三菱電機和Nexperia合作開(kāi)發(fā)SiC功率半導體

三菱電機將與Nexperia（安世）合力開(kāi)發(fā)SiC芯片，通過(guò)SiC功率模塊來(lái)積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗。

東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會(huì )社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術(shù)開(kāi)發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開(kāi)發(fā)SiC分離器件。

電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)正在全球范圍內擴大，并有助于推動(dòng)SiC功率半導體的指數級增長(cháng)，SiC功率半導體比傳統硅功率半導體具有更低的能量損失、更高的工作溫度和更快的開(kāi)關(guān)速度。SiC功率半導體的高效率有望為全球脫碳和綠色轉型做出重大貢獻。

三菱電機在高速列車(chē)、高壓工業(yè)應用和家用電器等領(lǐng)域建立了領(lǐng)先地位。2010年，該公司推出了世界上第一個(gè)用于空調的SiC功率模塊，并于2015年成為新干線(xiàn)子彈頭列車(chē)全SiC功率模塊的首家供應商。三菱電機在開(kāi)發(fā)和制造SiC功率模塊方面積累了卓越的專(zhuān)業(yè)知識，這些模塊以其先進(jìn)的性能和高可靠性而聞名。