Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應管，采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術(shù)，開(kāi)創(chuàng )了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時(shí)代。這項技術(shù)為太陽(yáng)能和家用熱泵等可再生能源應用帶來(lái)諸多優(yōu)勢，進(jìn)一步加強了Nexperia為可持續應用開(kāi)發(fā)前沿器件技術(shù)的承諾。該技術(shù)還適用于廣泛的工業(yè)應用，如伺服驅動(dòng)器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、服務(wù)器和電信應用。

Nexperia的創(chuàng )新型CCPAK封裝采用了Nexperia成熟的銅夾片封裝技術(shù)，無(wú)需內部焊線(xiàn)，從而可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高了器件的可靠性。為了更大限度地提升設計靈活性，CCPAK GaN FET提供頂部或底部散熱配置，進(jìn)一步改善散熱性能。

GAN039-650NTB的級聯(lián)配置使其能夠提供出色的開(kāi)關(guān)和導通性能，此外其穩健可靠的柵極結構可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡(jiǎn)化應用設計，無(wú)需復雜的柵極驅動(dòng)器和控制電路，只需使用標準硅MOSFET驅動(dòng)器即可輕松驅動(dòng)這些器件。Nexperia的GaN技術(shù)提高了開(kāi)關(guān)穩定性，并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外，器件的R_DS(on)在25℃時(shí)僅為33 mΩ（典型值），同時(shí)其具有較高的門(mén)極閾值電壓和較低的等效體二極管導通壓降。

Nexperia副總裁兼GaN FET業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻認識到，工業(yè)和可再生能源設備的設計人員需要一種高度穩健的開(kāi)關(guān)解決方案，以便在進(jìn)行功率轉換時(shí)實(shí)現出色的熱效率。因此Nexperia決定將其級聯(lián)GaN FET的優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能與其CCPAK封裝的優(yōu)越熱性能結合起來(lái)，為客戶(hù)提供杰出的解決方案?！?/span>