受惠5G及汽車(chē)科技 SiC及GaN市場(chǎng)前景向好

　　相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡(jiǎn)化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。根據估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。

　　此外，除了輕化車(chē)輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車(chē)輛運轉時(shí)的能源轉換損失，兩者對于電動(dòng)車(chē)續航力的提升有相當的幫助。因此，SiC及GaN功率組件的技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展，與電動(dòng)車(chē)的發(fā)展密不可分。

　　然而，SiC材料仍在驗證與導入階段，在現階段車(chē)用領(lǐng)域僅應用于賽車(chē)上，因此，全球現階段的車(chē)用功率組件，采用SiC的解決方案的面積不到千分之一。

　　另一方面，目前市場(chǎng)上的GaN功率組件則以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進(jìn)行制造，其中GaN-on-SiC在散熱性能上最具優(yōu)勢，相當適合應用在高溫、高頻的操作環(huán)境，因此以5G基站的應用能見(jiàn)度最高，預期SiC基板未來(lái)五年在通過(guò)車(chē)廠(chǎng)驗證與2020年5G商用的帶動(dòng)下，將進(jìn)入高速成長(cháng)期。

　　盡管GaN基板在面積大型化的過(guò)程中，成本居高不下，造成GaN基板的產(chǎn)值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高頻操作的優(yōu)勢，仍是各大科技廠(chǎng)矚目的焦點(diǎn)。

　　除了高規格產(chǎn)品使用GaN-on-SiC的技術(shù)外，GaN-on-Si透過(guò)其相對佳成本優(yōu)勢，成為目前GaN功率組件的市場(chǎng)主流，在車(chē)用、智能手機所需的電源管理芯片及充電系統的應用最具成長(cháng)性。

　　業(yè)內認為，觀(guān)察供應鏈的發(fā)展，由于5G及汽車(chē)科技正處于產(chǎn)業(yè)成長(cháng)趨勢的重心，供應鏈已發(fā)展出晶圓代工模式，提供客戶(hù)SiC及GaN的代工業(yè)務(wù)服務(wù)，改變過(guò)去僅由Cree、Infineon、Qorvo等整合組件大廠(chǎng)供應的狀況。

　　GaN的部分，有臺積電及世界先進(jìn)提供GaN-on-Si的代工業(yè)務(wù)，穩懋則專(zhuān)攻GaN-on-SiC領(lǐng)域瞄準5G基站的商機。下載APP 閱讀本文更深度報道

　　另外，X-Fab、漢磊及環(huán)宇也提供SiC及GaN的代工業(yè)務(wù)。隨著(zhù)代工業(yè)務(wù)的帶動(dòng)，第三代半導體材料的市場(chǎng)規模也將進(jìn)一步擴大。