EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
globalfoundries(格芯)
globalfoundries(格芯) 文章 進(jìn)入globalfoundries(格芯)技術(shù)社區
格芯推出面向下一代移動(dòng)和5G應用的8SW RF-SOI技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動(dòng)和無(wú)線(xiàn)通信應用的前端模塊(FEM)帶來(lái)顯著(zhù)的性能、集成和面積優(yōu)勢?！ 「裥救碌牡统杀?、低功耗、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產(chǎn)線(xiàn)上制造具有出色開(kāi)關(guān)性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，該技術(shù)可以將功耗降低至70%，實(shí)現更高的電
- 關(guān)鍵字： 格芯 RF-SOI
格芯CEO：FD-SOI是中國需要的技術(shù)
- 5G時(shí)代將對半導體的移動(dòng)性與對物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應性有著(zhù)越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增?！ ?月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現場(chǎng)，發(fā)表主題為「以SOI技術(shù)制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進(jìn)SOI技術(shù)的發(fā)展，介紹公司最新技術(shù)成果的同時(shí)也總結了SOI技術(shù)的現狀，并暢想了產(chǎn)業(yè)的未來(lái)?！ ￡P(guān)于
- 關(guān)鍵字： 格芯 FD-SOI
格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺的毫米波和射頻/模擬解決方案
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無(wú)線(xiàn)和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車(chē)雷達、WiGig、衛星通信以及無(wú)線(xiàn)回傳等新興高容量應用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案?！ ≡搩煞N解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺，該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數字技術(shù)結合，為集成單芯片系統解決方案提供支持。該技術(shù)在低電流密度和高電流密度的應用中都可以實(shí)現最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對性能和功耗都有超高要求的應用，
- 關(guān)鍵字： 格芯 FD-SOI
格芯發(fā)布為IBM系統定制的14納米FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項雙方共同開(kāi)發(fā)的工藝專(zhuān)為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力，從而在大數據和認知計算的時(shí)代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?！ ?4HP是業(yè)內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結構，每個(gè)芯片上有80多億個(gè)晶體管，通過(guò)嵌入式動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng )新功能，達到比前代
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
格芯告臺積電壟斷毫無(wú)道理？
- 近日，格芯(Globalfoundries)要求歐盟競爭委員會(huì )調查臺積電的反壟斷行為，這個(gè)舉動(dòng)有些奇怪。 這是因為歐盟委員會(huì )的禁令只對歐盟地區有效力，而歐盟地區的營(yíng)收僅占臺積電總營(yíng)收的7%。 如果歐盟競爭委員會(huì )的要求太苛刻，臺積電可能會(huì )停止在歐洲的業(yè)務(wù)，而這對臺積電并不重要。 如果歐盟競爭委員會(huì )要求臺積電提供證據，臺積電可能拒絕提供。 如果歐盟競爭委員對臺積電罰款，臺積電也可以拒絕支付罰款。 如果臺積電既拒絕提供證據，又拒絕支付罰款，歐盟委員會(huì )能對臺積電做出的唯一制裁
- 關(guān)鍵字： 格芯 臺積電
臺積電排名第一格芯第二 第二卻連年虧損
- 臺積電在全球的市場(chǎng)占有率排名第一，領(lǐng)先其他對手。根據ICInsights的調查報告，臺積電去年合并營(yíng)收接近300億美元(294.88億美元)，市場(chǎng)占有率高達59%;排名第二的是格芯(原格羅方德GlobalFoundries)，去年合并營(yíng)收為55.45億美元，市場(chǎng)占有率僅11%。緊隨其后的是臺灣聯(lián)電，去年營(yíng)收45.82億美元，市場(chǎng)占有率為9%。 臺積電每年都投入上百億美元的資本支出，旨在努力保持領(lǐng)先地位。而在明年上半年，臺積電將率先量產(chǎn)7納米制程。 格芯已經(jīng)宣布7
- 關(guān)鍵字： 臺積電 格芯
格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機存儲器
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數據中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性?！ ≌缃谠诿绹故镜?，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數據的能力，同時(shí)能使數據在125°C環(huán)境下保留10年以上。
- 關(guān)鍵字： 格芯 FD-SOI
格芯為高性能應用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術(shù)預計將提高當前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿(mǎn)足從人工智能、虛擬現實(shí)到高端智能手機、網(wǎng)絡(luò )基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用?！ ∵@項全新的12LP技術(shù)與當前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過(guò)10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠(chǎng)的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
GlobalFoundries要求歐盟對臺積電展開(kāi)反壟斷調查
- 北京時(shí)間9月21日晚間消息，路透社今日援引知情人士的消息稱(chēng)，美國半導體制造公司GlobalFoundries(格羅方德半導體股份有限公司)已要求歐盟對臺積電展開(kāi)反壟斷調查。 GlobalFoundries由AMD拆分而來(lái)、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導體制造企業(yè)。在芯片代工市場(chǎng)，GlobalFoundries是臺積電的最大競爭對手之一。該市場(chǎng)的其他競爭廠(chǎng)商還包括臺聯(lián)電和中芯國際等。 調研公司IC Insights數據顯示
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 臺積電
格芯與芯原聯(lián)袂實(shí)現適合次世代物聯(lián)網(wǎng)的單芯片解決方案
- 今日，格芯(GLOBALFOUNDRIES，原名格羅方德)與芯原微電子(VeriSilicon)共同宣布，將攜手為下一代低功耗廣域網(wǎng)(LPWA)推出業(yè)界首款單芯片物聯(lián)網(wǎng)解決方案。雙方計劃采用格芯的22FDX? FD-SOI 技術(shù)開(kāi)發(fā)可支持完整蜂巢式調制解調器模塊的單芯片專(zhuān)利，包括集成基帶、電源管理、射頻以及結合窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NB-IoT)與LTE-M 功能的前端模塊。相較于現有產(chǎn)品，該全新方案可望大幅改善功耗、面積及成本?！ ‰S著(zhù)智慧城市、家居與工業(yè)應用中互聯(lián)設備的數量日益
- 關(guān)鍵字： 格芯 芯原
格芯CEO： 人工智能為晶圓制造帶來(lái)新十年
- “這是創(chuàng )新最好的時(shí)代，技術(shù)巨變顛覆生活方式，人工智能的發(fā)展將為晶圓廠(chǎng)帶來(lái)發(fā)展的黃金機遇。”格芯(GlobalFoundries，原名：格羅方德)CEO桑杰·賈(SanjayJha)在接受第一財經(jīng)記者專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示。 根據ICInsights的數據，2016年格芯以11%的市場(chǎng)占有率居于全球第二大晶圓代工廠(chǎng)的位置，全年營(yíng)收55.45億美元。臺積電仍以近300億美元的營(yíng)收占據龍頭老大地位。 伴隨著(zhù)數字時(shí)代的到來(lái)，“信息”成為人類(lèi)社會(huì )發(fā)展
- 關(guān)鍵字： 格芯 晶圓
格芯（GLOBALFOUNDRIES）CEO桑杰·賈亮相MWC2017上海：晶圓廠(chǎng)將迎來(lái)技術(shù)創(chuàng )新的黃金時(shí)代
- 伴隨著(zhù)數字時(shí)代的全面到來(lái)，第一代“數字原住民”正式步入職場(chǎng)，他們正以前所未有的技能、需求和價(jià)值體系改變著(zhù)世界，將“信息”的意義提升至推動(dòng)人類(lèi)社會(huì )發(fā)展的新高度。而作為計算機物質(zhì)基礎的半導體芯片，則無(wú)疑是這場(chǎng)運動(dòng)中的領(lǐng)先者?！ 斑@是一個(gè)最好的創(chuàng )新時(shí)代，人工智能的發(fā)展將為晶圓廠(chǎng)帶來(lái)發(fā)展的黃金時(shí)代”，格芯CEO桑杰·賈(Sanjay Jha)在6月30日的MWC 2017上?！爱a(chǎn)業(yè)創(chuàng )新，勢在人為”的主題演講中如是說(shuō)?！ ?nbsp; 技術(shù)巨變顛覆生活方式，人類(lèi)進(jìn)入技術(shù)創(chuàng )新的
- 關(guān)鍵字： 格芯 晶圓
GlobalFoundries研發(fā)7納米芯片，14納米來(lái)自三星
- GlobalFoundries宣布推出7納米(7LP)FinFET制程技術(shù)，主要應用在高階手機處理器、云端服務(wù)器網(wǎng)路基礎設備等領(lǐng)域，目前設計軟件已經(jīng)就緒，預計7LP技術(shù)的首批產(chǎn)品將于2018年上半問(wèn)世，2018年下半正式進(jìn)行量產(chǎn)。 GlobalFoundries在2016年宣布要展開(kāi)自研7納米FinFET制程之路，且為了加快7LP的量產(chǎn)進(jìn)度，GlobalFoundries也計劃投入極紫外光(EUV)技術(shù)，7LP技術(shù)在量產(chǎn)初期仍是會(huì )采用傳統的光刻方式，未來(lái)會(huì )逐步使用EUV技術(shù)。 Glob
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 7納米
格芯推出面向數據中心、機器學(xué)習和5G網(wǎng)絡(luò )的7納米專(zhuān)用集成電路平臺
- 格芯今日宣布推出其基于7納米FinFET工藝技術(shù)的FX-7TM專(zhuān)用集成電路(ASIC)。FX-7是一個(gè)集成式設計平臺，將先進(jìn)的制造工藝技術(shù)與差異化的知識產(chǎn)權和2.5D/3D封裝技術(shù)相結合，為數據中心、機器學(xué)習、汽車(chē)、有線(xiàn)通信和5G無(wú)線(xiàn)應用提供業(yè)內最完整的解決方案?！ 』贔X-14的持續成功，憑借業(yè)內領(lǐng)先的56G SerDes技術(shù)和專(zhuān)用集成電路專(zhuān)長(cháng)，FX-7提供包括高速SerDes(60G, 112G)在內的全方位定制接口知識產(chǎn)權和差異化存儲解決方案，涵蓋低功耗SRAM、高性能嵌入
- 關(guān)鍵字： 格芯 FX-7
globalfoundries(格芯)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條globalfoundries(格芯)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對globalfoundries(格芯)的理解，并與今后在此搜索globalfoundries(格芯)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對globalfoundries(格芯)的理解，并與今后在此搜索globalfoundries(格芯)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
globalfoundries(格芯)專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473