兆易創(chuàng )新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問(wèn)世
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業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內，其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現了進(jìn)一步提升，為消費電子、可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監測設備等對電池壽命和緊湊型設計有著(zhù)嚴苛需求的應用提供了理想選擇。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202207/436459.htm
如今，隨著(zhù)5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池供電的應用場(chǎng)景中，兆易創(chuàng )新對“小而精”的追求從未停止，這對應用其中的存儲產(chǎn)品提出了更高的要求。一方面，需要提供足夠的代碼存儲空間來(lái)滿(mǎn)足設備正常運行需求；另一方面，也需要在尺寸和功耗方面追求精益求精，以適應電子設備日益小型化的趨勢。
針對這一市場(chǎng)需求，兆易創(chuàng )新推出的GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列采用僅為1.2mm×1.2mm的超小型USON6封裝，相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封裝產(chǎn)品，縮小了高達36%的占板面積，為空間受限的產(chǎn)品提供了更大的設計自由度。在低功耗設計方面，兆易創(chuàng )新將GD25WDxxK6系列的功耗控制在極低水平內，在待機狀態(tài)下，電流僅為0.1μA，可顯著(zhù)延長(cháng)電子設備的電池壽命。
此外，為滿(mǎn)足便攜式電子產(chǎn)品的存儲需求，GD25WDxxK6提供單通道、雙通道SPI模式，具有1.65V~3.6V寬電壓工作范圍，支持512Kb~4Mb不同容量的選擇，最高時(shí)鐘頻率可達104MHz，擁有10萬(wàn)次的擦寫(xiě)壽命，數據有效保存期限可達20年，且全系列支持-40℃~85℃，-40℃~105℃，-40℃~125℃溫度范圍。
兆易創(chuàng )新存儲事業(yè)部執行總監陳暉先生表示：“隨著(zhù)萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代下的數據狂潮席卷而來(lái)，電子設備對于存儲產(chǎn)品不斷發(fā)出挑戰，而兆易創(chuàng )新要做的就是從挑戰中尋求突破。此次推出的1.2mm×1.2mm的超小型USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash，在方寸之間實(shí)現了優(yōu)異性能。從小尺寸到低功耗，兆易創(chuàng )新從用戶(hù)需求出發(fā)，不斷推陳出新，再次將我們‘創(chuàng )新’的DNA發(fā)揮得淋漓極致?！?/p>
目前兆易創(chuàng )新GD25WDxxK6系列中512Kb~1Mb容量產(chǎn)品已全面量產(chǎn)；2Mb~4Mb容量產(chǎn)品可提供樣片，預計在8月中旬實(shí)現量產(chǎn)，客戶(hù)可聯(lián)絡(luò )銷(xiāo)售代表或授權代理商了解相關(guān)的信息。
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