Intel展示新材料 極紫外光刻走向實(shí)用

　　新式半導體光刻技術(shù)中，極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一，不過(guò)其實(shí)現難度也相當高，從上世紀八十年代開(kāi)始探尋至今已經(jīng)將近三十年， 仍然未能投入實(shí)用。極紫外光刻面臨的關(guān)鍵挑戰之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist)，也就是用來(lái)在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對極紫外輻射 非常敏感，這樣才能刻出圖案，但同時(shí)又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。

　　Intel公司內部一直在用微曝光設備(MET)對各種不同材料進(jìn)行試驗和評估，目的就是尋找一種能夠同時(shí)滿(mǎn)足高敏感度、高分辨率、低線(xiàn)寬粗糙度 (LWR)的光刻膠材料，最近終于取得了重大突破。

　　在國際光學(xué)工程學(xué)會(huì )(SPIE)舉行的光刻大會(huì )上，Intel就進(jìn)行了這方面的展示，使用一種正型化學(xué)放大光刻膠(CAR)結合極紫 外底層，以及一種相應的漂洗劑，最終達成了22nm半節距(half pitch)分辨率，并滿(mǎn)足敏感度和LWR要求。

　　Intel據此驕傲地宣布，經(jīng)過(guò)數十年的不懈努力，極紫外光刻技術(shù)已經(jīng)從研究層面邁向實(shí)用，當然了，真正商用仍 尚需時(shí)日。

　　藍色部分即代表光刻膠