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nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
STM32的flash知識詳解
- 說(shuō)到STM32的flash，我們的第一反應是用來(lái)裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內FLASH不僅用來(lái)裝程序，還用來(lái)裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然， FLASH還可以用來(lái)裝數據?！ LASH分類(lèi) 根據用途，STM32片內的FLASH分成兩部分：主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序，我們寫(xiě)的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分：系統存儲器、選項字節。 系統存儲器存儲用于存放在系統存儲器自舉模式下的啟動(dòng)程序(BootLoader)，當使用ISP方
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(cháng)
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續七季上揚，是歷來(lái)漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠(chǎng)決定維持DRAM價(jià)格持穩不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠(chǎng)打算調降售價(jià)格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機中國聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝認為，有人說(shuō)三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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潘健成：明年3D NAND進(jìn)入96層 群聯(lián)準備好了
- 今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉換至64/72層3D NAND規格，隨著(zhù)制程轉換完成，全球缺貨問(wèn)題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長(cháng)潘健成指出，2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動(dòng)單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準備好了，呈現蓄勢待發(fā)的姿態(tài)! 今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉換不順、數據中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價(jià)格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
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旺宏NAND論文 獲國際肯定
- 內存大廠(chǎng)旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子組件大會(huì )(IEDM)，被評選為「亮點(diǎn)論文」，是今年臺灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠(chǎng)商，彰顯旺宏在先進(jìn)內存研發(fā)實(shí)力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。 旺宏強調，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結構(SGVC)，相較其他大廠(chǎng)現有技術(shù)，以相同的堆棧層數，卻可達到二到三倍的內存密度。 目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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讓汽車(chē)更智能，適用于汽車(chē)遠程信息處理系統的全新 NAND+LPDDR4 MCP
- 被譽(yù)為世界三大車(chē)展之一的東京車(chē)展于近日開(kāi)幕，來(lái)自全世界的主要汽車(chē)生產(chǎn)廠(chǎng)商通過(guò)展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來(lái)描繪下一代汽車(chē)發(fā)展藍圖，其中 “人工智能”、“自動(dòng)駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)界公認的未來(lái)的發(fā)展方向?！ ±?，豐田展出的“愛(ài)i”系列，能憑借大量數據分析解駕駛員的日常習慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛(ài)好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車(chē)，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動(dòng)力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內外搭載有8個(gè)高清晰攝像頭，能捕捉到周?chē)男腥?、?chē)輛
- 關(guān)鍵字： NAND LPDDR4
兆易創(chuàng )新獲中芯支援擴產(chǎn)Nor Flash 短期恐對價(jià)格沖擊有限
- 據報導， Nor Flash 生產(chǎn)大廠(chǎng)兆易創(chuàng )新(Gigadevice)搶進(jìn) Nor Flash 市場(chǎng)，獲得代工龍頭中芯國際(SMIC)的支持，將提供兆易創(chuàng )新每月 2.5 萬(wàn)片，占全球 Nor Flash 約 30% 的產(chǎn)能，進(jìn)一步威脅臺灣大廠(chǎng)旺宏與華邦電。 不過(guò)，根據《科技新報》獨家取得的消息，中芯國際供應兆易創(chuàng )新的產(chǎn)能，僅為每月一萬(wàn)片。雖然對當前市場(chǎng)的供貨有所幫助，但是對價(jià)格的沖擊，短期可能有限。 存儲器業(yè)者透露表示，預定 2018 年第 1 季在兆易創(chuàng )新獲得中芯國際支持的產(chǎn)能陸續投片，
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東芝營(yíng)益飆升近80% 將加碼投資Flash
- 東芝(Toshiba)9日公布財報，受惠于存儲器需求暢旺，營(yíng)益飆升將近80%。該公司并宣布將加碼投資存儲器。 法新社、路透社、金融時(shí)報報導，東芝發(fā)布本財年第二季(7~9月)財報，營(yíng)收年增2.4%至1.24萬(wàn)億日圓，營(yíng)益飆升76%至1,351億日圓(12億美元)，高于路透訪(fǎng)調估計的1,245日圓。不過(guò)該季仍呈現虧損，凈損1,001億日圓。 東芝營(yíng)益大增，主因存儲器表現強勁，不過(guò)東芝已經(jīng)同意出售半導體事業(yè)子公司“東芝存儲器”(TMC)給予貝恩資本和SK海力士等集團，代價(jià)
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東芝第二財季運營(yíng)利潤增長(cháng)76% 芯片業(yè)務(wù)表現強勁
- 11月9日消息，據國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內存芯片業(yè)務(wù)強勁業(yè)績(jì)的驅動(dòng)，該公司本財年第二季度運營(yíng)利潤增長(cháng)了76%。最近，該公司同意將旗下內存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對外出售。 處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個(gè)第二季度運營(yíng)利潤從上年同期的768.8億日元增長(cháng)至1250,8億日元(約合12億美元)。 這個(gè)業(yè)績(jì)好于分析師預期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據5位分析師預估，東芝本財年第二季度運營(yíng)利潤是1244.7億日
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機
- 美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線(xiàn)廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世，預計2018年第1季128GB和256GB版會(huì )開(kāi)始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開(kāi)始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應用，日前推出全系列的影像監控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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芯片加密后究竟能不能再次使用？
- 隨著(zhù)信息技術(shù)的發(fā)展，信息的載體-芯片的使用也越來(lái)越多了，隨之而來(lái)的芯片安全性的要求也越來(lái)越高了，各個(gè)芯片廠(chǎng)商對芯片保密性要求越來(lái)越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶(hù)打電話(huà)過(guò)來(lái)問(wèn)，這個(gè)芯片加密了還能不能用啊。本文通過(guò)對芯片的加密的介紹來(lái)看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果?！ ∫?、Flash類(lèi)型芯片的加密 Flash類(lèi)芯片(包括SPI?FLASH?,并行FLASH，NAND?FLASH等)加密后一般情況下都是禁止“寫(xiě)”以及“擦除”操作，通過(guò)
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機
- 美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線(xiàn)廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世，預計2018年第1季128GB和256GB版會(huì )開(kāi)始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開(kāi)始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應用，日前推出全系列的影像監控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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