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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
長(cháng)江存儲：128層3D NAND技術(shù)會(huì )按計劃在今年推出
- 據證券時(shí)報消息，長(cháng)江存儲CEO楊士寧在接受采訪(fǎng)時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì )有所波及。但目前長(cháng)江存儲已實(shí)現全員復工，從中長(cháng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì )影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì )按計劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長(cháng)江存儲市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示，接下來(lái)，長(cháng)江存儲將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L(cháng)江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長(cháng)江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 3D NAND
集邦咨詢(xún)：受新冠肺炎疫情擴大沖擊，NAND Flash均價(jià)可能提前于下半年反轉向下
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱，但在NAND Flash領(lǐng)域，因為2020年全年供給位元產(chǎn)出年成長(cháng)收斂至三成，加上各大供應商資本支出保守，第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。
- 關(guān)鍵字： 集邦咨詢(xún) 新冠肺炎 NAND Flash
華邦電進(jìn)軍車(chē)用、工業(yè)領(lǐng)域
- 存儲器大廠(chǎng)華邦電近日宣布，開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車(chē)用與工業(yè)應用領(lǐng)域穩健可靠的儲存存儲器。
- 關(guān)鍵字： 華邦電 NAND Flash 車(chē)用與工業(yè)應用領(lǐng)域
存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結束 ？
- 據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場(chǎng)。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類(lèi)型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場(chǎng)2017年的存儲器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規模均成長(cháng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導體市場(chǎng)規模比2016年成長(cháng)22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
- 關(guān)鍵字： 存儲器、NAND、DRAM
武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列
- 近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
- 關(guān)鍵字： 武漢新芯 50nm SPI NOR Flash
引領(lǐng)存儲新架構 構建數據金字塔 英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來(lái)
- 近日，以“數智·未來(lái)”為主題的2019中國數據與存儲峰會(huì )在北京成功舉辦。匯聚全球數據存儲領(lǐng)域知名的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶(hù)，本次峰會(huì )旨在幫助企業(yè)和社會(huì )提升數據智能水平，推動(dòng)全球存儲與數據產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì )并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補當前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過(guò)諸多用戶(hù)案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng )新引領(lǐng)存儲新架構，構建數據金字塔。英特爾公司中國區非易失性存儲事業(yè)部
- 關(guān)鍵字： QLC NAND 內存
兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng )新產(chǎn)品獎
- 近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng )新產(chǎn)品獎?！爸袊尽豹勴検悄壳皣鴥茸罹邫嗤耘c影響力的獎項之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計187款芯片產(chǎn)品參與報名，基本涵蓋國內最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國內集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： NOR Flash
中國首款！長(cháng)江存儲啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)
- 網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長(cháng)江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲等主流市場(chǎng)應用需求。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
NAND Flash 2020年新戰場(chǎng)暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)
- 受到東芝工廠(chǎng)停產(chǎn)及日韓貿易戰導致存儲器價(jià)格將反轉契機出現，NAND Flash價(jià)格調漲從7月開(kāi)始顯現，而國際大廠(chǎng)之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
- 關(guān)鍵字： 三星電子 東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND
日韓貿易戰與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長(cháng)期須關(guān)注原廠(chǎng)庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠(chǎng)出現提高報價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長(cháng)，短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價(jià)格將反轉，集邦咨詢(xún)分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續三個(gè)季度快速下滑，下游
- 關(guān)鍵字： 日韓貿易戰 東芝 DRAM/NAND
停電余威沖擊NAND Flash出貨 價(jià)格維持小跌
- 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場(chǎng)傳出存儲器大廠(chǎng)東芝存儲器(TMC)當地營(yíng)運的5座 NAND Flash工廠(chǎng)的營(yíng)運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說(shuō)明影響，但據傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶(hù)可能無(wú)法按照原定時(shí)程出貨。
- 關(guān)鍵字： ?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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