EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
西部數據擴展視頻存儲和分析產(chǎn)品系列 滿(mǎn)足終端智能視頻的動(dòng)態(tài)需求
- 北京，西部數據公司今日發(fā)布三個(gè)安防監控存儲解決方案更新，擴展了其用于現代監控市場(chǎng)的數據存儲設備系列。這一系列更新包括：業(yè)內率先發(fā)布的用于監控的工業(yè)級3D NAND UFS嵌入式閃存盤(pán)(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動(dòng)卡系列，以及使OEM及系統集成商能夠主動(dòng)管理其存儲子系統、維持運行優(yōu)化狀態(tài)的新款設備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)?！ ?lt;左1：西部數據公司中國區產(chǎn)品市場(chǎng)總監-張丹女士、左2：西部數據公司
- 關(guān)鍵字： 西部數據 NAND
提高3D NAND性能、可靠性和良率的 考慮因素
- 前言 多年來(lái)，全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅動(dòng)器擴展到筆記本電腦、智能手機和平板電腦，如今又擴展至云端存儲操作所需固態(tài)存儲記憶體。隨著(zhù)時(shí)間的推移，結構上的逐漸演進(jìn)已滿(mǎn)足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲技術(shù)相比，每存儲單位比特成本更低，其價(jià)值不言而喻?！ ∽畛?，NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來(lái)縮小尺寸，從而增加存儲密度，降低相對應成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
西部數據公司推出支持先進(jìn)汽車(chē)系統的新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤(pán)
- 西部數據公司于今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽車(chē)嵌入式閃存盤(pán)(EFD)，豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車(chē)儲存解決方案，用以滿(mǎn)足對先進(jìn)汽車(chē)系統和自動(dòng)駕駛車(chē)輛的需求(如高級駕駛輔助系統ADAS)。西部數據公司iNAND? AT EU312 嵌入式閃存盤(pán)的 UFS 2.1接口，可提供高容量和相比較此前基于e.MMC 產(chǎn)品更強的性能，滿(mǎn)足了汽車(chē)設備嚴格的質(zhì)量和可靠性要求?！ ≤?chē)聯(lián)網(wǎng)需要以越來(lái)越高的容量快速可靠地存儲數據，以支持由數字集群、信息娛樂(lè )系統、3D地圖導航、遠程信息處理、高級駕駛輔助系統的
- 關(guān)鍵字： 西部數據 NAND
關(guān)于NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀(guān)念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或寫(xiě)入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng )新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì )表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著(zhù)PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
- 關(guān)鍵字： NAND eMMC UFS
SK加碼投資NAND新廠(chǎng)，總金額上看178億美元
- 根據《韓聯(lián)社》報導，這所新的M15新產(chǎn)線(xiàn)位于清州，SK海力士從2016年12月宣布興建，并且于2017年4月動(dòng)工，并已在今日完工啟用，新廠(chǎng)將加強韓國存儲器產(chǎn)業(yè)中的競爭力。SK計劃持續擴大這條產(chǎn)線(xiàn)，不過(guò)詳細內容將會(huì )視市場(chǎng)狀況來(lái)決定。該廠(chǎng)將會(huì )在2019年第1季開(kāi)始生產(chǎn)96層NANDFlash快閃存儲器，將會(huì )有月產(chǎn)20萬(wàn)片的程度，類(lèi)似于位于首爾以南80公里的利川M14生產(chǎn)線(xiàn)?！ K海力士會(huì )長(cháng)崔泰源宣示，身為國家的關(guān)鍵企業(yè)，SK海力士將會(huì )持續維持在市場(chǎng)的競爭力。韓國大統領(lǐng)文在寅也出席了啟用儀式，并在致詞表示
- 關(guān)鍵字： SK NAND
不怕虧錢(qián)，未來(lái)十年長(cháng)江存儲持續增加研發(fā)投入
- 對于一個(gè)多月前在美國圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì )上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長(cháng)江存儲執行董事長(cháng)高啟全接受中國證券報記者專(zhuān)訪(fǎng)表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來(lái)十年，長(cháng)江存儲將持續增加研發(fā)投入?！ ≈瞥痰膬纱箅y點(diǎn) 中國證券報：3D NAND制造工藝的難點(diǎn)在哪些地方? 高啟全：3D NAND的困難點(diǎn)在于一層層疊上去的時(shí)候需要打洞把每一層連接起來(lái)，層數越多需要打的洞就越多，每一個(gè)單位都要打洞，數量可達幾百萬(wàn)個(gè)。必須保證做到垂直地
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲，NAND
慧榮科技將于2018中國閃存峰會(huì )上展出最新存儲主控芯片解決方案
- 全球NAND閃存主控芯片設計與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)，將于9月19日在深圳舉辦的 “2018中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解決方案來(lái)滿(mǎn)足全方位巿場(chǎng)需求，其包括專(zhuān)為數據中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場(chǎng)帶來(lái)最完整的解決方案，此外支持高速移動(dòng)存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控
- 關(guān)鍵字： 慧榮科技 NAND
H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash
- H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash
- 關(guān)鍵字： H-Jtag V1. 燒寫(xiě)NOR Flash
NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀(guān)念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或寫(xiě)入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng )新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì )表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著(zhù)PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀(guān)念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或寫(xiě)入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng )新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì )表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著(zhù)PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
- 關(guān)鍵字： NAND UFS
晶圓廠(chǎng)、DRAM和3D NAND投資驅動(dòng)，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額
- 近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統報告，報告顯示，中國前端晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能今年將增長(cháng)至全球半導體晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動(dòng)，中國將在2020年的晶圓廠(chǎng)投資將以超過(guò)200億美元的支出，超越世界其他地區，占據首位?！ ?014年中國成立大基金以來(lái)，促進(jìn)了中國集成電路供應鏈的迅速增長(cháng)，目前已成為全球半導體進(jìn)口最大的國家市場(chǎng)。SEMI指出，目前中國正在進(jìn)行或計劃開(kāi)展25個(gè)新的晶圓廠(chǎng)建設項目，代工廠(chǎng)、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM 3D NAND
中國產(chǎn)能逐漸開(kāi)出 內存價(jià)格2019將下滑
- 內存價(jià)格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠(chǎng)商產(chǎn)能陸續開(kāi)出，因此資策會(huì )MIC預測內存價(jià)格將于開(kāi)始下滑?！ ≠Y策會(huì )MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)洪春暉表示，2018年的半導體市場(chǎng)概況是近5年來(lái)難得的樂(lè )觀(guān)，盡管2018年內存價(jià)格成長(cháng)空間有限，但NAND Flash需求仍然持續增加。 因此，預估2018年全球半導體市場(chǎng)規模將成長(cháng)10.1%，其中最大的原因是各應用終端內存需求持續增加，以及車(chē)用電子等新興應用帶動(dòng)?！ 『榇簳熯M(jìn)一步指出，內存受惠于市場(chǎng)價(jià)格上揚，2018年全年臺灣內存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(cháng)25%，產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND
IHS公布二季度半導體銷(xiāo)售排行榜：三星又當第一
- 由于持續受益于存儲器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩坐半導體銷(xiāo)售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)?！ 「鶕袌?chǎng)研究機構IHS Markit的統計，三星在今年第二季全球芯片市場(chǎng)占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著(zhù)NAND快閃存儲器(flash)市場(chǎng)顯著(zhù)降溫，英特爾已自本季開(kāi)始縮小與三星的差距，其季成長(cháng)較三星更高3%?！ ∫园雽w銷(xiāo)售額來(lái)看，三星在第二季的銷(xiāo)售額為192億美元，較第一季成長(cháng)3.4%，并較2017年第二季成長(cháng)了33.7
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 英特爾
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473