應需而生！兆易創(chuàng )新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數據傳輸速度、供電電壓、讀寫(xiě)功耗等關(guān)鍵性能指標上均達到國際領(lǐng)先水平，在針對智能可穿戴設備、健康監測、物聯(lián)網(wǎng)設備或其它單電池供電的應用中，能顯著(zhù)降低運行功耗，有效延長(cháng)設備的續航時(shí)間。

隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設備需要擁有更豐富的功能來(lái)滿(mǎn)足消費者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對系統功耗提出了更嚴苛的要求，希望進(jìn)一步提升產(chǎn)品的續航能力。從系統設計層面來(lái)看，一些先進(jìn)工藝器件的工作電壓已低至1.2V，如果所需的Flash可支持1.2V的電壓操作，這對于主控而言，將能夠有效簡(jiǎn)化電源設計并優(yōu)化系統成本。

應此需求，兆易創(chuàng )新推出了GD25UF產(chǎn)品系列，該系列工作電壓可擴展至1.14~1.6V，具有單通道、雙通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量選擇，能夠滿(mǎn)足智能設備所需的代碼存儲要求。在讀寫(xiě)性能方面，GD25UF最高時(shí)鐘頻率STR 120MHz，DTR 60MHz，擁有10萬(wàn)次的擦寫(xiě)壽命，數據有效保存期限可達20年。在安全性方面，該產(chǎn)品具有128bit Unique ID來(lái)實(shí)現加密效果，為應用帶來(lái)高安全保障。

同時(shí)，為進(jìn)一步滿(mǎn)足低功耗的需求，GD25UF產(chǎn)品系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode 兩種工作模式。在Normal Mode下，器件讀取電流在四通道120MHz的頻率下低至6mA；在Low Power Mode下，器件讀取電流在四通道1MHz頻率下低至0.5mA，擦寫(xiě)電流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。相比于1.8V供電的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同電流情況下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同頻率下的功耗降低了70%，有效延長(cháng)了設備的續航時(shí)間。另外GD25UF系列產(chǎn)品的供電電壓支持1.14~1.6V的寬電壓范圍，可顯著(zhù)延長(cháng)單電池供電應用的使用壽命。并且該系列產(chǎn)品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封裝，全溫度工作范圍覆蓋-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃。

兆易創(chuàng )新存儲器事業(yè)部執行總監陳暉先生表示：“GD25UF系列產(chǎn)品進(jìn)一步豐富了兆易創(chuàng )新的Flash Memory產(chǎn)品線(xiàn)。其具備的1.2V低電壓和超低功耗模式可以幫助小容量電池供電設備提高續航能力，即使在不可避免的電池衰減過(guò)程中，也可以保持出色且穩定的運行狀態(tài)，增加應用的可靠性。如今，電池續航能力已經(jīng)成為消費者選購產(chǎn)品的重要指標，GD25UF系列產(chǎn)品的問(wèn)世會(huì )是下一代可穿戴設備的理想選擇。作為國內外鮮少擁有1.2V SPI NOR Flash產(chǎn)品線(xiàn)的企業(yè)，兆易創(chuàng )新走在了需求前端，為下一代應用的設計開(kāi)發(fā)緩解了壓力，從一定程度上縮短了客戶(hù)的研發(fā)成本，讓他們能夠在日益激烈的市場(chǎng)競爭中保持領(lǐng)先地位?！?/span>

目前，兆易創(chuàng )新GD25UF系列可提供64Mb容量樣品，更多容量產(chǎn)品將陸續推出，客戶(hù)可聯(lián)絡(luò )銷(xiāo)售代表或授權代理商了解相關(guān)的信息。