ASML：數值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場(chǎng)

據日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì )ITF World 2023表示，半導體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿(mǎn)足半導體發(fā)展。

Christophe Fouquet表示，自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過(guò)50%幅度前進(jìn)，不過(guò)速度可能會(huì )在2030年放緩。

故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），2025年量產(chǎn)出貨。2025年開(kāi)始，客戶(hù)就能從數值孔徑為0.33傳統EUV多重圖案化，切換到數值孔徑為0.55 High-NA EUV單一圖案化，降低制程成本，提高產(chǎn)量。

High-NA EUV預估會(huì )有五大客戶(hù)：英特爾、臺積電、三星、SK海力士、美光，可最早使用設備?？屏盅邪l(fā)、柯磊、HMI和JSR及TEL等正與ASML合作，開(kāi)發(fā)High-NA EUV材料與特用化學(xué)品。

Fouquet表示，EUV光源輸出功率一直穩步增加，ASML傳統型號EUV光源輸出功率為250W~300W，最新型號3600D增加到350W，現在研究層面已做到600W，800W指日可待。

到2030年，使用High NA EUV的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產(chǎn)量，并降低制程成本，需要更高數值孔徑的EUV曝光（NA=0.75）。藉DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技術(shù)形成圖案的每個(gè)晶體管成本都不斷變化，考量到新技術(shù)價(jià)格一定高于EUV每套3億美元，High-NA EUV價(jià)格將非?？捎^(guān)，但仍取決于客戶(hù)要求和開(kāi)發(fā)成本。