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sic fet 文章 進(jìn)入sic fet技術(shù)社區
適用于自主駕駛車(chē)輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機、倉庫自動(dòng)化和精準農業(yè)。在這些應用中，大多都有人類(lèi)參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會(huì )對眼睛造成傷害。為防止此類(lèi)傷害，汽車(chē) LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類(lèi)安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
- 關(guān)鍵字： 自主駕駛 LiDAR GaN FET
內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC，助推工廠(chǎng)智能化
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠(chǎng)都在擴大生產(chǎn)線(xiàn)的智能化程度，在生產(chǎn)線(xiàn)上的裝置和設備旁邊導入先進(jìn)信息通信設備的工廠(chǎng)越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線(xiàn)的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)的智能化如今，從汽車(chē)、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠(chǎng)，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠(chǎng)的生產(chǎn)效率和
- 關(guān)鍵字： 電力轉換 SiC MOSFET
安森美碳化硅技術(shù)專(zhuān)家“把脈”汽車(chē)產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向
- 回首2023年，盡管全球供應鏈面臨多重挑戰，但我們看到了不少閃光點(diǎn)，比如AIGC的熱潮、汽車(chē)電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專(zhuān)家牛嘉浩先生為大家帶來(lái)了他對過(guò)去一年的經(jīng)驗總結和對新一年的展望期盼。汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰在過(guò)去一年中，汽車(chē)芯片短缺、全球供應鏈的復雜性和不確定性及市場(chǎng)需求的變化，可能是汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車(chē)制造商需要不斷調整生產(chǎn)和采購策略以應對潛在的風(fēng)險和瓶頸。隨著(zhù)更多傳統車(chē)企和新興造車(chē)勢力進(jìn)入新能源汽車(chē)市場(chǎng)，競爭壓力加大，汽車(chē)制造商需要不斷提
- 關(guān)鍵字： 智能電源 智能感知 汽車(chē)領(lǐng)域 SiC
意法半導體:SiC新工廠(chǎng)今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿(mǎn)足井噴市場(chǎng)需求
- 回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現了哪些變化？2024將迎來(lái)哪些新機遇和新挑戰？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來(lái)的前進(jìn)方向，行家說(shuō)三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開(kāi)》專(zhuān)題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠(chǎng)今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說(shuō)三代半：據《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調研白皮書(shū)》統計，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅車(chē)型又新增了40多款，預計明年部分
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 SiC
臻驅科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目
- 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺電機控制器”建設項目規劃批前公告。據披露，該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體（嘉興）有限公司，臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區新明路南側建造廠(chǎng)房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項目建筑面積達45800m2。公開(kāi)資料顯示，臻驅科技成立于2017年，是一家提供國產(chǎn)功率半導體及新能源汽車(chē)驅動(dòng)解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen）等地布局了多家子
- 關(guān)鍵字： 功率模塊 碳化硅 SiC
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設計性能
- 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車(chē)規標準的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC
- 關(guān)鍵字： Qorvo SiC FET 電動(dòng)汽車(chē)
SiC生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來(lái)說(shuō)非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(cháng)仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過(guò)渡，正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(cháng)，同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩定性，這導致生長(cháng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 關(guān)鍵字： SiC 晶圓
EPC GaN FET可在數納秒內驅動(dòng)激光二極管，實(shí)現75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實(shí)現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動(dòng)器和通過(guò)車(chē)規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專(zhuān)為長(cháng)距離和
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET 激光二極管
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領(lǐng)域擴展產(chǎn)品線(xiàn)
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶(hù)實(shí)現更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
- 關(guān)鍵字： Transphorm 高功率服務(wù)器 工業(yè)電力轉換 氮化鎵場(chǎng)效應晶體管 碳化硅 SiC
安森美：緊握第三代半導體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉型與可持續發(fā)展
- 1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(cháng)的 推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jì)都超預期。 其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(cháng)約 50%，在第 二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(cháng) 35%，創(chuàng ) 歷史新高，第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現創(chuàng )紀錄 收入。安森美大中華區銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導體領(lǐng)域，安森美專(zhuān)注于 SiC，重點(diǎn)聚 焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
- 關(guān)鍵字： 安森美 第三代半導體 碳化硅 SiC
SiC 長(cháng)期供貨，理想簽協(xié)議
- 意法半導體與理想汽車(chē)簽署碳化硅長(cháng)期供貨協(xié)議。
- 關(guān)鍵字： SiC
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過(guò)去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結構沒(méi)有考慮所有這些非線(xiàn)性因素?，F在，通過(guò)引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
- 關(guān)鍵字： 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
SiC MOSFET用于電機驅動(dòng)的優(yōu)勢
- 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無(wú)槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類(lèi)型中。這些電機需要高開(kāi)關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿(mǎn)足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng )了新的機會(huì )。在我們的傳統印象中，電機驅動(dòng)系統往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車(chē)充電等需要高頻變換的應用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
SiC是否會(huì )成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng)，汽車(chē)使用市場(chǎng)的增長(cháng)比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長(cháng)也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而，解決SiC容量增強問(wèn)題現在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據電子器件行業(yè)報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場(chǎng)全方位戰略已擴大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家?！敝袊鳶i
- 關(guān)鍵字： SIC，液晶，半導體
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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