英特爾首次采用EUV技術(shù)的Intel 4制程節點(diǎn)已大規模量產(chǎn)
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據英特爾中國官微獲悉，近日，英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節點(diǎn)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202310/451597.htm據悉，作為英特爾首個(gè)采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節點(diǎn)，Intel 4與先前的節點(diǎn)相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實(shí)現了顯著(zhù)提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅動(dòng)著(zhù)算力需求最高的應用，如AI、先進(jìn)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )、自動(dòng)駕駛及新型數據中心和云應用。
英特爾“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”計劃正在順利推進(jìn)中。目前，Intel 7和Intel 4已實(shí)現大規模量產(chǎn)；Intel 3正在按計劃推進(jìn)，目標是2023年底；采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)的Intel 20A和Intel 18A同樣進(jìn)展順利，目標是2024年。此外，英特爾將于不久后推出面向英特爾代工服務(wù)（IFS）客戶(hù)的Intel 18A制程設計套件（PDK）。
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