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一種基于PWM的CMOS誤差放大器的設計

  • 摘要：為解決PWM控制器中輸出電壓與基準電壓的誤差放大問(wèn)題，設計了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器，通過(guò)在二級放大器中間增加一級緩沖電路，克服補償電容的前饋效應，同時(shí)消除補償電容引入的零點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  PWM  誤差放大器    

一種低壓高線(xiàn)性CMOS模擬乘法器設計

  • 摘要：提出了一種新穎的CMOS四象限模擬乘法器電路，該乘法器基于交叉耦合平方電路結構，并采用減法電路來(lái)實(shí)現。它采用0．18mu;m CMOS工藝，使用HSPICE軟件仿真。仿真結果顯示，該乘法器電路在1．8 V的電源電壓下工作
  • 關(guān)鍵字： 法器  設計  模擬  CMOS  線(xiàn)性  低壓  

0．6 V CMOS軌至軌運算放大器

  • 摘要：為適應低壓低功耗設計的應用，設計了一種超低電源電壓的軌至軌CMOS運算放大器。采用N溝道差分對和共模電平偏移的P溝道差分對來(lái)實(shí)現軌至軌信號輸入。當輸入信號的共模電平處于中間時(shí)，P溝道差分對的輸入共模電平
  • 關(guān)鍵字： CMOS  軌至軌  運算放大器    

基于0．5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運算放

  • 摘要：為了提高運算放大器的驅動(dòng)能力，依據現有CMOS集成電路生產(chǎn)線(xiàn)，介紹一款新型BiCMOS集成運算放大電路設計，探討B(tài)iCMOS工藝的特點(diǎn)。在S-Edit中進(jìn)行“BiCMOS運放設計”電路設計，并對其電路各個(gè)器件參數
  • 關(guān)鍵字： BiCMOS  CMOS  工藝  放大器設計    

電荷泵型LED驅動(dòng)器的CMOS誤差放大器設計

  • 結合電荷泵型LED驅動(dòng)器的工作要求，從減小輸出電壓紋波、穩定輸出電壓出發(fā)，設計了一款誤差放大器。該誤差放大器具有較大的工作電壓范圍，使電荷泵型LED驅動(dòng)器高效率低噪聲工作?；贑HRT 0．35μm CMOS MIXEDSIGNAL TECHNOLOGY進(jìn)行仿真，結果表明，在2．7～5 V工作電壓范圍內，開(kāi)環(huán)電壓增益約等于72 dB，相位裕度約等于65°，單位增益帶寬約等于4．6 MHz，共模抑制比CMRR約等于113 dB，電源抑制比PSRR約等于100 dB。
  • 關(guān)鍵字： 放大器  設計  誤差  CMOS  LED  驅動(dòng)器  電荷  

L-系列CMOS自?huà)呙韫怆姸O管陣列

FDSOI韜光養晦以待時(shí)變

  • 　　半導體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律發(fā)展已有數十年，生命力之強大令人敬畏，這種生命力的背后是馬不停蹄的技術(shù)創(chuàng )新，每一個(gè)革新技術(shù)都為產(chǎn)業(yè)注入前行的動(dòng)力。SOI(Silicon on Insulator，絕緣體上的硅)技術(shù)就是其中之一。 　　
  • 關(guān)鍵字： 晶體管  CMOS  

基于噪聲消除技術(shù)的CMOS超寬帶LNA設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字： 噪聲消除  CMOS  超寬帶  LNA  噪聲  

影響CMOS單電源放大器的THD+N性能的因素

  • 自上市以來(lái)，CMOS單電源放大器就讓全球的單電源系統設計人員受益非淺。影響雙電源放大器總諧波失真加噪...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  

分析泄漏功率攻擊采用90nm CMOS技術(shù)的加密器件

  • 泄漏電流可能被用于攻擊加密系統。在電子商務(wù)與電子銀行等應用中，安全要求越來(lái)越嚴格。雖然加密技術(shù)...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  

安森美收購賽普拉斯CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部

  • 　　安森美半導體(ON Semiconductor)及賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor)宣布已簽署正式協(xié)議，安森美半導體將以約3,140萬(wàn)美元的全現金交易收購賽普拉斯的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部(ISBU)。是項交易將根據例定成交條件(customary closing conditions)預計將在2011年第一季度底完成。 　　賽普拉斯提供寬廣陣容的高性能定制及標準CMOS圖像傳感器，用于數百萬(wàn)像素數碼攝影及電影攝影、機器視覺(jué)、線(xiàn)性及二維(2D)條形碼成像、醫療X射線(xiàn)成像
  • 關(guān)鍵字： 安森美  CMOS  傳感器  

安森美收購賽普拉斯CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部

  • 　　安森美半導體(ON Semiconductor)及賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor)宣布已簽署正式協(xié)議，安森美半導體將以約3,140萬(wàn)美元的全現金交易收購賽普拉斯的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部(ISBU)。是項交易將根據例定成交條件(customary closing conditions)預計將在2011年第一季度底完成。 　　
  • 關(guān)鍵字： 安森美  CMOS  

賽普拉斯宣布其觸摸屏控制器的產(chǎn)能將擴充三倍

  • 　　賽普拉斯半導體公司日前宣布，將大幅提高其快速增長(cháng)的TrueTouch觸摸屏控制器的產(chǎn)能。賽普拉斯位于明尼蘇達州布魯明頓市的四號工廠(chǎng)及其主要的代工伙伴宏力半導體公司將在2010年的基礎上，將2011年的S8工藝線(xiàn)產(chǎn)能提高三倍。擴產(chǎn)計劃已排上日程，首批擴充產(chǎn)能預計在2011年第一季度即可投產(chǎn)，全部擴充計劃預計在2011年第三季度完成。 　　除了TrueTouch產(chǎn)品，賽普拉斯還將在S8工藝線(xiàn)上生產(chǎn)其PSoC 3 和 PSoC 5、CapSense 和NVSRAM產(chǎn)品。賽普拉斯的S8工藝基于0.13-微米
  • 關(guān)鍵字： Cypress  TrueTouch  CMOS  SONOS  

采用噪聲消除技術(shù)的3～5 GHz CMOS超寬帶LNA設計

  • 本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工藝,設計了可以工作于3～5 GHz頻段的超寬帶低噪聲放大器。對電路的輸入匹配和增益進(jìn)行了分析,對噪聲消除技術(shù)進(jìn)行了推導。仿真結果表明,該放大器在工作頻帶內的各項指標滿(mǎn)足超寬帶系統應用。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  GHz  LNA  噪聲消除    

瑞薩開(kāi)發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)

  • 　　瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了利用與標準CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)。該項技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  DRAM  CMOS  
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