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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
2016 DRAM市場(chǎng)回溫優(yōu)于預期 美光贏(yíng)得外資青睞
- 繼上周日系外資提高存儲器廠(chǎng)美光(Micron)自每股16元的目標價(jià)到每股20元之后，30日另一家美系外資的最新研究報告也指出，在當前DRAM市場(chǎng)價(jià)格逐步回穩的情況下，加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉變，也將美光的目標價(jià)由原本的每股18美元，提高至每股20美元的價(jià)位。 該外資報告一開(kāi)始便提及，看好2016年以來(lái)DRAM市場(chǎng)的回溫與產(chǎn)品價(jià)格的回穩，而且實(shí)際上的表現還比當時(shí)預估的要好一些。不過(guò)，在當前許多供應商的產(chǎn)能不足的情況下，2017年DRAM的供應依舊是吃緊的。尤其，是在3D NAND閃存
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
美大學(xué)突破相變化存儲器技術(shù) 速度較DRAM快逾千倍
- 在全球持續突破存儲器運行速度的努力進(jìn)程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時(shí)間從事研發(fā)，最新則是美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破，據稱(chēng)可讓PCM的運行速度較傳統DRAM快上逾1,000倍以上。 據Techspot網(wǎng)站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結晶態(tài)及高阻抗的非結晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)，雖然此技術(shù)在現今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
中國投千億美元發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè) 這不是花錢(qián)就能解決的問(wèn)題
- 8月27日消息，中國目前大力推動(dòng)國內芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，目標是在將來(lái)成為全球電腦芯片制造業(yè)的領(lǐng)軍者。這一宏偉計劃似乎遇到了難以逾越的障礙。 在2014年，中國就宣布將投資1000億美元以發(fā)展芯片設計和制造產(chǎn)業(yè)，以期在未來(lái)占據行業(yè)頭把交椅。大筆資金已經(jīng)投入了新制造工廠(chǎng)的修建之中。但貝恩管理咨詢(xún)公司(Bain & Company )的最新分析顯示，中國僅僅依靠這1000億美元的投資是無(wú)法保證自己在芯片行業(yè)取得領(lǐng)先的。 中國國有芯片制造企業(yè)XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)正大舉興建用于加
- 關(guān)鍵字： 芯片 DRAM
三星承包Q2全球61.5%移動(dòng)DRAM市場(chǎng)
- 韓聯(lián)社首爾8月17日電 據半導體市場(chǎng)調研機構DRAMeXchange消息，三星電子2016年第二季移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)的銷(xiāo)售額同比增長(cháng)19.4%至24.18億美元，全球市場(chǎng)占有率升至61.5%，創(chuàng )下移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額單獨統計以來(lái)的歷史最高紀錄。 三星2015年后三季度的移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額均未突破60%關(guān)口，分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后，第二季又提升1.1個(gè)百分點(diǎn)。三星移動(dòng)DRAM的市場(chǎng)份額更是比DRAM市場(chǎng)份額(47.4%)高出14.1個(gè)百分點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
全球DRAM總營(yíng)收 研調機構估第3季將較顯著(zhù)成長(cháng)
- DRAMeXchange最新報告指出，中國地區的智慧型手機出貨依然強勁，DRAM三大廠(chǎng)同步調整產(chǎn)品類(lèi)別，持續向行動(dòng)式記憶體轉進(jìn)，伴隨第3季強勁的旺季備貨需求到來(lái)，預估第3季全球DRAM總營(yíng)收將出現較顯著(zhù)的成長(cháng)。 DRAMeXchange表示，因市況供過(guò)于求，第2季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%，但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給成長(cháng)，使得第2季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季成長(cháng)6.3%。 三星在第2季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收仍排行第一，營(yíng)收季
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
Q2全球DRAM總營(yíng)收91億美元臺廠(chǎng)華邦電表現最佳
- TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過(guò)于求，第2季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%，但受惠美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給成長(cháng)，第2季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季成長(cháng)6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠(chǎng)營(yíng)收都成長(cháng)，臺廠(chǎng)部分，以華邦電( 2344-TW )營(yíng)收季增3.3%表現最佳。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第2季筆記型電腦及伺服器相關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現一般，但中國地區的智慧型手
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM拖累全球IC銷(xiāo)售額下降2%
- 按IC Insight的最新IC市場(chǎng)觀(guān)察報告，2016年因供過(guò)于求，導致全球DRAM的平均售價(jià)(ASP)下降16%，導致全球IC銷(xiāo)售額下降2%。 由于PC，筆記本，及平板電腦，包括智能手機等的出貨量減少，今年全球DRAM銷(xiāo)售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏，由2014年的3.16美元高點(diǎn)，到2012年時(shí)的1.69美元。 IC Insight認為，一組DRAM的ASP曲線(xiàn)，從2007年開(kāi)始象飛機飛過(guò)山谷時(shí)一樣的起伏。預計在服務(wù)器及新智能手機等市場(chǎng)需求推動(dòng)
- 關(guān)鍵字： DRAM
第二季全球DRAM總營(yíng)收成長(cháng)6.3%
- 受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給成長(cháng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季成長(cháng)6.3%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過(guò)于求，第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)持續下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而，受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給成長(cháng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季成長(cháng)6.3%。 DRAMe
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(cháng)6.3%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新報告顯示，由于市況供過(guò)于求，第二季DRAM的平均銷(xiāo)售單 價(jià)持續下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給增長(cháng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億 美元，季增長(cháng)6.3%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現一般，但中國地區的智能手機出貨依然強勁，因此DRAM三大廠(chǎng)也同步調整產(chǎn)品類(lèi)別，持續向行動(dòng)式內存
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線(xiàn)項目
- 全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴T(mén)oppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠(chǎng)的下一階段投資計劃;該廠(chǎng)由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營(yíng)。TPI將對此工廠(chǎng)再投資8000萬(wàn)美元以展現其對中國快速成長(cháng)的半導體產(chǎn)業(yè)及客戶(hù)之長(cháng)期承諾。TPI先前已投資2000萬(wàn)美元擴建上海二廠(chǎng)(TPCS Shanghai II);該廠(chǎng)現已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠(chǎng)。
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
NAND快閃記憶體價(jià)格上漲 創(chuàng )見(jiàn)威剛笑開(kāi)懷
- NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售熱絡(luò )，加上智能手機搭載容量提高，帶動(dòng)近月價(jià)格持續上漲，創(chuàng )見(jiàn)、威剛等模組廠(chǎng)營(yíng)運受惠，市場(chǎng)預期蘋(píng)果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續漲力道。 市場(chǎng)指出，上半年非蘋(píng)陣營(yíng)智能手機產(chǎn)品銷(xiāo)售強勁，產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增，加上6月三星西安廠(chǎng)因變電廠(chǎng)爆炸導致停工，帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲，主流產(chǎn)品在1個(gè)月內漲幅超過(guò)2成。 市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠(chǎng)營(yíng)運增溫，創(chuàng )見(jiàn)表示，在漲價(jià)預期心理帶動(dòng)下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
中國首座DRAM廠(chǎng)動(dòng)工，三星、海力士冒冷汗
- 韓國經(jīng)濟日報周二報導，國營(yíng)福建晉華積體電路公司(音譯：Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來(lái)自聯(lián)電(2303)技術(shù)的加持下，已著(zhù)手建造半導體廠(chǎng)，將藉此切入DRAM市場(chǎng)。 來(lái)自產(chǎn)業(yè)內的訊息指出，福建晉華上周六已在晉江市，舉行DRAM廠(chǎng)破土動(dòng)工儀式，第一期工程投資規模預估來(lái)到370億人民幣，或相當于55億美元，2018年投產(chǎn)后每月可產(chǎn)出6萬(wàn)片晶圓(32奈米)。 據報導，福建晉華將獲得聯(lián)電技術(shù)支援，且全球晶圓代工龍頭臺積電(2330)傳也有參與投資，但未獲
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
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