CMOS技術(shù)將迎來(lái)轉折點(diǎn) 開(kāi)始從15nm工藝向立體晶體管過(guò)渡

　　邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產(chǎn)水平時(shí)迎來(lái)重大轉折點(diǎn)。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過(guò)渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠(chǎng)商均已開(kāi)始表現出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計也會(huì )對各公司的微細化競爭帶來(lái)影響。

　　元件材料及曝光技術(shù)也會(huì )出現轉折

　　“估計一多半的半導體廠(chǎng)商都會(huì )在15nm工藝時(shí)向FinFET過(guò)渡”(英特爾)。“在20nm以后的工藝中，立體晶體管不可或缺”(臺積電)。各公司此前從未對現行晶體管技術(shù)的界限作出過(guò)這樣的斷言。這是因為各企業(yè)認識到現行技術(shù)無(wú)法解決漏電流増大等問(wèn)題。另外，各公司目前瞄準11nm以后的工藝，正在開(kāi)發(fā)使用Ge及Ⅲ-V族半導體的高遷移率溝道技術(shù)。估計此前主要以硅為對象的材料技術(shù)早晚也會(huì )迎來(lái)重大轉變。

　　關(guān)于對微細化起到關(guān)鍵作用的光刻技術(shù)，EUV曝光及EB曝光等新技術(shù)正不斷走向實(shí)用化。目前已相繼出現為生產(chǎn)線(xiàn)引進(jìn)曝光裝置并形成15nm以后微細圖案的事例。