安森美半導體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統成本

　　推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開(kāi)關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現器件并聯(lián)。

　　安森美半導體最新發(fā)布的650 V SiC 二極管系列提供6安培(A)到50 A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩定性、高浪涌容量和正溫度系數。

　　工程師在設計用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車(chē)/混和動(dòng)力電動(dòng)車(chē)(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類(lèi)應用的PFC和升壓轉換器時(shí)，往往面對在更小尺寸實(shí)現更高能效的挑戰。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰。

　　這些650 V器件提供的系統優(yōu)勢包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向電壓(VF)及SiC二極管的無(wú)反向恢復電荷能減少功率損耗，因而提高能效。SiC二極管更快的恢復速度令開(kāi)關(guān)速度更高，因此可以縮減磁性元件和其他無(wú)源元件的尺寸，實(shí)現更高的功率密度和更小的整體電路設計。此外，SiC二極管可承受更高的浪涌電流，并在 -55至 +175°C的工作溫度范圍內提供穩定性。

　　安森美半導體的SiC肖特基二極管具有獨特的專(zhuān)利終端結構，加強可靠性并提升穩定性和耐用性。此外，二極管提供更高的雪崩能量、業(yè)界最高的非鉗位感應開(kāi)關(guān)(UIS)能力和最低的電流泄漏。

　　安森美半導體MOSFET業(yè)務(wù)部高級副總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton表示：“安森美半導體新推出的650 V SiC二極管系列與公司現有的1200 V SiC器件相輔相成，為客戶(hù)帶來(lái)更廣泛的產(chǎn)品范圍。SiC技術(shù)利用寬帶隙 (WBG) 材料的獨特特性，比硅更實(shí)惠，其穩健的結構為嚴苛環(huán)境中的應用提供可靠的方案。我們的客戶(hù)將受益于這些簡(jiǎn)化的、性能更佳、尺寸設計更小的新器件?！?/p>

　　封裝與定價(jià)

　　650 V SiC二極管器件提供DPAK、TO-220和TO-247封裝，每千件的單價(jià)為1.30美元至14.39美元。

　　欲了解更多安森美半導體SiC產(chǎn)品組合如何實(shí)現更高的能效和可靠性，請訪(fǎng)問(wèn)碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品網(wǎng)頁(yè)，以及博客《碳化硅二極管的最低功率損耗可實(shí)現最高功率密度》。

　　歡迎蒞臨安森美半導體在美國APEC #601號展臺，觀(guān)看SiC MOSFET和二極管的現場(chǎng)演示，展示安森美半導體最新的仿真建模技術(shù)如何精確地匹配真實(shí)的器件工作。