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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
為什么消費類(lèi)DRAM無(wú)法滿(mǎn)足工業(yè)應用需求？
- 消費類(lèi)DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類(lèi)DRAM 在工業(yè)應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類(lèi)DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險。固定BOM的重要性消費類(lèi) DRAM 模塊沒(méi)有固定的 BOM（物料清單）；這意味著(zhù)模塊中使用的材料可能會(huì )發(fā)生變化，而且經(jīng)常會(huì )在用戶(hù)未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶(hù)可能會(huì )在一月份訂購兩個(gè) DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個(gè)用于生產(chǎn)，但無(wú)法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
- 關(guān)鍵字： innodisk DRAM
美光訂價(jià)能力升 營(yíng)運露曙光
- 內存大廠(chǎng)美光即將于27日盤(pán)后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價(jià)能力提升，市場(chǎng)高度期待美光獲利進(jìn)一步改善，預期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過(guò)。由于內存大廠(chǎng)近期積極減產(chǎn)，部分市場(chǎng)需求轉強，AI服務(wù)器需求尤為強勁，致使DRAM報價(jià)逐漸改善。美光財務(wù)長(cháng)Mark Murphy先前透露，若供應鏈持續保持自制力、預測價(jià)格有望于2023年下半轉強。美光營(yíng)運有望改善，帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強，該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調美光投資評等及目標價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標價(jià)從75美元調高到
- 關(guān)鍵字： 美光 DDR5 DRAM
存儲廠(chǎng)商持續減產(chǎn)，市場(chǎng)何時(shí)迎來(lái)供需平衡？
- 受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響，存儲市場(chǎng)發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠(chǎng)陸續于去年第四季度啟動(dòng)減產(chǎn)，2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過(guò)，由于市場(chǎng)需求持續衰弱，2023年存儲市況仍未復蘇，價(jià)格不斷下跌，廠(chǎng)商業(yè)績(jì)承壓。這一背景下，部分存儲廠(chǎng)商期望通過(guò)繼續減產(chǎn)維穩價(jià)格，推動(dòng)市場(chǎng)供需平衡。近日，臺灣地區《工商時(shí)報》等媒體報道，DRAM廠(chǎng)商南亞科將跟進(jìn)大廠(chǎng)減產(chǎn)策略，調整產(chǎn)能、降低稼動(dòng)率、彈性調整產(chǎn)品組合和資本支出，根據客戶(hù)需求和市場(chǎng)變化動(dòng)態(tài)調整，以應對市場(chǎng)疲軟，預計產(chǎn)能將動(dòng)態(tài)調降20％以?xún)?。此前，全球市?chǎng)
- 關(guān)鍵字： 存儲廠(chǎng)商 DRAM TrendForce
3D DRAM 設計能否實(shí)現？
- 3D DRAM 的使用在未來(lái)或許是可能的。
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM的變數
- 一路暴跌的半導體行業(yè)在 8 月終于傳來(lái)了好消息。TrendForce 集邦咨詢(xún)研究發(fā)布最新數據，第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約 114.3 億美元，環(huán)比增長(cháng) 20.4%，終結連續三個(gè)季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風(fēng)向標，止跌是大家喜聞樂(lè )見(jiàn)的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數，又何時(shí)傳遞給整個(gè)半導體行業(yè)呢？經(jīng)歷低谷根據 TrendForce 發(fā)布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營(yíng)收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
- 關(guān)鍵字： DRAM
美光 1-gamma 制程內存預計 2025 年上半年在臺量產(chǎn)
- IT之家 9 月 4 日消息，據臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長(cháng)盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺灣生產(chǎn)，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)。據悉，美光現在只有在臺中有 EUV 的制造工廠(chǎng)，1-gamma 制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，日本廠(chǎng)未來(lái)也會(huì )導入 EUV 設備。盧東暉強調，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體（DRAM
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開(kāi)啟了大容量?jì)却鏁r(shí)代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發(fā)出實(shí)現1TB內存模組的解決方案
- 關(guān)鍵字： 三星 12納米 DDR5 DRAM
3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來(lái)架構
- 動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術(shù)進(jìn)步驅動(dòng)了DRAM的微縮，隨著(zhù)技術(shù)在節點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動(dòng)存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著(zhù)生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 泛林
DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進(jìn)展
- 高啟全是全球 DRAM 領(lǐng)域最資深的人士之一。
- 關(guān)鍵字： DRAM
三星電子 DRAM 內存和代工部門(mén)業(yè)績(jì)低迷，負責人雙雙被換
- IT之家 7 月 5 日消息，據多個(gè)韓國媒體報道，三星電子昨日突然在非常規人事季更換了代工（DS）部門(mén)和 DRAM 部門(mén)負責人，被解讀為“彌補今年上半年存儲半導體表現低迷、強化代工業(yè)務(wù)的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術(shù)開(kāi)發(fā)部門(mén)副社長(cháng)鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術(shù)負責人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時(shí)，負責存儲半導體中 DRAM 開(kāi)發(fā)的部門(mén)負責人也被更換，由原本擔任戰略營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)副社長(cháng)的黃相?。℉wang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對 HB
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM大廠(chǎng)：Q3產(chǎn)品價(jià)格可望回穩？
- 6月5日，DRAM大廠(chǎng)南亞科公布2023年5月自結合并營(yíng)收為新臺幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng )下今年新高水準。累計前5月合并營(yíng)收為新臺幣109.94億元，年減少66.42%。據中國臺灣媒體《中時(shí)新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預期第三季產(chǎn)品價(jià)格可望回穩。南亞科總經(jīng)理認為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長(cháng)率可能低于長(cháng)期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關(guān)鍵元件，未來(lái)各種消費型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠(chǎng)、智能汽車(chē)、智能家庭、智能穿戴
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce
韓媒：三星已組建開(kāi)發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM
- 5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱(chēng)，三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個(gè)開(kāi)發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線(xiàn)寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報道稱(chēng)，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節點(diǎn)的情況下，與現有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術(shù)，據說(shuō)工藝難點(diǎn)頗多。不過(guò)三星認為，與SK海力士和美
- 關(guān)鍵字： 三星 4F2結構 DRAM
不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團隊開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根據韓媒 The Elec 報道，三星組建了一支專(zhuān)業(yè)的團隊，負責開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現有的 6F2 級別，在不改變工藝節點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專(zhuān)業(yè)的團隊，研發(fā) 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉，晶體管根據電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統。在漏極（D）上方安裝一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM一季營(yíng)收環(huán)比下降21.2%，連續三個(gè)季度衰退
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續跌三個(gè)季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷(xiāo)售單價(jià)三大原廠(chǎng)均下跌。目前因供過(guò)于求尚未改善，價(jià)格依舊續跌，然而在原廠(chǎng)陸續減產(chǎn)后，DRAM下半年價(jià)格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價(jià)格跌幅仍深，預期營(yíng)收成長(cháng)幅度有限。營(yíng)收方面，三大原廠(chǎng)營(yíng)收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機備貨訂單有限，出貨量與平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）同步下跌，營(yíng)收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce
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