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威剛陳立白談DRAM:臺塑贏(yíng) 臺灣就贏(yíng)

  •   DRAM大廠(chǎng)華亞科(3474)董事長(cháng)高啟全即將至中國紫光集團出任全球副總裁職務(wù),在中國發(fā)展半導體腳步積極下,牽動(dòng)全球DRAM三大陣營(yíng)三星、SK海力士及美光的勢力消長(cháng)。   對此,記憶體模組大廠(chǎng)威剛(3260)董事長(cháng)陳立白表示,兩岸在半導體都不是最大競爭對手,最大競爭對手都是韓國,以半導體而言,目前兩岸都還有合作的機會(huì ),合作會(huì )大于競爭,誰(shuí)不可能跟臺灣合作,就是韓國,兩岸現在都還有互補機會(huì ),因此,樂(lè )見(jiàn)高啟全未來(lái)扮演籌組臺美中抗韓大聯(lián)盟的角色。   對高被挖角,他表示,站在客觀(guān)立場(chǎng),臺灣不可能擋住紅色供
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三星DRAM全球份額再創(chuàng )歷史新高,美光遠遠落后

  •   南韓科技巨擘三星 DRAM 市占率再創(chuàng )新高,再加上同胞兄弟 SK 海力士的份額,兩家南韓公司已壟占全球超過(guò)八成的 DRAM 市場(chǎng)。        據市調機構 IHS 統計,三星第二季 DRAM 市占率來(lái)到 45.2%,較前季成長(cháng) 1.1 個(gè)百分點(diǎn),且刷新 2011 年所寫(xiě)下 45% 的紀錄。自去年第三季以來(lái),三星 DRAM 市占率每季都在 4 成以上。   業(yè)界人士認為三星在 20 奈米制程技術(shù)的硬實(shí)力,全球無(wú)人能敵,是三星得以在 DRAM 半導體業(yè)務(wù)上取勝的重要因素,且短期之內
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三星DRAM全球份額再創(chuàng )歷史新高,美光遠遠落后

  •   南韓科技巨擘三星 DRAM 市占率再創(chuàng )新高,再加上同胞兄弟 SK 海力士的份額,兩家南韓公司已壟占全球超過(guò)八成的 DRAM 市場(chǎng)。        據市調機構 IHS 統計,三星第二季 DRAM 市占率來(lái)到 45.2%,較前季成長(cháng) 1.1 個(gè)百分點(diǎn),且刷新 2011 年所寫(xiě)下 45% 的紀錄。自去年第三季以來(lái),三星 DRAM 市占率每季都在 4 成以上。   業(yè)界人士認為三星在 20 奈米制程技術(shù)的硬實(shí)力,全球無(wú)人能敵,是三星得以在 DRAM 半導體業(yè)務(wù)上取勝的重要因素,且短期之內
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大陸供應鏈進(jìn)逼臺灣芯片廠(chǎng)整并應戰

  •   中國大陸紅色供應鏈威脅有增無(wú)減,IC設計業(yè)者表示,整并壯大自己,是因應對策之一,只是缺乏高級管理人才,將是當前整并發(fā)展趨勢下,臺灣可能面臨的最大問(wèn)題。   中國大陸政府強力扶植半導體產(chǎn)業(yè),近年來(lái)中國大陸企業(yè)采取挖角與并購并進(jìn)策略,期能加速半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。   南亞科總經(jīng)理高啟全日前退休,并傳將加入中國大陸紫光集團,負責半導體儲存業(yè)務(wù),為國內動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM),甚至是半導體業(yè)拋下震撼彈。   業(yè)界憂(yōu)心,高啟全若真跳槽紫光集團,在他過(guò)去多年與美光協(xié)商合作經(jīng)驗下,有助促成紫光集團與美光合作
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四強投資動(dòng)作暗潮洶涌 欲爭奪3D NAND市場(chǎng)

  •   盡管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態(tài),然近期各廠(chǎng)投資動(dòng)作頻頻,包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash,紛投資建廠(chǎng)或以既有生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行轉換,SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠(chǎng)生產(chǎn)3D NAND Flash,業(yè)界預期未來(lái)3~4年內存儲器產(chǎn)業(yè)既有平衡競局恐將被打破。   半導體業(yè)者表示,3D NAND技術(shù)是未來(lái)存儲器產(chǎn)品主流,然技術(shù)層次及難度十分高,目前在制程良率上仍面臨許多挑戰,預計2016年真正
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臺灣DRAM教父投奔紫光的三個(gè)關(guān)鍵理由

  • 紅色供應鏈給臺企帶來(lái)了巨大壓力,市場(chǎng)萎縮,人才流失,再也損失不起了。
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南亞科:大陸DRAM追臺 至少三年

  •   南亞科董事長(cháng)吳嘉昭昨(6)日表示,雖然中國在DRAM產(chǎn)業(yè)急起直追,但至少還要花三年才能追上臺灣。對于前總座高啟全退休前往中國紫光集團發(fā)展,想要創(chuàng )造中美臺合作空間,南亞科新任總經(jīng)理李培瑛說(shuō),一切仍有不確定性,公司目前尚無(wú)實(shí)質(zhì)作法。        南亞科昨天舉行臨時(shí)董事會(huì ),通過(guò)高啟全退休案,但仍擔任南亞科董事,并決議即日起由資深副總李培瑛接任總經(jīng)理。   吳嘉昭透露,高啟全是在9月18日提出申請退休,對于他的離開(kāi)感到惋惜,雖然不清楚高的詳細生涯規畫(huà),但仍給予祝福。   此外,高啟全
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京東方攜手爾必達前社長(cháng)斗法紫光DRAM

  • 臺灣過(guò)去數十年培養出來(lái)的半導體人才,現在一個(gè)一個(gè)往大陸跑,臺企離沒(méi)落不遠了。
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MIC:明年全球半導體衰退1%

  •   資策會(huì )產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)報告指出,受到新興市場(chǎng)智慧型手機晶片價(jià)格快速下滑及需求不佳影響,預估明年全球半導體市場(chǎng)成長(cháng)率較今年衰退1%,臺灣半 導體產(chǎn)業(yè)在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩之下,明年產(chǎn)值將達2.2兆元微幅年增2.2%。   資策會(huì )MIC資深產(chǎn)業(yè)分析師施雅茹表示,今年臺灣半導體 產(chǎn)業(yè)表現不如全球,主要受DRAM與IC設計產(chǎn)值下滑影響,估算今年臺灣IC設計產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值約4,971億元新臺幣,年減6%,DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2,325 億元,年減13%;預估明年可望在DRAM產(chǎn)值跌幅趨緩,以及晶圓代工、IC封測
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全球12吋晶圓產(chǎn)線(xiàn)續增 18吋晶圓之路漸行漸遠

  •   由于12吋晶圓持續擴大應用至非存儲器領(lǐng)域,使得全球12吋晶圓生產(chǎn)線(xiàn)持續增加,2015年已超過(guò)90條產(chǎn)線(xiàn),較5年前增加約20條產(chǎn)線(xiàn),且預計未來(lái)4年將再增加近20條產(chǎn)線(xiàn),相較之下,18吋晶圓商用化時(shí)程則會(huì )再往后延緩,業(yè)界預期2020年之前將不會(huì )有采用18吋晶圓進(jìn)行大量生產(chǎn)的產(chǎn)線(xiàn)。   12吋晶圓除應用在DRAM和NANDFlash等需要大量生產(chǎn)的存儲器芯片,亦持續擴大使用在非存儲器產(chǎn)品,包括電源管理芯片、影像感測器等,甚至用來(lái)制造邏輯芯片、微型元件IC等,且為因應市場(chǎng)需求,將芯片產(chǎn)量最大化,半導體廠(chǎng)在1
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三星DRAM報價(jià)下調20% 華亞科/南亞科下季營(yíng)收不樂(lè )觀(guān)

  •   全球DRAM大廠(chǎng)三星昨天傳出下調DRAM報價(jià),調降幅度20%。此舉預告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現一波修正期,DRAM大廠(chǎng)華亞科和南亞科第四季營(yíng)收恐不如預期。   繼臺積電前天無(wú)預警下修第四季財測,市場(chǎng)消息傳出,全球DRAM市占率達四成的三星,將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元,換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。   8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右,并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉進(jìn)高階智慧型手機使用的LP DDR4。   隨今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續走低,市場(chǎng)需
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DRAM報價(jià) 傳出三星調降20%

  •   全球DRAM大廠(chǎng)三星昨天傳出下調DRAM報價(jià),調降幅度20%。此舉預告DRAM產(chǎn)業(yè)將在第四季出現一波修正期,國內DRAM大廠(chǎng)華亞科和南亞科第四季營(yíng)收恐不如預期。   繼臺積電前天無(wú)預警下修第四季財測,市場(chǎng)消息傳出,全球DRAM市占率達四成的三星,將DRAM模組價(jià)格從21美元降至16.8美元,換算每顆粒DRAM價(jià)格僅剩1.8美元。   8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價(jià)格在21美元左右,并將部分PC DRAM產(chǎn)能轉進(jìn)高階智慧型手機使用的LP DDR4。   隨今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續走低,市
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PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較

  •   PROM、EEPROM、FLASH的總結性區別   EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結構。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中,充入的電子只能用紫外線(xiàn)的能量來(lái)激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個(gè)附加的Transister組成,由于FLOTOX的特性及兩管結構,所以可以單元讀/寫(xiě)。技術(shù)上,FLASH是結合EPROM和EEPRO
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18吋晶圓技術(shù)成本過(guò)高 12吋將續為業(yè)者主力

  •   雖然較大尺寸晶圓的生產(chǎn)材料和技術(shù)成本高于小尺寸晶圓,但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片,因此經(jīng)驗顯示,就每單位芯片成本而言,大尺寸晶圓技術(shù)至少會(huì )比小尺寸晶圓降低20%。   然而在實(shí)務(wù)上,要采用大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù),業(yè)者必須要先行投入大筆經(jīng)費。因此在資金和技術(shù)的障礙下,各業(yè)者往往會(huì )采用將現有技術(shù)進(jìn)行效率最大化的方式進(jìn)行生產(chǎn),而不是對新開(kāi)發(fā)的大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行投資。   以最新18吋(450mm)晶圓生產(chǎn)技術(shù)的采用為例,就正處于這樣一種狀況下。根據調研機構ICInsights最新公布的2015~2
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大陸景氣低迷 韓國存儲器廠(chǎng)前景恐難卜

  •   雖然大陸景氣疲軟,2015年韓國存儲器廠(chǎng)的業(yè)績(jì)展望相對明朗。然大陸智能型手機需求縮減,2016年移動(dòng)DRAM價(jià)格可能下滑,2016年前景反而不透明。   據ET News報導,全球排名前一、二名的DRAM制造廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績(jì)可能會(huì )與當初預期相近,或小幅提升。近來(lái)大陸景氣迅速萎縮,但對下半年暫時(shí)不會(huì )有太大影響。   三星下半年IT及移動(dòng)裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績(jì)可能下滑,但半導體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲器和系統晶
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  
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