長(cháng)江存儲：128層3D NAND技術(shù)會(huì )按計劃在今年推出

據證券時(shí)報消息，長(cháng)江存儲CEO楊士寧在接受采訪(fǎng)時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì )有所波及。但目前長(cháng)江存儲已實(shí)現全員復工，從中長(cháng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì )影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì )按計劃在2020年推出。

今年早些時(shí)候，長(cháng)江存儲市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示，接下來(lái)，長(cháng)江存儲將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。

▲長(cháng)江存儲64層3D NAND閃存晶圓

了解到，長(cháng)江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總部位于武漢，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲器解決方案。