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華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)
- 世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠(chǎng)之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”)日前宣布成功開(kāi)發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段。 華虹NEC和關(guān)鍵客戶(hù)合作共同開(kāi)發(fā)的CIS162工藝是基于標準0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過(guò)精細調整集成了4個(gè)功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線(xiàn)工藝保證了像素區高敏感性，可
- 關(guān)鍵字： 華虹NEC 晶圓代工 CMOS 圖像傳感器
2009年全球圖像傳感器市場(chǎng)規模預測
- 市場(chǎng)研究機構StrategiesUnlimited指出，全球圖像傳感器市場(chǎng)將在09年縮水11%，來(lái)到64億美元規模，不過(guò)接下來(lái)將逐漸恢復正常成長(cháng)。該機構預期，未來(lái)數年該市場(chǎng)的平均年成長(cháng)率會(huì )維持在個(gè)位數;到09年為止，其十年來(lái)的復合年成長(cháng)率高達22%。 圖像傳感器市場(chǎng)在2009年的衰退主要是受到全球經(jīng)濟景氣循環(huán)影響，而這樣的負面影響恐怕會(huì )持續下去，特別是在該市場(chǎng)因為幾乎所有手機都內建相機而經(jīng)歷爆炸性成長(cháng)之后。未來(lái)幾年，預計圖像傳感器的銷(xiāo)售量仍將呈現成長(cháng)，但短期需求波動(dòng)、供應過(guò)?；虺跃o，以及沉重的價(jià)
- 關(guān)鍵字： CCD 傳感器 CMOS
基于0.13μm CMOS工藝的快速穩定的高增益Telescop
- 近年來(lái)，軟件無(wú)線(xiàn)電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無(wú)線(xiàn)電臺要求對天線(xiàn)接收的模擬信號經(jīng)過(guò)放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過(guò)高，技術(shù)上所限難以實(shí)現，而多采用中頻采樣的方法。而對
- 關(guān)鍵字： Telescopic 0.13 CMOS 工藝
耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代內存芯片技術(shù)FeDRAM
- SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著(zhù)提高內存芯片性能的新技術(shù)。這項技術(shù)使用鐵電體層來(lái)替換傳統內存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元，科學(xué)家們將這種內存稱(chēng)為鐵電體內存(FeDRAM),這種內存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類(lèi)似的結構，不過(guò)其門(mén)極采用鐵電體材料而不是傳統的電介質(zhì)材料制作。 這種技術(shù)能使存儲單元的體積更小，信息的保存時(shí)間比傳統方式多1000倍左右，刷新的時(shí)間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個(gè)存儲單元中存儲多位數據。此外，有關(guān)的制
- 關(guān)鍵字： 內存芯片 CMOS FeDRAM
國產(chǎn)芯片已達國際主流芯片品質(zhì)
- 今年國內拉動(dòng)內需，特別是3G的啟動(dòng)建設和FTTH進(jìn)入實(shí)質(zhì)性的發(fā)展階段，使光模塊市場(chǎng)一片紅火，預計今年我們可實(shí)現60%的業(yè)務(wù)增長(cháng)。 由于對IC行業(yè)來(lái)說(shuō)光通信市場(chǎng)不大，所以光收發(fā)IC芯片的供應商并不是很多，在國內我們是第一家量產(chǎn)高速收發(fā)芯片的IC公司。 國內芯片企業(yè)的優(yōu)勢主要是在成本上，研發(fā)成本、管理成本、銷(xiāo)售成本都比國外企業(yè)要低。對IC來(lái)說(shuō)，基于同樣的工藝，制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢必須發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢，采用相對低成本的工藝，做出同樣的產(chǎn)品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
- 關(guān)鍵字： 3G CMOS IC設計 FTTH
ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動(dòng)
- 意法半導體和法國電子信息技術(shù)實(shí)驗室CEA-LETI宣布，法國經(jīng)濟、工業(yè)和就業(yè)部長(cháng)，以及國家和地區政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動(dòng)。IBM的代表也參加了啟動(dòng)儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議。 Nano2012是由意法半導體領(lǐng)導的國家/私營(yíng)戰略研發(fā)項目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國國家、地區和本地政府的財政支持，旨
- 關(guān)鍵字： ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導半導體業(yè)創(chuàng )新
- 幾十年來(lái)，摩爾定律所闡述的生產(chǎn)力效益定律一直是半導體行業(yè)發(fā)展的驅動(dòng)力。它催生了數字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術(shù)大幅提升了PC、手機等產(chǎn)品的生產(chǎn)力。然而，經(jīng)濟學(xué)正給半導體行業(yè)帶來(lái)革命性轉變。未來(lái)，“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。 產(chǎn)品研發(fā)從性能驅動(dòng)轉為經(jīng)濟學(xué)驅動(dòng) 半導體產(chǎn)業(yè)是個(gè)相對年輕的產(chǎn)業(yè)。自摩爾定律預測芯片上晶體管的數量每18個(gè)月翻一番以來(lái)，半導體器件制造商一直追求生產(chǎn)力的提升。這一定律確實(shí)沒(méi)錯。如今消費應用的SoC可能集成了幾億個(gè)晶體管。然而，半導體產(chǎn)業(yè)正
- 關(guān)鍵字： NXP 摩爾定律 CMOS 晶體管
MEMS代工產(chǎn)業(yè)呈高度分散與高競爭性
- 法國市場(chǎng)研究機構Yole Development針對微機電系統(MEMS)市場(chǎng)發(fā)表最新報告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務(wù)，使得該領(lǐng)域變得高度分散與高競爭性，但又是整體MEMS產(chǎn)業(yè)不可缺少的一塊。 Yole表示，大型的開(kāi)放MEMS代工廠(chǎng)現在都很賺錢(qián)，并開(kāi)始升級到8吋晶圓制程;不過(guò)由于MEMS在消費性應用領(lǐng)域的高成長(cháng)性，以及來(lái)自其它高潛力應用市場(chǎng)的商機，也吸引了許多來(lái)自主流半導體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者投入競爭。 Yole并指出，由于這些來(lái)自半導體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者，具備能結合CMOS技術(shù)
- 關(guān)鍵字： MEMS 晶圓 CMOS
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