納微半導體將在中國臺灣的電源設計技術(shù)論壇活動(dòng)上

　　納微 (Navitas)半導體宣布其現場(chǎng)應用及技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)總監黃萬(wàn)年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內首個(gè)及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統中顯著(zhù)提高速度、效率和密度的嶄新見(jiàn)解。納微是這項活動(dòng)的銀級贊助商，該活動(dòng)為具有創(chuàng )新性的制造商、合作伙伴及客戶(hù)提供了一個(gè)交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專(zhuān)業(yè)知識。

　　黃萬(wàn)年表示：“在四十多年來(lái)一直采用慢速且低效的硅組件之后，現時(shí)電力電子產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入一個(gè)令人興奮的新材料、新器件、新磁學(xué)、新控制器及富有想象力的拓樸的新時(shí)代。納微非常期待展示如何在氮化鎵組件中實(shí)現功率、驅動(dòng)和邏輯的單片化集成，為智能手機、膝上型計算機、消費產(chǎn)品、電視和新能源應用提供新一代高效、高密度的充電器及適配器?！?/p>

　　該論壇將于2018年1月30日下午1:00至5:10于臺北科技大學(xué)億光大樓二樓集思北科大會(huì )議中心舉行，此活動(dòng)詳情請參見(jiàn)網(wǎng)頁(yè)http://www.mem.com.tw/meeting_arti.php?sn=1712190001。

　　如果想參加該論壇，請發(fā)送電郵至info@navitassemi.com，或是致電聯(lián)絡(luò )+1 ThinkGaNIC (+1 844-654-2642)。