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淺析:視頻監控相關(guān)技術(shù)發(fā)展與市場(chǎng)動(dòng)向

DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計

  • DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計,本文設計了一種應用于DSP內嵌鎖相環(huán)的低功耗、高線(xiàn)性CM0S壓控環(huán)形振蕩器。電路采用四級延遲單元能方便的獲得正交輸出時(shí)鐘,每級采用RS觸發(fā)結構來(lái)產(chǎn)生差分輸出信號,在有效降低靜態(tài)功耗的同時(shí).具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設計時(shí)。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調節線(xiàn)性度,選擇了合適的翻轉點(diǎn)。 仿真結果表明.電路叮實(shí)現2MHz至90MHz的頻率調節范圍,在中心頻率附近具有很高的調節線(xiàn)性度,可完全滿(mǎn)足DSP芯片時(shí)鐘系統的要求。
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CMOS音頻功率放大器的旁路電壓控制電路

  • 摘要:基于CSMCO.5μm CMOS工藝設計一種帶滯回功能的高穩定性電壓控制電路,利用遲滯比較器對旁路電壓和基準電壓進(jìn)行比較并控制電容的充放電,提高了電壓的穩定性。Cadence Spectre仿真結果表明,該電路產(chǎn)生的電壓穩
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Altera和Apical交付首個(gè)HD WDR FPGA監控應用解決方案

  •   Altera公司和Apical有限公司今天宣布,為視頻監控攝像機提供世界上第一個(gè)高清晰寬動(dòng)態(tài)范圍(WDR) CMOS圖像傳感器處理解決方案。在內華達洲拉斯維加斯3月24號到26號舉行的國際安防大會(huì )(ISC)西部博覽會(huì )上,Altera展示了這一解決方案。Altera和Apical全面的解決方案保證了各種照明條件下優(yōu)異的視頻圖像質(zhì)量,而這是前幾代監控攝像機面臨的主要瓶頸問(wèn)題。結合Altera的 Cyclone® III和Cyclone IV FPGA以及Apical的知識產(chǎn)權(IP),這一解決方案
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安森美推出5款互補金屬氧化物半導體線(xiàn)性穩壓器系列

  •   應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充產(chǎn)品陣容,推出5款新的互補金屬氧化物半導體(CMOS)線(xiàn)性穩壓器系列。優(yōu)化的NCP69x系列用于低功耗的便攜電池供電及“持續開(kāi)機”(always-on)應用,如線(xiàn)纜調制解調器、衛星接收機、數字機頂盒及電表。   NCP690、NCP691和NCP692是極低壓降(VLDO) 1 A穩壓器件,提供5.0 V到低至1.25 V的可調節輸出電壓,或固定輸出電壓版本。這些器件提供62 dB的電源抑制比(PSSR)、典型
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2009-2010年全球CMOS相機模組行業(yè)研究報告

  •   日前,水清木華發(fā)布了2009-2010年全球CMOS相機模組行業(yè)研究報告。從報告中我們不難看出,CMOS相機模組行業(yè)仍是日本企業(yè)的天下。排名第一的FUJINON是富士膠卷旗下一員,在300萬(wàn)像素以上手機鏡頭領(lǐng)域市場(chǎng)占有率超過(guò)50%。   手機相機模組的產(chǎn)業(yè)鏈異常復雜。手機相機模組產(chǎn)業(yè)鏈上三個(gè)核心點(diǎn),一是CMOS圖像傳感器,二是光學(xué)鏡頭,三是模組組裝廠(chǎng)家。隨著(zhù)手機相機像素的上升,封裝廠(chǎng)家也顯得日益重要,而模組組裝廠(chǎng)家日益落寞。CMOS圖像傳感器廠(chǎng)家可以結合光學(xué)元件,并經(jīng)過(guò)特殊封裝后直接出貨給手機制造廠(chǎng)
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GlobalFoundries德國Dresden工廠(chǎng)將投產(chǎn)22nm CMOS制程

  •   GlobalFoundries位于德國Dresden的Fab 1正在啟動(dòng)22nm CMOS工藝的開(kāi)發(fā),并計劃將該工藝投入量產(chǎn)。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。   此前,Fab 1被認為將作為45/40nm和32/28nm的主要生產(chǎn)工廠(chǎng),而正在美國紐約州興建的Fab 8才作為22nm及以下工藝的生產(chǎn)地。   “22nm制程已在Fab 1開(kāi)動(dòng),Fab 1將試產(chǎn)22nm,并投入部分量產(chǎn)?!盕ab 1總經(jīng)理Ud
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新型CMOS圖像傳感器原理及設計

  • 金屬氧化物半導體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD是應用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件,CMOS則應
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一種高性能CMOS電荷泵的設計

  • 摘要: 設計了一種用于電荷泵鎖相環(huán)的CMOS電荷泵電路。電路中采用3對自偏置高擺幅共源共柵電流鏡進(jìn)行泵電流鏡像,增大了低電壓下電荷泵的輸出電阻,實(shí)現了上下兩個(gè)電荷泵的匹配。為消除單端電荷泵存在的電荷共享問(wèn)題
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RF4CE射頻遙控器的設計要點(diǎn)

  • 無(wú)線(xiàn)通信產(chǎn)品一直朝著(zhù)低成本、低消耗功率、小體積等趨勢向前發(fā)展。短距離設備(Short-RangeDevices)更...
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OmniVision推出圖像傳感器OV9715 CMOS

  •   高端數字成像解決方案的領(lǐng)先開(kāi)發(fā)商 OmniVision Technologies, Inc.(納斯達克代碼: OVTI),今日宣布其 OV9715 CMOS 圖像傳感器即將上市。該傳感器可用于 360 度視圖以及其他獨立攝像頭或多攝像頭汽車(chē)視覺(jué)系統中。 這款 100 萬(wàn)像素的 OV9715 是一款完全達到 AEC-Q100 標準的 CMOS 圖像傳感器,專(zhuān)為高級駕駛輔助系統而優(yōu)化, 現已向多家頂級汽車(chē)供應商供貨。   “OV9715 是引導領(lǐng)先功能的先鋒,它實(shí)現了最高端的多攝像頭汽車(chē)應用
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任重而道遠:中芯國際將力爭在今年實(shí)現45納米小批量試產(chǎn)

  •   據中芯國際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露,2010年,中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭實(shí) 現45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。   在第四屆(2009年度)中國半導體創(chuàng )新產(chǎn)品和技術(shù)評選中,中芯國際有兩項技術(shù)獲獎,其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”,其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。   據介紹,目前,中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認證,并于2009年第三季度
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ADI推出高性能、低成本的 CMOS 運算放大器

  •   Analog Devices, Inc.(http://www.analog.com/zh ),全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應商,今天宣布針對中國市場(chǎng)發(fā)布全新的低成本、高速 CMOS 運算放大器 ADA489系列。與其它供應商提供的產(chǎn)品相比,ADA4891系列能夠幫助設計師以更低的成本和更低的功耗實(shí)現同樣的高速性能。與此同時(shí),ADI 在高速運算放大器產(chǎn)品領(lǐng)域的行業(yè)絕對領(lǐng)導地位以及對于中國市場(chǎng)的長(cháng)期承諾和投入,也確保了中國客戶(hù)能夠得到業(yè)界最好的質(zhì)量保證和技術(shù)支持。針對中國市場(chǎng)的需求,ADI 還將彌
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IMEC、瑞薩、M4S聯(lián)手推出單芯片無(wú)線(xiàn)收發(fā)器

  •   在2010年2月10日召開(kāi)的國際固態(tài)電子電路大會(huì )上,IMEC、株式會(huì )社瑞薩科技(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩)、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數據轉換器電路的完整收發(fā)器。這款完全可重配置的收發(fā)器符合各種無(wú)線(xiàn)標準和應用要求,并且符合即將推出的移動(dòng)寬帶3GPP-LTE標準。   可隨時(shí)隨地為用戶(hù)提供大量服務(wù)的無(wú)線(xiàn)通信終端發(fā)展趨勢,推動(dòng)了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無(wú)線(xiàn)電的發(fā)展。就3GPP-LTE標準自身非常靈活的特性而言,可重配置無(wú)線(xiàn)電就成為其最經(jīng)濟的實(shí)現方式。并
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愛(ài)爾蘭科學(xué)家開(kāi)發(fā)出業(yè)內首款非節型晶體管

  •   愛(ài)爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學(xué)家最近宣稱(chēng)他們成功制出了業(yè)內首款非節型晶體管,并稱(chēng)此項發(fā)明對10nm級別制程意義重大,可大大簡(jiǎn)化晶體管的制造工藝復雜 程度。這種晶體管采用類(lèi)似Finfet的結構,將晶體管的柵極制成婚戒型的結構,并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道,溝道的尺寸僅有數十個(gè)原子的直徑加起來(lái)那么大。   該研發(fā)團隊是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導的,這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài),而且還具備漏電電流小,門(mén)限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點(diǎn),而且還可以兼容于CMOS工藝。   硅溝道中的電
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