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IBM攜手大陸晶圓廠(chǎng)　抗衡臺積電

　　近期IBM大動(dòng)作與大陸晶圓代工廠(chǎng)展開(kāi)技術(shù)平臺合作，不僅與中芯國際攜手45納米先進(jìn)制程，亦與無(wú)錫華潤上華結盟，針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導體業(yè)者指出，IBM積極運用大陸當地晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)力，全力擴展大陸市場(chǎng)，未來(lái)IBM技術(shù)勢力可望在大陸深耕，并與臺積電勢力相抗衡。　　大陸半導體業(yè)者表示，目前IBM對于向外技術(shù)授權采取更積極做法，尤其針對亟需要技術(shù)平臺奧援的大陸晶圓廠(chǎng)，IBM積極尋求合作機會(huì )，不僅對于技術(shù)授權相當開(kāi)放，甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶(hù)，透過(guò)IBM轉至
關(guān)鍵字： IBM 晶圓代工 CMOS

俞忠鈺：以?xún)刃枋袌?chǎng)為突破口實(shí)現中國IC業(yè)大發(fā)展

　　“雖然國際金融危機對中國半導體產(chǎn)業(yè)的沖擊非常大，但以中國內需市場(chǎng)為突破口和切入點(diǎn)，中國半導體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入新的黃金發(fā)展期?！敝袊雽w行業(yè)協(xié)會(huì )理事長(cháng)俞忠鈺充滿(mǎn)信心地指出。在IC CHINA2009召開(kāi)前夕，俞忠鈺就中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現狀和未來(lái)，以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的策略和重點(diǎn)等熱點(diǎn)話(huà)題，接受了《中國電子報》記者的專(zhuān)訪(fǎng)。　　全球半導體業(yè)進(jìn)入變革和創(chuàng )新時(shí)代　　記者：由于國際金融危機的影響，全球半導體產(chǎn)業(yè)呈現出新的變化和特點(diǎn)。你認為國際金融危機后全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)生哪些改變?你對全球半導
關(guān)鍵字：半導體 CMOS 摩爾定律

中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

　　中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。　　這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國際現有的技術(shù)能力，更好地滿(mǎn)足全球客戶(hù)的需求，包括快速增長(cháng)的中國市場(chǎng)在內。其應用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機設備(如3G/4G 手機)。　　“中芯國際上海的12英寸廠(chǎng)已提前達標完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著(zhù)這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績(jì)。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執行長(cháng)表示，“這些新技術(shù)為
關(guān)鍵字：中芯國際 CMOS 45納米 40納米 55納米

安森美推出0.18微米CMOS工藝技術(shù)

　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力，推出新的具價(jià)格競爭力、符合業(yè)界標準的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。　　這ONC18工藝是開(kāi)發(fā)低功率及高集成度數字及混合信號專(zhuān)用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用于汽車(chē)、工業(yè)及醫療應用?；贠NC18工藝的方案將在安森美半導體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠(chǎng)制造，因此，預期對于尋求遵從國際武器貿易規章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內生產(chǎn)的美國軍事應用設計人
關(guān)鍵字：安森美 CMOS 晶圓制造

諾貝爾獎當之無(wú)愧，CCD傳感器已無(wú)處不在

　　1969年，貝爾實(shí)驗室(Bell Laboratories)的科學(xué)家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個(gè)成功的數字影像傳感器技術(shù)：電荷耦合組件(CCD)。40年后，隨著(zhù)影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個(gè)年出貨量達13億顆的龐大市場(chǎng)，這兩位技術(shù)先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎，以表?yè)P他們在數字成像領(lǐng)域的貢獻。　　“影像傳感器技術(shù)對世界和整個(gè)社會(huì )帶來(lái)了巨大且深遠的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說(shuō)。“影像
關(guān)鍵字： CCD CMOS 影像傳感器

采用0.18micro;m CMOS設計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統

本文采用0.18µm CMOS工藝設計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統的16:1復用器電路。該電路采用數?；旌系姆椒ㄟM(jìn)行設計，第一級用數字電路實(shí)現16:4的復用，第二級用模擬電路實(shí)現4:1的復用，從而實(shí)現16:1的復用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結果表明，當電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時(shí)，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
關(guān)鍵字： micro 0.18 CMOS 2.5

臺積電與AMCC結盟取得嵌入式微處理器訂單

　　臺積電宣布與AMCC(應用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺積電90奈米CMOS制程生產(chǎn)，未來(lái)將進(jìn)一步推進(jìn)到65奈米及40奈米制程。這意味著(zhù)臺積電在 CPU代工領(lǐng)域再下一城。　　AMCC為全球能源及通訊解決方案商，臺積電表示，這次雙方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術(shù)，受惠于臺積電成熟的bulk CMOS技術(shù)
關(guān)鍵字：臺積電 CPU代工 CMOS

一種新型CMOS圖像傳感器的設計

為了提高CMOS圖像傳感器的圖像質(zhì)量，通過(guò)對圖像主要的噪聲源以及圖像失真的分析，提出一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素，大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過(guò)在傳感器中集成圖像預處理功能，對改善圖像的質(zhì)量起到了很好的效果。
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器

華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)

　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠(chǎng)之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”)日前宣布成功開(kāi)發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段。　　華虹NEC和關(guān)鍵客戶(hù)合作共同開(kāi)發(fā)的CIS162工藝是基于標準0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過(guò)精細調整集成了4個(gè)功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線(xiàn)工藝保證了像素區高敏感性，可
關(guān)鍵字：華虹NEC 晶圓代工 CMOS 圖像傳感器

CMOS射頻接收機系統與電路

CMOS技術(shù)作為設計射頻接收機電路的一種主要技術(shù)，正在得到廣泛研究。本文首先總結了當前射頻接收機的幾種常用結構和主要的工作特性、參數，然后介紹了三種最新的不同結構形式的CMOS射頻前端電路。
關(guān)鍵字：電路系統接收機射頻 CMOS CAN

基于CMOS圖像傳感器的納型衛星遙感系統設計

為滿(mǎn)足納型衛星的遙感系統要求, 設計了一套基于互補型金屬氧化物半導體CMOS 圖像傳感器的納型衛星遙感系統, 采用PC 機模擬星上數據處理系統的功能, 通過(guò)控制器局域網(wǎng)CAN總線(xiàn)實(shí)現了對CMOS 相機的控制和圖像傳輸等功能。通過(guò)熱循環(huán)實(shí)驗, 得到了該CMOS 相機平均暗輸出和暗不一致性隨溫度的變化曲線(xiàn), 預測其適于在10～25 ℃的空間溫度環(huán)境中工作, 并可經(jīng)受- 25～60 ℃的衛星艙內溫度變化。
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器納型衛星遙感

DALSA與IBM等多方合作創(chuàng )立新微電子創(chuàng )新中心

　　日前，由謝布克大學(xué)、加拿大魁北克政府以及IBM(加拿大)和DALSA公司攜手成立的新微電子創(chuàng )新中心在加拿大魁北克Bromont高科技園區正式落成。該研究中心將對下一代硅片集成以及MEMS系統進(jìn)行深入研究與開(kāi)發(fā)。　　新的微電子創(chuàng )新中心對于DALSA未來(lái)的發(fā)展尤為關(guān)鍵，尤其是在MEMS與WLP相關(guān)設備的安裝和未來(lái)操作職責上擔負主要角色。　　Dalsa是一家MEMS、高壓CMOS和先進(jìn)CCD制造代工廠(chǎng)。
關(guān)鍵字： IBM MEMS CMOS

2009年全球圖像傳感器市場(chǎng)規模預測

　　市場(chǎng)研究機構StrategiesUnlimited指出，全球圖像傳感器市場(chǎng)將在09年縮水11%，來(lái)到64億美元規模，不過(guò)接下來(lái)將逐漸恢復正常成長(cháng)。該機構預期，未來(lái)數年該市場(chǎng)的平均年成長(cháng)率會(huì )維持在個(gè)位數;到09年為止，其十年來(lái)的復合年成長(cháng)率高達22%。　　圖像傳感器市場(chǎng)在2009年的衰退主要是受到全球經(jīng)濟景氣循環(huán)影響，而這樣的負面影響恐怕會(huì )持續下去，特別是在該市場(chǎng)因為幾乎所有手機都內建相機而經(jīng)歷爆炸性成長(cháng)之后。未來(lái)幾年，預計圖像傳感器的銷(xiāo)售量仍將呈現成長(cháng)，但短期需求波動(dòng)、供應過(guò)?；虺跃o，以及沉重的價(jià)
關(guān)鍵字： CCD 傳感器 CMOS

基于0.13μm CMOS工藝的快速穩定的高增益Telescop

近年來(lái)，軟件無(wú)線(xiàn)電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無(wú)線(xiàn)電臺要求對天線(xiàn)接收的模擬信號經(jīng)過(guò)放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過(guò)高，技術(shù)上所限難以實(shí)現，而多采用中頻采樣的方法。而對
關(guān)鍵字： Telescopic 0.13 CMOS 工藝

高性能CMOS集成電壓比較器設計

電壓比較器是對輸入信號進(jìn)行鑒幅與比較的電路，其功能是比較一個(gè)模擬信號和另一個(gè)模擬信號(參考信號)，并以輸出比較得到的二進(jìn)制信號。其在A(yíng)／D轉換器、數據傳輸器、切換功率調節器等設備中有著(zhù)廣泛的應用。在
關(guān)鍵字： CMOS 性能集成電壓比較器