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克服疫情,大灣區首臺全自動(dòng)化SiC動(dòng)態(tài)測試系統在北理汽車(chē)研究院交付

  • _____日前,泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學(xué)深圳汽車(chē)研究院交付了一臺全自動(dòng)化SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測試系統,此為今年度向客戶(hù)交付的第五臺SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測試系統,亦是大灣區的首臺全自動(dòng)化SiC功率模塊動(dòng)態(tài)測試系統。此系統集成了來(lái)自泰克的專(zhuān)門(mén)針對第三代半導體測試的硬件設備,從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個(gè)難題的挑戰。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴,在去年“碳化硅功率半導體及應用研討會(huì )”上結成了全范圍的戰略合作聯(lián)盟,進(jìn)行深度整合資源,圍繞寬禁帶功率半導體測試領(lǐng)域開(kāi)展全產(chǎn)業(yè)鏈的
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

  • 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類(lèi)型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實(shí)現低功耗和小型化一般來(lái)說(shuō),GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能,有助降低各種電源功耗和實(shí)現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低,因此在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題,RO
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羅姆SiC評估板測評:快充測試

  • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板,空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線(xiàn)測試1)空載測試驅動(dòng)空載輸出12V,gs驅動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2)加載  24轉55V  2A dcdc驅動(dòng)信號波形如下:帶載 6.6k 15V驅動(dòng)信號單脈沖寬度,3uS左右總結由于輕負載,溫度始終未超過(guò)50度。開(kāi)關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對應設備
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羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試

  • 測試設備①直流電源由于手上沒(méi)有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個(gè)低壓直流穩壓源,所以這穩壓電源既用于給開(kāi)發(fā)板電源供電,又用于半橋母線(xiàn)電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載,可恒流或者恒壓或者恒負載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調制的方波信號,用于MOS管的驅動(dòng)④示波器觀(guān)察驅動(dòng)信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬(wàn)用表測量各測試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說(shuō)明書(shū)中電路按照上述描述修改:兩個(gè)直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線(xiàn)上加上12V電
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羅姆SiC評估板測評:基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

  • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺(jué)就是扎實(shí),評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區域也有明顯的標識。
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SiC MOSFET的橋式結構解析

  • 本文將對SiC MOSFET的橋式結構和工作進(jìn)行介紹。
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碳化硅MOSFET晶體管的特征

  • 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。
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SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

  • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進(jìn)行說(shuō)明。
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SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

  • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數,所以不僅要比較trr的數值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
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SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

  • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開(kāi)始。
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SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

  • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
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什么是碳化硅?SiC的特性和特征

  • 碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。本文來(lái)了解一下它的物理特性和特征。
  • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

ST先進(jìn)SiC牽引電機逆變器解決方案

  • 意法半導體(ST)作為全球領(lǐng)先的汽車(chē)半導體供應商之一,多年前就開(kāi)始布局新能源汽車(chē)領(lǐng)域,在2019年正式成立新能源車(chē)技術(shù)創(chuàng )新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開(kāi)發(fā),滿(mǎn)足ASIL D等級?;贏(yíng)utoSAR的軟件架構和模型化的軟件算法,為客戶(hù)前期方案評估和后續開(kāi)發(fā)提供了便利,大大縮短了整個(gè)研發(fā)周期。
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ST第三代碳化硅技術(shù)問(wèn)世 瞄準汽車(chē)與工業(yè)市場(chǎng)應用

  • 電源與能源管理對人類(lèi)社會(huì )未來(lái)的永續發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說(shuō)明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長(cháng),我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實(shí)現這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實(shí)現各種節能目標的具體數據,圖中是對全球電力消耗狀況的統計。僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō),如果能將電力利用效率提升1%,
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ST:發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

  • 電源與能源管理對人類(lèi)社會(huì )未來(lái)的永續發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長(cháng),我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實(shí)現這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō),如果能將電力利用效率提升1%,就能節省95.
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