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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠(chǎng)供氣
- 全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products，紐約證券交易所代碼：APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導體工廠(chǎng)供應工業(yè)氣體?！ ∥挥谖靼哺咝录夹g(shù)開(kāi)發(fā)區的芯片廠(chǎng)是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進(jìn)的半導體工廠(chǎng)之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤(pán)、移動(dòng)設備和其它消費電子產(chǎn)品?！ 】諝猱a(chǎn)品公司西安工廠(chǎng)自2014年起開(kāi)始服務(wù)于這一項目，目前運作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
買(mǎi)個(gè)32G內存的手機為啥只有20幾個(gè)G？看完你就懂了
- 現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類(lèi)移動(dòng)終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區別，存儲芯片的實(shí)際大小與標稱(chēng)值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說(shuō)手機內存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿(mǎn)足不斷增大的系統文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下： 我們接觸到的16G、32G等手機，為何實(shí)際
- 關(guān)鍵字： eMMC NAND
旺宏2017NOR市占達30%，稱(chēng)霸全球
- 旺宏昨日召開(kāi)財報會(huì )表示，2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預計NOR型快閃存儲器2018年成長(cháng)動(dòng)力將來(lái)自于數據中心、電信與車(chē)用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏營(yíng)收48%為最大產(chǎn)品線(xiàn)。 旺宏電子總經(jīng)理盧志遠表示，預期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲器價(jià)格仍穩定微揚，旺宏不做低階產(chǎn)品，也仍看好SLC NAND市況，因此對今年營(yíng)運看法樂(lè )觀(guān)。 就短期來(lái)看，盧志遠表示，本季整體需求預估會(huì )比去年第四季緩和;雖
- 關(guān)鍵字： NOR NAND
3D NAND-microSD 卡為視頻監控帶來(lái)重大突破
- 由于人們對周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠(chǎng)、企業(yè)或基礎設施的內外環(huán)境)的視覺(jué)感知需求不斷增長(cháng)，全球范圍的視頻監控市場(chǎng)都在飛速發(fā)展。然而，所部署系統的數量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應方的經(jīng)濟狀況，以及用于部署、管理和監控這些系統的基礎設施的復雜性?！ ?nbsp; 上一次視頻監控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數字化技術(shù)的一些重大改進(jìn)，以及互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP) 網(wǎng)絡(luò )的廣泛應用。當下，一些強大的新技術(shù)趨勢——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D
- 關(guān)鍵字： NAND microSD
美光科技推出業(yè)界首款基于領(lǐng)先的64層3D NAND技術(shù)構建的企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤(pán)
- 美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)，該產(chǎn)品可提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎設施價(jià)值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤(pán)基于美光科技業(yè)界領(lǐng)先的全新 64 層 3D NAND 技術(shù)構建，對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤(pán)上無(wú)法一展身手的業(yè)務(wù)關(guān)鍵型虛擬化工作負載，可為其提供經(jīng)濟實(shí)惠的 SATA 平臺。 利用廣受好評的 5100 SATA 固態(tài)硬盤(pán)的成熟架構和業(yè)界領(lǐng)先的性能及容量，美光 5200 系列提
- 關(guān)鍵字： 美光科技 NAND
2018年內存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
- 2017年，整體內存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過(guò)了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會(huì )那么樂(lè )觀(guān)了，由于大廠(chǎng)3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過(guò)剩問(wèn)題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì )太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉喜。 DRAM無(wú)新增產(chǎn)能 首先就DRAM部分，以大方向來(lái)說(shuō)，2018年在Fab端并無(wú)新增產(chǎn)能，頂多就
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
3D NAND存儲助力智能手機應用進(jìn)入新時(shí)代
- 前言 全球的智能手機用戶(hù)一直在不斷尋求更好的移動(dòng)體驗。他們不僅下載比以往任何時(shí)候都更多的應用，而且還使用更為復雜的應用來(lái)支持攝影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導航、圖像采集以及虛擬現實(shí)(VR)/增強現實(shí)(AR)等方面更大的技術(shù)進(jìn)步?！ ≡谀承┑貐^，智能手機是唯一與外界聯(lián)系的設備，因此用戶(hù)對它們的依賴(lài)程度非常高，已經(jīng)習慣于讓手機不間斷地運行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機用戶(hù)群，這些用戶(hù)經(jīng)常使用高級在線(xiàn)支付服務(wù)(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財付通
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲
美光科技和英特爾發(fā)布NAND存儲聯(lián)合開(kāi)發(fā)計劃的最新動(dòng)態(tài)
- 美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲聯(lián)合開(kāi)發(fā)計劃的最新動(dòng)態(tài)。這段成功的合作關(guān)系已幫助兩家公司開(kāi)發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)并順利推向市場(chǎng)?！ 〈舜伟l(fā)布內容包括兩家公司商定將各自獨立開(kāi)發(fā)新世代 3D NAND 技術(shù)。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術(shù)的開(kāi)發(fā)，該技術(shù)將在 2018 年末交付，并持續到 2019 年初。在此技術(shù)節點(diǎn)之后，兩家公司將獨
- 關(guān)鍵字： 美光科技 NAND
ARM平臺數據為何會(huì )莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線(xiàn)性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實(shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數據的存儲，因而越來(lái)越廣泛地應用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！ ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現丟數據掉程序現象，是一個(gè)讓無(wú)數工程師毛骨悚然的
- 關(guān)鍵字： Nand-Flash eMMC
東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠(chǎng)
- 2017 年是 NAND Flash 閃存廠(chǎng)商豐收的一年，零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠(chǎng)商的營(yíng)收，同時(shí)還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠(chǎng)商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來(lái)進(jìn)行新一波的投資。 而根據外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠(chǎng)(Fab7)，地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。 事實(shí)上，目前東芝的第 6 座工廠(chǎng)(Fab 6)正在建設當中，預計將于 2018 年第 4 季完工
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內存明年市況恐將不同調，DRAM市場(chǎng)仍將持續吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉為供過(guò)于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。 內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續吃緊，價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著(zhù) 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。 另一內存模塊廠(chǎng)威剛表示，短期內全球 DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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