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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動(dòng)方法
- 1. 引言 NAND FLASH被廣泛應用于電子系統中作為數據存儲。在各種高端電子系統中現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現對NAND FLASH的讀寫(xiě)操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動(dòng)方法?！ ?. VDNF2T16VP193EE4V25簡(jiǎn)介 歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下： 其主要特性如下： ? 總容量
- 關(guān)鍵字： NAND NIOS II FPGA
全球前15大半導體廠(chǎng)商排名：7家年增20%以上，中國大陸無(wú)一上榜
- 8月20日，研究機構ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過(guò)遺憾的是，中國大陸暫時(shí)沒(méi)有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?！ 「鶕l(fā)布的數據顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長(cháng)，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達數據最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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IC Insights預測：全球IC增長(cháng)和全球GDP增長(cháng)關(guān)聯(lián)日益密切
- 在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(cháng)與IC市場(chǎng)增長(cháng)之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預測?！ ∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內，全球GDP增長(cháng)與IC市場(chǎng)增長(cháng)的相關(guān)系數為0.88，這是一個(gè)強勁的數字，因為完全相關(guān)為1.0。在此期間之前的3
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
NAND閃存價(jià)格還要連跌10% 512GB SSD未來(lái)兩年將成主流
- NAND閃存價(jià)格2018年以來(lái)一直在降低，大家也應該注意到了今年發(fā)布的智能手機閃存容量也越來(lái)越大了，中高端機中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價(jià)的趨勢在下半年還會(huì )繼續，因為智能手機出貨量增長(cháng)放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續增加，預計Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì )下跌10%，不用過(guò)這也加速了大容量SSD硬盤(pán)的普及，未來(lái)2-3內512GB將成為主流之選?！ 〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場(chǎng)下半年趨勢的報告，認為Q3季度雖然是傳統旺季，但是N
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中國存儲三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話(huà)語(yǔ)權
- 今年下半年，隨著(zhù)長(cháng)江存儲、福建晉華、合肥長(cháng)鑫國內三大存儲廠(chǎng)商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認為，國內存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或將對全球存儲市場(chǎng)價(jià)格走勢造成影響?！ 《S著(zhù)中美貿易局勢的緊張，以及中國監管機構正式啟動(dòng)對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?！ ∧壳?，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(cháng)江存儲、專(zhuān)注于移動(dòng)式內存的合肥長(cháng)鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營(yíng)?！ 〗趥鞒龊戏书L(cháng)鑫投產(chǎn)8
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三星150億美元擴大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續降價(jià)
- 據韓國媒體報道稱(chēng)，三星已經(jīng)上調了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠(chǎng)以及中國西安工廠(chǎng)的3D NAND產(chǎn)能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來(lái)SSD的繼續降價(jià)是基本沒(méi)懸念的事?！ ∪騈AND閃存市場(chǎng)份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動(dòng)直接影響整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領(lǐng)域以擴大產(chǎn)能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略?！ ∮袌蟮婪Q(chēng)，東芝/西數、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
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NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元
- 近日，據IC Insights的數據預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來(lái)的最大增幅。 其中，3D NAND的市場(chǎng)需求，成為驅動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實(shí)現更大的結構和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠(chǎng)商的追捧，目前已成為NAND閃存廠(chǎng)商的
- 關(guān)鍵字： NAND CAPEX
美光科技就中國福建省專(zhuān)利訴訟案件的聲明
- 美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晉華”)提起專(zhuān)利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專(zhuān)利侵權訴訟，實(shí)為報復此前臺灣檢察機關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區聯(lián)邦地區法院提起的民事訴訟?！ ≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷(xiāo)
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DRAM NAND
2018年Q1全球半導體銷(xiāo)售達1158億美元，無(wú)線(xiàn)通訊市場(chǎng)大幅下滑
- 在2018年第一季度，全球半導體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收出現些許下滑，然而NAND市場(chǎng)依然創(chuàng )下了有史以來(lái)第二高的季度收入，其中，來(lái)自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)的需求最為強勁?！ ‰S著(zhù)企業(yè)和儲存市場(chǎng)對于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類(lèi)別增長(cháng)率為1.7%，達到397億美元。事實(shí)上，對于服務(wù)器用內存(Server DRAM)的強勁需求將持續推動(dòng)該市場(chǎng)。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內收入略有下降，IHS Marki內存與儲存市場(chǎng)資深總監Crai
- 關(guān)鍵字： 無(wú)線(xiàn)通訊 NAND
96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準備就緒
- 為實(shí)現更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來(lái)越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應的解決方案?！ ∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當穩定的產(chǎn)品。 而為了進(jìn)一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
- 關(guān)鍵字： NAND，芯片
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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