高性能、高效率的牽引逆變器系統并更快地將其推向市場(chǎng)提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統技術(shù)（包括用于驅動(dòng) Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實(shí)時(shí)可變柵極驅動(dòng)強度的高性能隔離式柵極驅動(dòng)器）如何通過(guò)降低電壓過(guò)沖來(lái)提高系統效率。隔離式柵極驅動(dòng)器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
- 關(guān)鍵字： SiC 牽引逆變器
適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
- 隨著(zhù)設備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個(gè)優(yōu)先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現這一目標的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設計需要在設計過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅動(dòng)器可以減少 30% 的能量損耗，同時(shí)限度地延長(cháng)系統正常運行時(shí)間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅
- 關(guān)鍵字： SiC
全球SiC爭霸賽，誰(shuí)在豪擲千金？
- “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪(fǎng)時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬(wàn)美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開(kāi)始建設一個(gè)國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(cháng)期
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
意法半導體是怎樣煉成巨頭的？擅長(cháng)聯(lián)合，布局多重應用，投資未來(lái)
- 歐洲是世界半導體的重要一極，ST（意法半導體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱(chēng)為歐洲半導體的三駕馬車(chē)，也是全球知名的半導體巨頭。ST的特點(diǎn)是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門(mén)1、自帶一定的應用市場(chǎng)，ST要靠自己找市場(chǎng)、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問(wèn)題。據市場(chǎng)研究機構Garnter數據，ST 2022年營(yíng)收158.4億美元，年增長(cháng)率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導體公司。大浪淘沙、洗牌無(wú)數的半導體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導體巨頭的？又是如何布局未來(lái)的？表1 202
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MCU SiC
汽車(chē)芯片，有兩大好賽道
- 汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢，勢必帶動(dòng)車(chē)用半導體的價(jià)值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機。先看功率半導體，車(chē)規功率半導體是新能源汽車(chē)的重要組件，無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規模擬芯片，模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應用，包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 SiC GaN 模擬芯片
更小、更快、更節能，半導體芯片迎大突破
- 最先進(jìn)的電子硬件在大數據革命面前都顯得有些“捉襟見(jiàn)肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個(gè)方面。隨著(zhù)數據集的存儲、搜索和分析越來(lái)越復雜，這些設備就必須變得更小、更快、更節能，以跟上數據創(chuàng )新的步伐。鐵電場(chǎng)效應晶體管（FE-FETs）是應對這一挑戰的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場(chǎng)效應晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì)，在其中植入場(chǎng)效應和電荷積累，實(shí)現了長(cháng)期穩定的記憶效應。與傳統存儲器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢。因此，一個(gè)成功的FE-FET設計可以大大降低傳統器件的尺寸和能量使
- 關(guān)鍵字： 半導體芯片 FE-FET
英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議
- 英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅動(dòng)。根據協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠(chǎng)生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(cháng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 賽米控 電動(dòng)汽車(chē)芯片 SiC IGBT
羅姆買(mǎi)新廠(chǎng) 搶SiC產(chǎn)能
- 全球車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)，目前主要由IDM大廠(chǎng)獨霸，根據統計，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營(yíng)收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產(chǎn)能，并宣布買(mǎi)下日本一家太陽(yáng)能系統廠(chǎng)的舊工廠(chǎng)，未來(lái)將引進(jìn)SiC功率半導體8吋晶圓產(chǎn)線(xiàn)到工廠(chǎng)內，預計在2024年底啟動(dòng)，將使羅姆的SiC功率半導體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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