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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
DRAM/NAND存儲器需求持續增溫 南亞科、旺宏業(yè)績(jì)看好
- 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨，數據中心、高速傳輸的5G受重視，研調單位指出，協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應求，帶動(dòng)存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！ ∧蟻喛谱蛉展蓛r(jià)雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味?！ ∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達2.39元，隨著(zhù)DRAM市場(chǎng)仍持續供不應求，對今年整體營(yíng)運表
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤(pán)
- 美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)現已開(kāi)始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤(pán)在美光 2018年分析師和投資者大會(huì )上首次亮相，面向之前由硬盤(pán)驅動(dòng)器 (HDD) 提供服務(wù)的細分市場(chǎng)，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤(pán)的推出，奠定了美光在實(shí)現更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導者地位，可以滿(mǎn)足人工智能、大數據、商業(yè)智能、內容傳輸和數據庫系統對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?！ ‰S著(zhù)工作負載的演變以滿(mǎn)足對于實(shí)時(shí)數據的
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額將在2020年減少78億美元
- 當前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場(chǎng)基本上100%依賴(lài)進(jìn)口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現階段在政府的支持下，除了紫光集團旗下的長(cháng)江存儲已經(jīng)在武漢建設NAND Flash工廠(chǎng)，預計2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進(jìn)行DRAM研發(fā)，這使得未來(lái)幾年，中國生產(chǎn)存儲就會(huì )逐漸進(jìn)入市場(chǎng)。 對此，韓國企業(yè)也開(kāi)始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預測，在2022年時(shí)會(huì )因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷(xiāo)售金額。 根據韓國媒體《et
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
內存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒(méi)有來(lái)
- 根據Gartner的報告顯示，在過(guò)去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據著(zhù)這一寶座，如今被三星超越實(shí)在是無(wú)奈，因為沒(méi)有人能預料到這兩年內存市場(chǎng)會(huì )如此強勁。 也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內存條價(jià)格還不到200元，然后8GB內存條的價(jià)格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內存條都還能大賺一筆。內存價(jià)格的飆升也帶動(dòng)了整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)的增長(cháng)，其中三星獲益匪淺，
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
2017年全球十大半導體廠(chǎng)排名：三星首次登頂
- IHS Markit研究指出，2017年全球半導體市場(chǎng)營(yíng)收達到4291億美元，與2016年相較成長(cháng)了21.7%，年成長(cháng)率創(chuàng )下近14年新高。 而三星也借著(zhù)53.6%的年成長(cháng)率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導體廠(chǎng)商。 在前20大半導體廠(chǎng)商中，SK海力士(SK Hynix)的營(yíng)收成長(cháng)幅度最大，較2016年成長(cháng)81.2%;美光科技(Micron)居次，營(yíng)收較2016年成長(cháng)了79.7%。 對此，IHS Markit半導體供應鏈分析師Teevens表示，強勁的需求以及價(jià)格上漲，是企業(yè)營(yíng)收大
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
我國首批32層三維NAND閃存芯片年內將量產(chǎn)
- 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標志著(zhù)國家存儲器基地從廠(chǎng)房建設階段進(jìn)入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。 目前，我國通用存儲器基本全部依賴(lài)進(jìn)口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時(shí)2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進(jìn)入全球存儲芯片第
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
中國電子信息產(chǎn)業(yè)規?？焖僭鲩L(cháng) 加快邁向中高端
- 近年來(lái)，全球信息技術(shù)創(chuàng )新進(jìn)入密集發(fā)生期，呈現多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來(lái)的低端鎖定，加快邁向全球價(jià)值鏈中高端，迎來(lái)從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機。 工業(yè)和信息化部副部長(cháng)羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會(huì )上透露，2017年我國規模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規模達18.5萬(wàn)億元，手機、計算機和彩電產(chǎn)量穩居全球第一，在通信設備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。 據前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： AMOLED NAND
2018年內存芯片收入有望實(shí)現創(chuàng )紀錄增長(cháng)
- 全球半導體行業(yè)在2017年創(chuàng )下了10年以來(lái)的最好成績(jì)，年收入比2016年增長(cháng)了22%，達到4291億美元。 這是根據英國分析公司IHS Markit的新統計數據得出的，HIS認為市場(chǎng)對內存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應用如大數據、物聯(lián)網(wǎng)和機器學(xué)習。 這一需求的增長(cháng)使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據第一位置，領(lǐng)先于競爭對手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長(cháng)了54%。 IHS表示，動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器芯片的銷(xiāo)售總額增長(cháng)了77%，而閃存芯片
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND
三星中國西安NAND Flash工廠(chǎng)二期項目動(dòng)工
- 在當前NandFlash存儲器仍舊供不應求，市場(chǎng)價(jià)格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星，日前宣布將在本月底正式動(dòng)工的中國西安NandFlash存儲器廠(chǎng)的擴建計劃，28日正式動(dòng)工，預計將在2019年完工啟用。 據了解，該項總金額高達70億美元，工程期間達到3年的擴廠(chǎng)計劃，是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠(chǎng)的第一期產(chǎn)線(xiàn)是在2014年所建置，月產(chǎn)能為12萬(wàn)片。如今，新的產(chǎn)線(xiàn)動(dòng)工建置，未來(lái)完成之后將可再為三星增加每月20萬(wàn)片的產(chǎn)能。 只是，該新的
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
春節不停工，武漢國家存儲器基地要在今年實(shí)現3D NAND量產(chǎn)？
- 打造萬(wàn)億級產(chǎn)業(yè)集群,推動(dòng)武漢經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。春節闔家團圓之時(shí),仍有大量建設者、生產(chǎn)者堅守崗位,為城市發(fā)展貢獻“加速度”。過(guò)年期間,分布在譽(yù)為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個(gè)重大產(chǎn)業(yè)項目上,有超過(guò)2000多人堅守崗位過(guò)大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬(wàn)億級產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。 在國家存儲器基地,有600多人在建設工地上忙碌。據了解,目前,他們正在進(jìn)行廠(chǎng)內潔凈室
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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