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Intel、NVIDIA爭執GPU通用計算效率

  •   Intel、NVIDIA有關(guān)CPU、GPU孰優(yōu)孰劣的爭執已經(jīng)來(lái)來(lái)回回了很長(cháng)時(shí)間,最新的爭論焦點(diǎn)是GPU通用計算加速的效率到底有多高。在法國圣馬洛舉行的計算機架構國際研討會(huì )上,Intel的十二位研究人員聯(lián)合提 交了一份論文,通過(guò)對比處理器、顯卡的實(shí)際效率,指出GPU通用計算加速并沒(méi)有宣傳得那么神乎其神。   Intel在論文中表示,他們對一系列重要的吞吐計算內核進(jìn)行分析后發(fā)現,其中很多都支持并行運算,非常適合多核心CPU或者GPU,但是過(guò)去幾年 來(lái),有很多研究聲稱(chēng)GPU運行這些內核的速度可以達到多核心
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Intel移動(dòng)處理器全線(xiàn)推新 45nm四核32nm雙核各三款

  •   Intel今天悄然推出了六款移動(dòng)處理器,其中三款屬于45nm工藝四核心,三款屬于 32nm工藝雙核心。不幸的是,由于缺乏競爭等因素,相對應的舊型號無(wú)一降價(jià)。45nm Nehalem Clarksfield四核心家族方面,此番新增的最高端型號是至尊版“Core i7-940XM Extreme Edition”,主頻相比原有的i7-920XM提升到2.13GHz,Turbo Boost動(dòng)態(tài)加速最高3.33GHz,其他規格不變:三級緩存8MB,熱設計功耗55W,支持超線(xiàn)程技術(shù)(邏輯
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Intel繼續提高緩存密度 FBC有望取代SRAM

  •   由于架構方面的需要,Intel處理器通常都配備有大容量緩存,比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二級緩存、雙核心Itanium曾有24MB三級緩存?,F在,Intel又準備繼續提高緩存密度了,而且有意使用新的緩存類(lèi) 型。2010年度超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )即將于下月5-7日舉行,Intel將會(huì )通過(guò)兩個(gè)主題演講,介紹他們在處理器緩存技術(shù)上的最新研究成果,特 別是有望取代現有SRAM的“浮體單元”(Floating Body Cell/FBC)。   SRAM和eSRAM
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半導體制造:又逢更新?lián)Q代時(shí)

  • 本文結合多方視角,詳細探討最新的半導體工藝技術(shù)發(fā)展,相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈各方對新工藝的應用情況及客觀(guān)評價(jià)。
  • 關(guān)鍵字: 半導體制造  28nm  Foundry  HKMG  201006  

Intel計劃火速上馬Sandy Bridge系列處理器

  •   Intel最近快速上馬32nm制程Nehalem/Westmere處理器的舉動(dòng)在外人看來(lái)多少有點(diǎn)激進(jìn)之嫌,這家公司一推出的這種新產(chǎn)品涵蓋了不同性 能檔次,從價(jià)位上看也是高低齊發(fā)。不過(guò)據接近Intel的人士透露,Intel計劃快上加快,在推出 Sandy Bridge處理器系列產(chǎn)品同樣采取迅速上馬的策略。   根據之前的消息顯示,Intel公司計劃于今年第四季度開(kāi)始批量發(fā)貨Sandy Bridge系列處理器,并計劃于明年第一季度正式推出該系列處理器產(chǎn)品。按照他們的計劃,今年第四季度Intel計劃售出大
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Intel展示新材料 極紫外光刻走向實(shí)用

  •   新式半導體光刻技術(shù)中,極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一,不過(guò)其實(shí)現難度也相當高,從上世紀八十年代開(kāi)始探尋至今已經(jīng)將近三十年, 仍然未能投入實(shí)用。極紫外光刻面臨的關(guān)鍵挑戰之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist),也就是用來(lái)在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對極紫外輻射 非常敏感,這樣才能刻出圖案,但同時(shí)又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。   Intel公司內部一直在用微曝光設備(MET)對各種不同材料進(jìn)行試驗和評估,目的就是尋找一種能夠同時(shí)滿(mǎn)足高敏感度、高分辨率、低
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Intel:這個(gè)世界還需要安騰

  •   Intel表示,雖然安騰(Itanium)、至強(Xeon)兩種處理器之間的性能、功能和特性差異越來(lái)越小,但特定客戶(hù)仍然需要IA64架構的 安騰,Intel也不會(huì )徹底放棄它。本月初,Intel宣布了首款基于超多核心架構(MIC)的處理器 “Knights Corner”,將采用22nm工藝制造,集成50多個(gè)核心,專(zhuān)為高性能計算(HPC)加速而設計,而在三月中旬的時(shí)候,Intel Xeon 7500系列處理器不 但帶來(lái)了八核心,還支持高可靠性、高可用性、高服務(wù)性(RAS),對應的
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英特爾Moorestown智能手機芯片將不支持Windows

  •   英特爾包含Atom Z600系統芯片的“Moorestown”平臺是英特爾進(jìn)入智能手機市場(chǎng)的最新舉措。這個(gè)平臺基本上是在A(yíng)tom處理器產(chǎn)品線(xiàn)中使用的一種瘦身版本的 x86架構,盡管它在功率效率方面還比不上ARM處理器。不過(guò),英特爾在今年的Computex展會(huì )上仍然努力地在一些原型產(chǎn)品中使用這個(gè)平臺。   考慮到英特爾與微軟之間的長(cháng)期合作關(guān)系,人們以為英特爾的這些芯片將成為微軟進(jìn)入智能手機市場(chǎng)的一個(gè)途徑。然而,這種事情沒(méi)有發(fā)生。雖然 Atom Z600是x86芯片,但是,這種芯
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Intel支持USB3.0功能的主板芯片組需待至2012年

  •   Register網(wǎng)站最近透露的消息恐怕將令支持USB3.0的用戶(hù)大失所望,據悉Intel公司計劃直到2012年才會(huì )推出支持USB3.0功能的主板 芯片組產(chǎn)品。盡管USB3.0將數據傳輸率提升到了比USB2.0高得多的4.8Gbit/s,但是由于缺乏來(lái)自Intel的強力支持,因此需要在主板上 另外設置專(zhuān)門(mén)的功能芯片,這樣便無(wú)形中增加了主板的成本,這對USB3.0的普及無(wú)疑是相當不利的。   USB3.0規范早在2008年11月份便已經(jīng)發(fā)布,而這次Intel的主板芯片組產(chǎn)品竟然要人們等上4年。人們紛紛猜
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Intel仍然對WiMAX技術(shù)非常樂(lè )觀(guān)

  •   經(jīng)過(guò)多年的起起落落,WiMAX無(wú)線(xiàn)技術(shù)至今依然任重而道遠,產(chǎn)品和服務(wù)普及度也遠未達到預期水平,不過(guò)作為推廣主力的Intel仍然對WiMAX 的發(fā)展充滿(mǎn)信心。   Intel架構事業(yè)部副總裁、WiMAX項目辦公室總經(jīng)理Sriram Viswanathan在今天開(kāi)幕的臺北電腦展上表示,LTE技術(shù)可能最早也要到2015年才能成熟到收入商業(yè)運營(yíng),因此WiMAX技術(shù)在全球范圍內仍然 有很大的發(fā)展空間。   不過(guò)他也指出,Intel是一家芯片開(kāi)發(fā)商而不是電信運營(yíng)商,因此不僅關(guān)心基于WiMAX的終端設備的市場(chǎng)前
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Intel出貨48核心處理器系統 不會(huì )商用

  •   按照原定計劃,Intel已經(jīng)開(kāi)始向軟件開(kāi)發(fā)商出貨基于48核心原型處理器(單芯片云計算機 /SCC)的新系統。Intel希望這種芯片能夠幫助自己和軟件開(kāi)發(fā)商創(chuàng )造新的微處理器愿景。Intel德國不倫瑞克研究院主管、 48核心處理器設計師之一Sebastian Steibl在接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示:“我們已經(jīng)開(kāi)始和特定的外部合作伙伴分享(48核心處理器系統)。目前已經(jīng)取得了一些很有趣的成果,而且我想今年夏天 還會(huì )有更有趣的消息。”   按照規劃,這種48核心處理器純粹是個(gè)設計原型,并不
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AMD和日本廠(chǎng)商合作 將USB3.0納入產(chǎn)品序列

  •   Intel為了推廣“光峰”接口,而短期內不支持USB 3.0讓這一全新接口標準遭到了打擊,但AMD和瑞薩電子最新的一項合作將讓市場(chǎng)眼前一亮:AMD將在其產(chǎn)品中整合NEC的μPD720200 USB 3.0控制器,這意味著(zhù)未來(lái)的AMD主板將有更多原生支持USB 3.0的方案,AMD在合作中將提供一個(gè)UASP協(xié)議,縮短設計周期。
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Intel展示48核心處理器系統

  •   Intel近日在歐洲公開(kāi)展示了一套基于其48核心處理器的系統。這種試驗性芯片 又被稱(chēng)為單芯片云計算機或者芯片超級計算機(縮寫(xiě)均為SCC)。承載48核心處理器的原型主板代號“Copper Ridge”,包括特制的芯片組、八 條四通道DDR3 DIMM內存插槽、必要的I/O(圖形核心/SO-DIMM顯存/標準和特制接 口)和其他各種部件。由于沒(méi)有SATA接口,Intel使用一塊U盤(pán)替代了普通硬盤(pán)。整塊系統被放置在一個(gè)很典型的機 箱內,但是主板似乎并不符合ATX標準規范。   盡管
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Intel鎂光宣布開(kāi)始量產(chǎn)銷(xiāo)售25nm制程NAND閃存芯片

  •   繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品之后,Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開(kāi)始正式對外銷(xiāo)售量產(chǎn)的25nm制程NAND閃存芯片,這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。   這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品,這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米,其容量可容納2000首歌曲,7000張照片或8小時(shí)時(shí)長(cháng)的視頻片段。   目前還不清楚首款配置這
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Intel 計劃停產(chǎn)50nm制程MLC NAND SSD硬盤(pán)

  •   Intel計劃停產(chǎn)采用50nm制程NAND閃存芯片制作的1.8/2.5寸SSD硬盤(pán)產(chǎn)品,自今年第二季度開(kāi)始,Intel公司將僅向客戶(hù)提供采用 34nm制程MLC NAND閃存芯片制作的Postville40-160GB容量SSD硬盤(pán)產(chǎn)品,另外到今年第四季度,Intel還將推出80-600GB容量的 Postville SSD硬盤(pán)。   今年第四季度上市的新款Postville系列產(chǎn)品將采用25nm制程閃存芯片制作,容量則有80/160/300/600GB幾種,型號為X25-M;另外還將推出80GB容
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