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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
SK 海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開(kāi)始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開(kāi)發(fā)完成后，SK 海力士將繼續研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開(kāi)發(fā)代號設為 Alius，已準備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認證。 半導體認證通常需將過(guò)工程試樣(Engineering sample)與客戶(hù)端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過(guò)客戶(hù)測試后，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)才算完成。據報
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美光重心押注臺灣 3D DRAM封測廠(chǎng)和華亞科擴建案投資達千億
- 美光全數收購華亞科股權，華亞科并于6日下市，美光定于12日舉行華亞科加入美光典儀，并將宣布在中國臺灣地區擴大投資案，包括3D DRAM封測廠(chǎng)和華亞科擴建案，估計總投資金額上看千億元新臺幣。 美光已網(wǎng)羅前艾克爾總經(jīng)理梁明成出任負責美光存儲器后段封測廠(chǎng)投資案，12日華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執行長(cháng)鄧肯(Mark Durcan)將親自主持，預料將同步宣布相關(guān)人事及擴大在臺投資布局。 這也是美光繼在大陸西安廠(chǎng)之后，在海外最大手筆的封測投資計劃，美光也借由邀請包括臺灣桃園市長(cháng)鄭文燦及經(jīng)濟部長(cháng)等相
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美光計劃擴大3D DRAM封測廠(chǎng)和華亞科擴建案
- 繼以一千三百億元新臺幣收購華亞科股權后，美光決定擴大在臺投資，計劃在中科興建美光在海外首座3D架構的存儲器封測廠(chǎng)，并網(wǎng)羅前艾克爾(Amkor)總經(jīng)理梁明成出任這項業(yè)務(wù)臺灣區總經(jīng)理，新投資計劃預定十二日宣布。 梁明成四日證實(shí)已于十月底離開(kāi)艾克爾，但因美光還未正式對布發(fā)布人事，他低調表示還在休息，詳細職務(wù)等美光宣布。 據了解，美光收購華亞科股權案已進(jìn)入尾聲，華亞科已于十一月卅日停止交易，美光預定十二日舉辦華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執行長(cháng)鄧肯(Mark Duncan)將再度親自抵臺主持，預料
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三星內存霸占手機：市場(chǎng)份額創(chuàng )紀錄
- 市調機構DRAMeXchange的最新數據顯示，2016年第三季度的全球移動(dòng)DRAM內存市場(chǎng)上，三星電子的份額已經(jīng)達到創(chuàng )紀錄的64.5%，比此前季度提高了3.0個(gè)百分點(diǎn)。 當季，三星移動(dòng)內存業(yè)務(wù)收入達29.6億美元(約合人民幣205億元)，環(huán)比大漲22.4%。 作為三星的頭號對手，SK海力士的份額從25.1%下降到了22.8%，基本上只有三星1/3的規模，不過(guò)兩家合計已經(jīng)占到了87.3%。 美光位列第三，但形勢也不太好，跌落到10.6%。臺灣南亞有所上升，但也不過(guò)1.3%。 上
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第三季移動(dòng)DRAM內存產(chǎn)值季增16.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，受惠于全球智能手機進(jìn)入傳統備貨旺季，加上各DRAM產(chǎn)品價(jià)格同步上揚，第三季行動(dòng)式內存總產(chǎn)值達45.88億美元，季成長(cháng)約16.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋(píng)果iPhone 7與三星Note 7旗艦機型發(fā)布，讓全球行動(dòng)式內存出貨大增，縱使Note 7受爆炸影響于第四季宣布停產(chǎn)，先前的備料動(dòng)作已為第三季行動(dòng)式內存的營(yíng)收做出貢獻。 以三大DRAM廠(chǎng)行動(dòng)式內存營(yíng)收市占來(lái)
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兆易創(chuàng )新即將與ISSI整并 成國產(chǎn)DRAM新?lián)敚?/a>
- 中國發(fā)展半導體在存儲始終無(wú)法取得突破性進(jìn)展，現在有關(guān)廠(chǎng)商團隊都積極動(dòng)起來(lái)，近來(lái)相關(guān)整并、建廠(chǎng)消息一樁接一樁。早前曾報導過(guò)，中國NOR Flash廠(chǎng)商兆易創(chuàng )新(Gigadevice)可能與武岳峰等中國基金所收購的美國DRAM廠(chǎng)ISSI合并，從9月中停牌迄今的兆易創(chuàng )新19日再發(fā)出持續停牌公告，并正式揭露了即將與ISSI整并的消息! 19 日上海交易所上市的兆易創(chuàng )新再發(fā)停牌公告，以正在籌劃重大事項為由，即日起將持續停牌，今年9 月中開(kāi)始兆易創(chuàng )新即以重大資產(chǎn)重組為由停牌多時(shí)，此次，兆易創(chuàng )新也正式揭露了原
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TrendForce：價(jià)格漲勢不停，第三季DRAM總營(yíng)收大幅季成長(cháng)15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長(cháng)，及內存搭載量不斷攀升，第二季開(kāi)始DRAM原廠(chǎng)逐步降低標準型內存的產(chǎn)出，轉為行動(dòng)式內存與服務(wù)器用內存。在供應逐漸吃緊下，第三季開(kāi)始標準型內存價(jià)格呈上漲走勢，同時(shí)帶動(dòng)其他類(lèi)別內存的價(jià)格上揚。使得第三季全球DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(cháng)約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋(píng)果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來(lái)于第四
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
價(jià)格漲勢不停，第三季DRAM總營(yíng)收大幅季成長(cháng)15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長(cháng)，及內存搭載量不斷攀升，第二季開(kāi)始DRAM原廠(chǎng)逐步降低標準型內存的產(chǎn)出，轉為行動(dòng)式內存與服務(wù)器用內存。在供應逐漸吃緊下，第三季開(kāi)始標準型內存價(jià)格呈上漲走勢，同時(shí)帶動(dòng)其他類(lèi)別內存的價(jià)格上揚。使得第三季全球DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(cháng)約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋(píng)果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來(lái)于第四
- 關(guān)鍵字： DRAM 南亞科
DRAM戰國時(shí)代 長(cháng)江存儲、聯(lián)電、合肥長(cháng)芯三大勢力將對決
- 近期大陸三股勢力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導權大戰，長(cháng)江存儲傳已評估到南京設立12寸廠(chǎng)，聯(lián)電大陸DRAM廠(chǎng)福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠(chǎng)同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng )新(GigaDevice)合作的合肥長(cháng)芯，由前中芯國際執行長(cháng)王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。 盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現，長(cháng)江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，由
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SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域將目標訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長(cháng)金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來(lái)市場(chǎng)需求開(kāi)始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域將目標訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長(cháng)金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來(lái)市場(chǎng)需求開(kāi)始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
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賽普拉斯率先推出采用低引腳數MCP封裝的串行存儲器解決方案，實(shí)現汽車(chē)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用的瞬時(shí)啟動(dòng)
- 賽普拉斯半導體公司今日宣布其一款用于支持瞬時(shí)啟動(dòng)應用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個(gè)低引腳數封裝內結合了用于實(shí)現快速啟動(dòng)和隨開(kāi)隨用高速NOR閃存，和用于擴展便箋式存儲器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設計。 該解決方案可用于廣泛的應用類(lèi)別，包括
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 DRAM
三星2Q'17起或將全面采20納米制程生產(chǎn)移動(dòng)DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開(kāi)始，將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動(dòng)DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動(dòng)DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進(jìn)。 韓聯(lián)社等外媒報導，根據市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange指出，據信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動(dòng)DRAM芯片中，約94%已開(kāi)始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。 到目前三星移動(dòng)DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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lpddr5x dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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