美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節點(diǎn)DRAM

2022年11月2日——中國上海——內存與存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開(kāi)始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著(zhù)提升，將為市場(chǎng)帶來(lái)巨大收益。除了移動(dòng)應用，基于1β節點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高性能的特點(diǎn)，能夠支持智能汽車(chē)和數據中心等應用所需的快速響應、實(shí)時(shí)服務(wù)、個(gè)性化和沉浸式體驗。

繼2021年批量出貨基于1α（1-alpha）節點(diǎn)的產(chǎn)品后，美光推出全球最先進(jìn)的1β節點(diǎn)DRAM，進(jìn)一步鞏固了市場(chǎng)領(lǐng)先地位。1β技術(shù)可將能效提高約15%，內存密度提升35%以上^[1]，單顆裸片容量高達16Gb。

美光技術(shù)和產(chǎn)品執行副總裁Scott DeBoer表示：“1β DRAM產(chǎn)品融合了美光專(zhuān)有的多重曝光光刻技術(shù)、領(lǐng)先的制程技術(shù)及先進(jìn)材料能力，標志著(zhù)內存創(chuàng )新的又一次飛躍。全球領(lǐng)先的1β DRAM制程技術(shù)帶來(lái)了前所未有的內存密度，為智能邊緣和云端應用迎接新一代數據密集型、智能化和低功耗技術(shù)奠定了基礎。”

此前，美光已在今年7月出貨全球首款232層NAND，為存儲解決方案帶來(lái)了前所未有的性能和面密度。得益于美光在尖端研發(fā)與制程技術(shù)方面的深厚根基，這兩項業(yè)界首發(fā)預示著(zhù)美光將繼續在內存和存儲創(chuàng )新領(lǐng)域領(lǐng)跑市場(chǎng)。

隨著(zhù)LPDDR5X的出樣，移動(dòng)生態(tài)系統將率先受益于1β DRAM產(chǎn)品的顯著(zhù)優(yōu)勢，從而解鎖下一代移動(dòng)創(chuàng )新和先進(jìn)的智能手機體驗，并同時(shí)降低功耗。1β技術(shù)的速率和密度將使高帶寬用例在下載、啟動(dòng)以及同時(shí)使用數據密集型的5G和人工智能應用時(shí)，提供更快的響應和流暢度。此外，基于1β節點(diǎn)的LPDDR5X不僅可以加速智能手機拍攝啟動(dòng)，提升夜間模式和人像模式下的拍攝速度和清晰度，還可以實(shí)現無(wú)抖動(dòng)、高分辨率8K視頻錄制和便捷的手機視頻編輯。

1β制程技術(shù)能實(shí)現比以往更低的每比特功耗，為智能手機提供了目前市場(chǎng)上最節能的內存技術(shù)。它將助力智能手機制造商推出更長(cháng)續航的設備——消費者在使用高能耗、數據密集型應用時(shí)，延長(cháng)電池續航時(shí)間將至關(guān)重要。

全新JEDEC增強型動(dòng)態(tài)電壓和頻率調節擴展核心（eDVFSC）技術(shù)使基于1β的LPDDR5X更加節能。在高達3200 Mbps^[2]的雙倍頻率層上添加eDVFSC，可改善節能控制，從而基于獨特的終端用戶(hù)模式實(shí)現更低功耗。

美光通過(guò)先進(jìn)的光刻技術(shù)和納米級制造工藝挑戰物理定律

美光領(lǐng)先業(yè)界的1β節點(diǎn)可在更小的尺寸內實(shí)現更高的內存容量，從而降低單位數據成本。DRAM的擴展性很大程度上取決于每平方毫米半導體晶圓面積上集成更多更快內存的能力，這就需要縮小電路面積，從而在指甲大小的芯片上容納數十億個(gè)內存單元。幾十年來(lái)，隨著(zhù)工藝節點(diǎn)的不斷進(jìn)步，半導體行業(yè)每年或每?jì)赡甓紩?huì )縮小器件尺寸。但隨著(zhù)芯片變得越來(lái)越小，在晶圓上定義電路圖案需要挑戰物理定律。

為了克服這些技術(shù)挑戰，半導體行業(yè)開(kāi)始使用具備極紫外光刻技術(shù)的新設備。但是，該技術(shù)仍處于發(fā)展初期。為規避技術(shù)風(fēng)險，美光采用了其成熟的尖端納米制造和光刻技術(shù)。公司憑借專(zhuān)有的先進(jìn)多重曝光技術(shù)和浸潤式光刻技術(shù)，以最高精度在微小尺寸上形成圖案?？s小器件尺寸從而提供更大容量，還將使智能手機和物聯(lián)網(wǎng)設備等外形尺寸較小的設備能夠在緊湊的空間里集成更大的內存。

為了在1β和1α節點(diǎn)取得競爭優(yōu)勢，美光在過(guò)去數年還積極提升卓越制造、工程能力和開(kāi)創(chuàng )性研發(fā)。加速創(chuàng )新使美光比競爭對手提前一年率先實(shí)現1α節點(diǎn)技術(shù)量產(chǎn)，從而在公司的歷史上首次同時(shí)確立了在DRAM和NAND領(lǐng)域的領(lǐng)導地位^[3]。多年來(lái)，美光已進(jìn)一步投資數十億美元，將晶圓廠(chǎng)打造成高度自動(dòng)化、可持續和人工智能驅動(dòng)的先進(jìn)設施。這其中包括對日本廣島工廠(chǎng)的投資，美光將在這里量產(chǎn)基于1β節點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品。

1β節點(diǎn)為無(wú)處不在的互聯(lián)和可持續世界奠定堅實(shí)基礎

隨著(zhù)機器對機器通信、人工智能和機器學(xué)習等高能耗應用興起，節能技術(shù)對企業(yè)顯得愈發(fā)重要，特別對那些希望滿(mǎn)足嚴格的可持續發(fā)展目標和降低運營(yíng)支出的企業(yè)而言更是如此。研究人員發(fā)現，訓練單個(gè)人工智能模型所產(chǎn)生的碳排放量是一輛美國汽車(chē)全生命周期（包括制造）碳排放量的五倍。此外，到2030年，信息和通信技術(shù)預計將消耗全球20%的電力。

互聯(lián)世界需要快速、無(wú)處不在、節能的內存產(chǎn)品來(lái)助推數字化、最優(yōu)化和自動(dòng)化，而美光的1β DRAM節點(diǎn)為此提供了一個(gè)全面的基礎?；?/span>1β節點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品具備高密度、低功耗特點(diǎn)，能夠在數據密集型智能設備、系統和應用程序之間實(shí)現更節能的數據流動(dòng)，并為智能邊緣和云端應用提供更強的智能特性。美光于未來(lái)的一年中將在諸如嵌入式、數據中心、客戶(hù)端、消費類(lèi)產(chǎn)品、工業(yè)和汽車(chē)等其他應用中量產(chǎn)1β節點(diǎn)，推出包括顯示內存和高帶寬內存等產(chǎn)品。

[1] 與上一代1α 節點(diǎn)對比

[2] 與支持DVFSC 的1α節點(diǎn)1600 Mbps相比

[3] 繼美光于2020年11月批量出貨行業(yè)領(lǐng)先的176層NAND之后