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hdr-cmos 文章 進(jìn)入hdr-cmos技術(shù)社區
全新APS C格式1600萬(wàn)像素圖像傳感器進(jìn)入數碼單反相機市場(chǎng)
- CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng )新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬(wàn)像素的圖像傳感器。特別的設計令該產(chǎn)品可實(shí)現專(zhuān)業(yè)攝影師所要求的高畫(huà)質(zhì)，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬(wàn)像素的靜態(tài)圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動(dòng)態(tài)響應(DR)像素技術(shù)創(chuàng )新(稱(chēng)為Aptina DR-Pix技術(shù))，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無(wú)需犧牲高亮度環(huán)境中的表現。高亮度下的最大信噪比可達
- 關(guān)鍵字： 圖像傳感器 CMOS
CMOS技術(shù)將迎來(lái)轉折點(diǎn) 開(kāi)始從15nm工藝向立體晶體管過(guò)渡
- 邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產(chǎn)水平時(shí)迎來(lái)重大轉折點(diǎn)。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過(guò)渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠(chǎng)商均已開(kāi)始表現出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計也會(huì )對各公司的微細化競爭帶來(lái)影響。 元件材料及曝光技術(shù)也會(huì )出現轉折 “估計一多半的半導體廠(chǎng)商都會(huì )在15nm工藝時(shí)向FinFET過(guò)渡”(英特爾)?！霸?0nm以
- 關(guān)鍵字： CMOS 15nm 立體晶體管
Aptina推出8MP完備相機解決方案
- CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng )新者Aptina宣布推出其新款功能豐富的8MP CCS8140成像解決方案。CCS8140解決方案利用公司在像素、處理和封裝方面的創(chuàng )新技術(shù)，將高品質(zhì)MT9E013 8MP CMOS影像傳感器與Aptina™ MT9E311成像協(xié)處理器完美結合，同時(shí)其各方面的處理速度保持在與獨立影像處理器類(lèi)似的水平。經(jīng)全面調節的Aptina CCS8140整套相機解決方案可提供一流的影像品質(zhì)，同時(shí)僅需極少的調節和傳感器調整即可完成最終產(chǎn)品設計。該解決方案不僅可以為移動(dòng)手持設備OEM和
- 關(guān)鍵字： Aptina CMOS CCS8140
GSA硅片代工價(jià)格Q2下降
- 按全球半導體聯(lián)盟GSA經(jīng)過(guò)調查后的報道，全球2010年Q2的硅片代工價(jià)格與上個(gè)季度相比下降。 為了支持與促進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，一家非盈利組織GSA的報告，用于CMOS制造的200mm直徑代工硅片的中間價(jià)格環(huán)比下降9.5%，而同類(lèi)的300mm硅片代工價(jià)格環(huán)比沒(méi)有改變，每片平均仍為3200美元。 據GSA說(shuō)，調查的參與者也報道200mm CMOS工藝的掩模價(jià)格下降，在連續兩個(gè)季度價(jià)格上升之后，環(huán)比中間價(jià)格下降12%。而300mm CMOS工藝的掩模中間價(jià)沒(méi)有改變，而且已連續達3個(gè)季度。
- 關(guān)鍵字： 硅片 CMOS 200mm
俄羅斯國企要求政府封殺同類(lèi)進(jìn)口芯片
- 據路透社援引俄羅斯當地報紙的一則報道稱(chēng)，俄羅斯一家名為Sistema的公司最近呼吁俄羅斯當局禁止其對手廠(chǎng)商生產(chǎn)的同類(lèi)IC芯片產(chǎn)品進(jìn)口到俄羅斯市場(chǎng)。Sistema目前與意法半導體公司有合作關(guān)系，雙方正在合作生產(chǎn)90nm制程的電視，GPS,手機，電子護照等產(chǎn)品用的IC芯片。這家公司的國企背景深厚，著(zhù)名的俄羅斯國有半導體企業(yè)俄羅斯納米技術(shù)集團(Rusnano)便是這家公司的大后臺之一，目前Rusnano正在全力支持在俄羅斯國內架設一條90nm制程CMOS產(chǎn)線(xiàn)的項目。據《俄羅斯日報》報道，俄羅斯總理普京9月2
- 關(guān)鍵字： IC芯片 90nm CMOS
傳感器技術(shù)面臨新型突破
- 日前，瑞典皇家科學(xué)院宣布，博伊爾和史密斯因發(fā)明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學(xué)獎。CCD圖像傳感器如今已經(jīng)大規模應用于數碼相機、手機、攝像機、掃描儀、工業(yè)領(lǐng)域以及醫學(xué)設備中，年出貨量在億顆以上。不過(guò)，隨著(zhù)照相手機市場(chǎng)的大規模增長(cháng)，八十年代開(kāi)始出現的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD，并開(kāi)始逐步蠶食數碼相機等CCD傳統應用市場(chǎng)。 圖像傳感器領(lǐng)域的這一變化只是傳感器技術(shù)變化的一個(gè)縮影。傳感器技術(shù)的最大特點(diǎn)就是不斷引入多學(xué)科的新技術(shù)發(fā)展新功能，現在，隨著(zhù)電子、M
- 關(guān)鍵字： 傳感器 CMOS
解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向
- 摩爾定律在自1965年發(fā)明以來(lái)的45年中，一直引領(lǐng)著(zhù)世界半導體產(chǎn)業(yè)向實(shí)現更低的成本、更大的市場(chǎng)、更高的經(jīng)濟效益前進(jìn)。然而，隨著(zhù)半導體技術(shù)逐漸逼近硅工藝尺寸極限，摩爾定律原導出的“IC的集成度約每隔18個(gè)月翻一倍，而性能也將提升一倍”的規律將不再適用。為此，國際半導體技術(shù)路線(xiàn)圖組織(ITRS)在2005年的技術(shù)路線(xiàn)圖中，即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術(shù)路線(xiàn)圖更清晰地展現了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結合的發(fā)展趨勢，并認為&
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 MEMS CMOS
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