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格科微CMOS 圖像傳感器產(chǎn)品于中芯國際出貨達10萬(wàn)片

  •   作為中國大陸第一大CMOS圖像傳感器設計公司的格科微電子于日前宣布該公司在其晶圓伙伴中芯國際集成電路制造有限公司量產(chǎn)的CMOS圖像傳感器8吋晶圓產(chǎn)品出貨達到10萬(wàn)片的新里程碑。   牋牋作為大陸地區首家涉足CMOS圖像傳感器領(lǐng)域并取得成功的專(zhuān)業(yè)CMOS圖像傳感器設計公司,格科微擁有創(chuàng )新的CMOS圖像傳感器核心技術(shù)。格科微的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品具有尺寸小,功耗低,成本低,產(chǎn)品圖像品質(zhì)好等特點(diǎn)。除此之外具有色彩校正,噪音消除,圖像大小調整等功能。其晶圓伙伴中芯國際生產(chǎn)格科微圖像傳感器產(chǎn)品采用的0.15
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再度出手 三星擬再新增CMOS 8寸廠(chǎng)

  •   三星電子(Samsung Electronics)再度出手,繼2009年下半首度大幅擴充產(chǎn)能外,2010年將首度啟動(dòng)擴充產(chǎn)能機制,預計將再新增1座8寸晶圓廠(chǎng),全數用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。   據了解,三星原本已在韓國共有2座8寸廠(chǎng)、1座12寸廠(chǎng)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器,2座8寸晶圓廠(chǎng)月產(chǎn)能共4萬(wàn)~4.5萬(wàn)片,12寸廠(chǎng)月產(chǎn)能2萬(wàn)~2.5 萬(wàn)片,2009年下半為滿(mǎn)足客戶(hù)龐大需求,已先行在2座8寸晶圓廠(chǎng)內每月再新增1.2萬(wàn)~2萬(wàn)片產(chǎn)能,不過(guò)即便如此,似乎仍無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)需求。   據了解,新的8寸晶
  • 關(guān)鍵字: Samsung  CMOS  晶圓  

超低壓差CMOS線(xiàn)性穩壓器的設計

  •  隨著(zhù)筆記本電腦、手機、PDA 等移動(dòng)設備的普及,對應各種電池電源使用的集成電路的開(kāi)發(fā)越來(lái)越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線(xiàn)性穩壓器由于具有結構簡(jiǎn)單、成本低廉、低噪聲、
  • 關(guān)鍵字: 設計  穩壓器  線(xiàn)性  CMOS  超低  

巧焊場(chǎng)效應管和CMOS集成電路

  • 焊接絕緣柵(或雙柵)場(chǎng)效應管以及CMOS集成塊時(shí),因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會(huì )感應靜電高壓,導致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(cháng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法,取得令人滿(mǎn)意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應管。
  • 關(guān)鍵字: CMOS    場(chǎng)效應管  集成電路    

監控用CMOS與CCD圖像傳感器對比

  • CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱(chēng)CIS)的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現光電轉換后,以電荷的方
  • 關(guān)鍵字: 傳感器  對比  圖像  CCD  CMOS  監控  

監控用CMOS與CCD圖像傳感器技術(shù)對比

  • CCD(ChargeCoupledDevice)圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOSImageSensor以下簡(jiǎn)稱(chēng)CIS)的主要...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  CCD  圖像傳感器  CIS  

威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器

  •   威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器,這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。   USB3.0(即超速USB)的最大數據傳輸速度可達5Gbps,是現有USB2.0設備傳輸速度的10倍;此外,該技術(shù)還能提高外部設備與主機控制器之間的互動(dòng)功能,包括能耗管理上的重要改進(jìn)。   VIA VL810由威盛集團全資子公司VIA Labs研發(fā),它實(shí)現在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設備從而擴展了計算機的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
  • 關(guān)鍵字: 威盛  USB3.0  CMOS  

基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法

  • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法,1. 引言

    對于需要大的片上存儲器的各種不同的應用,FPGA 需要提供可重構且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過(guò)不同的配置選擇,嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口,雙端口
  • 關(guān)鍵字: RAM  重構  模塊  設計  方法  FPGA  平臺  0.13  微米  CMOS  工藝  

一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護電路

  • 0 引 言
    隨著(zhù)集成電路技術(shù)的廣泛應用及集成度的不斷增加,超大規模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內部的溫度不斷提高,溫度保護電路已經(jīng)成為了眾多芯片設計中必不可少的一部分。本文在CSMC 0.5/μm CMOS工藝下,
  • 關(guān)鍵字: 電路  保護  溫度  CMOS  功能  

IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

  •   IBM研究人員開(kāi)發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù),面向22nm及以下節點(diǎn)。   在IEDM會(huì )議上,IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱(chēng)該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(cháng),非常適合于低功耗應用。除了場(chǎng)效應管,IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。   該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng )新,包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入),以及提高的源漏架構。   該技術(shù)部分依賴(lài)于近期SOI晶圓供應商推出了硅膜厚度為6nm的S
  • 關(guān)鍵字: IBM  CMOS  22nm  SOC  

兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設計與研究

  • 鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位,在調制、解調、時(shí)鐘恢復、頻率合成中都扮演著(zhù)不可替代的角色??煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近,鑒于對集成電路低功耗和高集成度的追求,越來(lái)越多的研究人員投人到基于CMOS工
  • 關(guān)鍵字: CMOS  高頻  壓控振蕩器    

10~37 GHz CMOS四分頻器的設計

  • 1 引言
    隨著(zhù)通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,人們對通信系統中單元電路的研究也越來(lái)越多。而分頻器廣泛應用于光纖通信和射頻通信系統中,因此,高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實(shí)現方式可分為模擬和數字兩種。模
  • 關(guān)鍵字: 設計  四分  CMOS  GHz  光纖通信系統  CMOS工藝  動(dòng)態(tài)負載鎖存器  分頻器  
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hdr-cmos介紹

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