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基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設計

  • D觸發(fā)器的常規使用一般是用作二分頻器、計數器或移位寄存器。然而,只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn),根據其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨特的作用。數字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路,對脈沖信號的寬度進(jìn)行識別
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采用協(xié)處理器和CMOS傳感器的數碼相機方案

  • 什么是CMOS數碼相機?對于最終用戶(hù)而言,采用CMOS技術(shù)的數碼相機與傳統相機沒(méi)有太大不同。大多數拍照操作方法以及在取景器內給被拍對象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里?傳統相機需要使用一個(gè)35毫
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索尼向東芝買(mǎi)回工廠(chǎng) CMOS傳感器產(chǎn)量擬倍增

  •   索尼 (Sony)計劃以 500 億日元 (5.972 億美元) 價(jià)格,向東芝 (Toshiba)買(mǎi)回一座半導體工廠(chǎng),好讓用于智能型手機及其他設備的影像傳感器 (image sensor) 產(chǎn)能大增一倍。   報導指出,索尼于 2008 年,將該座位于日本長(cháng)崎的工廠(chǎng)賣(mài)給東芝。如今買(mǎi)回,將用以加強其 CMOS 傳感器業(yè)務(wù),使其影像傳感器產(chǎn)量,倍增至相當于每月 4 萬(wàn)顆晶圓。   報導補充,索尼盼藉由增加產(chǎn)量及降低生產(chǎn)成本,好在 CMOS 影像傳感器的市場(chǎng),追趕上南韓的三星 (Samsung)及其他美
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一種基于CMOS工藝的電荷泵鎖相環(huán)芯片的設計

  • 隨著(zhù)大規模集成電路技術(shù)的發(fā)展與成熟,CMOS工藝以其低成本、低功耗、高集成度的優(yōu)點(diǎn)使得采用CMOS工藝實(shí)現高性能集成鎖相環(huán)具有十分重要的意義和廣闊的前景。
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硅CMOS技術(shù)可擴展到10nm以下

  •   “硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構造、新材料和新工藝,硅CMOS技術(shù)將繼續保持其主導地位”。   
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基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅動(dòng)電路設計

  • Verilog HDL語(yǔ)言是IEEE標準的用于邏輯設計的硬件描述語(yǔ)言,具有廣泛的邏輯綜合工具支持,簡(jiǎn)潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器,給出使用Verilog HDL語(yǔ)言設計的邏輯驅動(dòng)電路和仿真結果。
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江陰全力打造新傳感器產(chǎn)業(yè)園區

  •   新傳感器產(chǎn)業(yè)作為近兩年來(lái)逐漸升溫的新興產(chǎn)業(yè)之一,不斷吸引著(zhù)各方的眼球。作為信息通信產(chǎn)業(yè)的前沿領(lǐng)域和最新方向,新傳感器產(chǎn)業(yè)是“感知中國”、“智慧地球”的基石,在當前更被賦予了全新內涵,蘊藏著(zhù)巨大機遇。在搶抓發(fā)展的大潮中,敢為人先的江陰人當然不會(huì )放過(guò)這一極好的發(fā)展良機。   
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基于Zigbee的CMOS無(wú)線(xiàn)射頻芯片的設計考慮

  • 本文將以笙科電子的2.4GHz IEEE 802.15.4射頻收發(fā)器(適用于Zigbee標準,RF4CE則是基于Zigbee的遙控器應用規范)為例,介紹超低功率CMOS無(wú)線(xiàn)射頻芯片的設計概要,從電路設計到系統觀(guān)點(diǎn),說(shuō)明芯片設計和應用過(guò)程中需要考
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Silicon Laboratories推出業(yè)界最具頻率彈性可在線(xiàn)編程CMOS時(shí)鐘發(fā)生器

  •   高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導廠(chǎng)商Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗室有限公司)今日發(fā)表業(yè)界最具頻率彈性可在線(xiàn)編程的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器。新推出的8路時(shí)鐘發(fā)生器Si5350/51內置壓控石英晶體振蕩器(VCXO),能以單一時(shí)鐘IC取代傳統的多器件鎖相環(huán)(PLL)解決方案,與其他時(shí)鐘產(chǎn)品相比,Si5350/51可提供兩倍的頻率彈性,且可分別降低70%的抖動(dòng)和30%的功耗。
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如何建立一個(gè)小型獨立報警電路的CMOS

  • 如何建立一個(gè)小型獨立報警電路的CMOS  說(shuō)明  這是一種小型獨立報警電路的選擇。每個(gè)警報的主要特點(diǎn)是線(xiàn)路圖上描述自己。他們都具有非常低的待機電流。因此,他們非常適合電池供電。每個(gè)電路對將打印出一張A4紙。
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如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報警器

  •  如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報警器  說(shuō)明  這是一個(gè)區域報警 - 自動(dòng)出入和警笛截止定時(shí)器。這將容納所有的常閉輸入設備一般類(lèi)型 - 例如磁簧觸點(diǎn) - 鋁箔膠帶 - PIRs等,但它很容易添加一個(gè)常開(kāi)觸發(fā)。示意圖  當
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如何建立一個(gè)更簡(jiǎn)單的CMOS單防區報警

  •  如何建立一個(gè)更簡(jiǎn)單的CMOS單防區報警器說(shuō)明  這是一個(gè)簡(jiǎn)單的單區防盜報警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤和定時(shí)貝爾/警報器停產(chǎn)。它的設計是與常閉類(lèi)型的輸入設備的正常使用,例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動(dòng)開(kāi)關(guān)
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如何構建基于一個(gè)CMOS單防區報警器

  •  如何構建基于一個(gè)CMOS單防區報警器  說(shuō)明  該電路具有自動(dòng)出入延誤 - 計時(shí)鐘切斷 - 和系統重置。它為常開(kāi)和常閉開(kāi)關(guān)提供 - 并將滿(mǎn)足通常的輸入設備(壓力墊,磁簧接觸,鋁箔膠帶,PIRs和慣性傳感器)?! ∪绻G
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采用單一CMOS的電感測試儀的制作方案

  • 這個(gè)測試儀的基礎是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器(圖一)。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線(xiàn)性區域通過(guò)電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益,這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門(mén)消耗的功率低,甚至是很小的信
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一種新型高精度CMOS帶隙基準源的設計

  • 提出一種標準CMOS工藝結構的低壓、低功耗電壓基準源,工作電壓為5~10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性,對PTAT基準電流進(jìn)行動(dòng)態(tài)電流反饋補償,設計了一種輸出電壓為1.3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數在-25~+120℃范圍的溫度系數為7.427pp-m/℃,在27℃時(shí)電源電壓抑制比達82 dB。該基準源的芯片版圖面積為0.022 mm2,適用于低壓差線(xiàn)性穩壓囂等領(lǐng)域。
  • 關(guān)鍵字: CMOS  高精度  帶隙基準源    
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