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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)初步通線(xiàn)，首個(gè)SiC器件芯片投片成功
- 10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱(chēng)，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)已實(shí)現初步通線(xiàn)，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標達到業(yè)內同類(lèi)器件結構的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車(chē)主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評測，即將向客戶(hù)送樣。據了解，2017年12月1
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
使用TI功能安全柵極驅動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率
- 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 制造商競相開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(cháng)的車(chē)型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統效率的壓力，這樣可以延長(cháng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會(huì )影響系統熱性能，進(jìn)而影響系統重量、尺寸和成本。隨著(zhù)開(kāi)發(fā)的逆變器功率級別更高，每輛汽車(chē)的電機數量增加，以及卡車(chē)朝著(zhù)純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續要求降低系統功率損耗。過(guò)去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著(zhù)半導體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管具有比IGBT更高
- 關(guān)鍵字： TI 功能安全 柵極驅動(dòng)器 SiC 逆變器
貿澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
- 關(guān)鍵字： 貿澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。 新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約
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安森美慶祝在新罕布什爾州擴張碳化硅工廠(chǎng)
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，昨天美國時(shí)間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠(chǎng)的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶(hù)提供必要的供應保證，以滿(mǎn)足對基于SiC的方案迅速增長(cháng)的需求。SiC對于提高電
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅工廠(chǎng) SiC
UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長(cháng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應用實(shí)現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
UnitedSiC（現為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(cháng)的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實(shí)現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商
- 由于 SiC 具有更快的開(kāi)關(guān)速度，因此對于某些拓撲結構，可縮減無(wú)源元器件如電感器的尺寸以降低系統尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規模儲能變得越來(lái)越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長(cháng)遠的發(fā)展路向。隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)采用率的增加，充電樁將大規模部署，另外，SiC 最終還將成為電動(dòng)車(chē)主驅逆變器的首選材料，因為它可減少車(chē)輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長(cháng)電池使用壽命。安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國汽車(chē)OEM技術(shù)負責人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
- 關(guān)鍵字： 202207 安森美 SiC
安森美：打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商
- 受訪(fǎng)人：安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國汽車(chē)OEM技術(shù)負責人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙，用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫，可以突破硅基器件的應用極限，開(kāi)關(guān)速度更快，導通電阻更低，損耗更小，能效更高?！ aN的開(kāi)關(guān)頻率比SiC高得多，而SiC的可靠
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
第三代半導體市場(chǎng)的“互補共生”
- 受訪(fǎng)人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營(yíng)銷(xiāo)組的應用經(jīng)理，負責工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過(guò)去20年中設計了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？
- 關(guān)鍵字： TI 第三代半導體 GaN SiC
TrendForce：估今年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)破10億
- 為進(jìn)一步提升電動(dòng)車(chē)動(dòng)力性能，全球各大車(chē)企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續推出了多款搭載相應產(chǎn)品的高性能車(chē)型。依TrendForce研究，隨著(zhù)越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅系統中導入SiC技術(shù)，預估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規模將達到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。 隨著(zhù)越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅系統中導入SiC技術(shù)，預估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規模將達到10.7億美元。TrendForce指出，目前車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)主要由歐美IDM大廠(chǎng)掌控，關(guān)鍵供貨
- 關(guān)鍵字： TrendForce SiC 功率組件
ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊 打造次世代電動(dòng)車(chē)
- SEMIKRON和半導體制造商ROHM在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車(chē)規級功率模塊「eMPack」，開(kāi)啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長(cháng) Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車(chē)制造商簽
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC SEMIKRON 功率模塊
賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開(kāi)新的合作
- 賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開(kāi)展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長(cháng)?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車(chē)規級功率模塊“eMPack?”，開(kāi)啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車(chē)制造商簽署
- 關(guān)鍵字： 羅姆 碳化硅 SiC 無(wú)線(xiàn)寬帶
GaN是否具有可靠性？或者說(shuō)我們能否如此提問(wèn)？
- 鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會(huì )好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒(méi)有人詢(xún)問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對于硅可靠性方面的問(wèn)題措辭則不同，比如“這是否通過(guò)了鑒定？”盡管GaN器件也通過(guò)了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀(guān)點(diǎn)，因
- 關(guān)鍵字： GaN FET 電源 可靠性
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條sic fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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