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DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠(chǎng)喊缺
- 臺灣兩大存儲器模組廠(chǎng)威剛與創(chuàng )見(jiàn)一致認為，動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器( DRAM )將持續缺貨。威剛預期，DRAM缺貨情況可能延續到明年。 威剛指出，全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，帶動(dòng)云端基礎設備及服務(wù)規模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長(cháng)。 只是全球DRAM大廠(chǎng)近年都專(zhuān)注于制程改良，并未就新增產(chǎn)能進(jìn)行巨額投資，威剛表示，這使得今年來(lái)全球DRAM缺貨問(wèn)題不斷延燒。 創(chuàng )見(jiàn)預期，第4季DRAM市場(chǎng)仍將持續供不應求，產(chǎn)品價(jià)格也將維持高檔。 威剛更指出，韓系DRAM大廠(chǎng)已預告明年第1
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM核心設計的新舊存取技術(shù)差異
- 本文討論不同的存取技術(shù)對于DRAM在進(jìn)行實(shí)體設計時(shí)所發(fā)生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位… 不同的存取技術(shù)對于動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)在進(jìn)行實(shí)體設計時(shí)將發(fā)生什么改變?當動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點(diǎn)以及數據端點(diǎn)后，就被稱(chēng)為1T1C DRAM單元;其中，控制端點(diǎn)也就是字組線(xiàn)(WL)，用于傳遞位址訊號，數據端點(diǎn)也就是位元線(xiàn)(BL)，用于傳遞數據值。 陣列結
- 關(guān)鍵字： DRAM
蘋(píng)果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續漲5%
- 由于蘋(píng)果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠(chǎng)第四季行動(dòng)式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續缺貨，第四季合約價(jià)順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續漲5%已有高度共識，法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開(kāi)出，6日公告10月合并營(yíng)收月增9.2%達新臺幣50.72億元，創(chuàng )下單月?tīng)I收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月?tīng)I收，但法人樂(lè )觀(guān)預估華邦電營(yíng)收將介于新臺幣4
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 DRAM
三星擴產(chǎn)留一手 DRAM缺貨到明年
- 包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠(chǎng)近2年來(lái)產(chǎn)能擴張幅度有限，加上20納米以下先進(jìn)制程轉換難度提高，DRAM位元供給成長(cháng)明顯較往年放緩。但由需求面來(lái)看，智慧型手機搭載容量快速增加，物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)電子的需求亦進(jìn)入倍數成長(cháng)階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價(jià)格由去年下半年一路漲到今年底，累計漲幅已將超過(guò)1倍。 以4GBDDR4模組合約價(jià)來(lái)看，去年第3季平均價(jià)格僅13美元，但今年第4季價(jià)格已大漲至30.5美元，不僅價(jià)格已連續6季度調漲，累計漲幅亦超過(guò)1.3倍。想當然爾，DRAM價(jià)格大漲也明顯
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
蘋(píng)果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續漲5％
- 由于蘋(píng)果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠(chǎng)第四季移動(dòng)式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續缺貨，第四季合約價(jià)順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續漲5%已有高度共識，法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開(kāi)出，昨(6)日公告10月合并營(yíng)收月增9.2%達50.72億元，創(chuàng )下單月?tīng)I收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月?tīng)I收，但法人樂(lè )觀(guān)預估華邦電營(yíng)收將介于43～4
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲器
DRAM風(fēng)云錄，國產(chǎn)廠(chǎng)商也要入局
- 三星、SK海力士和鎂光，這三家大佬目前占據了市場(chǎng)上95%的份額，現在國產(chǎn)存儲研發(fā)成功，但是良率能否提升、量產(chǎn)能否實(shí)現，也仍然存在較大不確定性，從研發(fā)成功至量產(chǎn)并形成銷(xiāo)售需要長(cháng)達幾年時(shí)間。
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM供不應求短期難解 三星計劃下季再調漲報價(jià)3~5%
- DRAM供不應求短期難解，全球DRAM制造龍頭韓國三星半導體通知渠道商，計劃明年第1季再調漲DRAM報價(jià)，漲幅3~5%，其中以行動(dòng)式DRAM漲幅較大，這也說(shuō)明三星在采取節制性增產(chǎn)下，仍不愿放棄持續拉升DRAM獲利，推升集團獲利表現，有助破除讓近期市場(chǎng)擔心三星可能會(huì )擴產(chǎn)，打亂DRAM產(chǎn)業(yè)秩序的疑慮。 中國臺灣地區DRAM大廠(chǎng)也強調，目前主要大廠(chǎng)包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級制程作為提高DRAM產(chǎn)出的主要方向，預料即使三星調升部分產(chǎn)線(xiàn)，增加的DRAM產(chǎn)出仍無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，預料明年DRAM還
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
從Gartner預測全球半導體市場(chǎng)強增長(cháng)看行業(yè)投資線(xiàn)索
- 知名信息技術(shù)研究和分析公司Gartner發(fā)布預測，2017年全球半導體市場(chǎng)總營(yíng)收將達到4111億美元，較2016年增長(cháng)19.7%。這是繼2010年從金融危機中復蘇且全球半導體營(yíng)收增加31.8%之后，增長(cháng)最為強勁的一次。根據Gartner統計及預測，全球半導體市場(chǎng)總營(yíng)收在2014年~2016年的這3年間，規模在3400億美元左右。但2017年因為內存價(jià)格逐季大漲，帶動(dòng)半導體市場(chǎng)出現強勁增長(cháng)，這也是半導體市場(chǎng)年度總營(yíng)收首度超過(guò)4000億美元大關(guān)。 Gartner研究總監Jon Erensen表示，以
- 關(guān)鍵字： DRAM 高通
國內芯片廠(chǎng)商砸180億造內存 不再看國外臉色！
- 去年雙11時(shí)，一條8G DDR4 2400hz的內存僅在300元左右，轉眼1年過(guò)去了，價(jià)格已經(jīng)飆升至900元，也就是說(shuō)兩條8GB的內存足以購買(mǎi)一塊中端顯卡了，這樣的價(jià)格很多年沒(méi)有看到過(guò)了，也導致了許多想更換內存的朋友望而生畏。 其實(shí)內存主要上漲的原因就是內存的上游原料DRAM顆粒在近1年以來(lái)瘋狂的上漲，其漲幅到達了111%，原材料的上漲導致內存成本飆升。另一方面由于2016年時(shí)電腦市場(chǎng)內存飽和，許多DRAM顆粒制作廠(chǎng)商紛紛把銷(xiāo)售方向轉向了手機，因為手機在不斷的推出新產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 芯片 DRAM
三星考慮明年擴大DRAM產(chǎn)能，恐改變目前供給緊俏格局
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，由于DRAM廠(chǎng)近兩年來(lái)產(chǎn)能擴張幅度有限，加上制程轉換的難度，DRAM供給成長(cháng)明顯較往年放緩，配合著(zhù)下半年終端市場(chǎng)消費旺季的推波助瀾，DRAM合約價(jià)自2016年中開(kāi)啟漲價(jià)序幕。然而，三星傳出在考慮提高競爭者進(jìn)入門(mén)檻的情況下，可能將擴大DRAM產(chǎn)能，恐將改變DRAM供給緊俏格局。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標準型內存模組(DDR4 4GB)合約價(jià)為例，從去年中開(kāi)始起漲，由當時(shí)的DDR4 4GB 13美元均價(jià)拉升至今年
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
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