內存霸主三星擴產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢止歇

　　全球內存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴產(chǎn)計劃，業(yè)界認為，由于建廠(chǎng)時(shí)間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過(guò)受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。

　　三星決定斥資87億美元，擴充南韓華城廠(chǎng)DRAM產(chǎn)能。 三星表示，新產(chǎn)線(xiàn)約需兩年時(shí)間建造，將視研發(fā)進(jìn)度和制程轉換良率，決定生產(chǎn)18nm或更先進(jìn)制程的DRAM。

　　對于今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng )見(jiàn)董事長(cháng)束崇萬(wàn)，及威剛董事長(cháng)長(cháng)陳立白都表示，今年DRAM因主要供應大廠(chǎng)將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲存型閃存(NAND Flash)，且只做DRAM 制程升級，未見(jiàn)擴大資本支出增產(chǎn)，加上DRAM市場(chǎng)除個(gè)人計算機外，在各類(lèi)智能裝置，如車(chē)用、電視、家庭自動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò )、服務(wù)器以及移動(dòng)裝置等普遍使用， 讓供給缺口浮現。

　　半導體市場(chǎng)變化快速，新廠(chǎng)生產(chǎn)商品常到落成時(shí)才拍板定案。 以三星華城廠(chǎng) 17 號線(xiàn)為例，此一產(chǎn)線(xiàn)原本預定制造系統半導體，但是后來(lái)改用于生產(chǎn)內存。 三星也在南韓平澤廠(chǎng)(Pyeongtaek)竣工后，才決定平澤廠(chǎng) 6 月啟用時(shí)將生產(chǎn) NAND Flash。

　　三星電子代表說(shuō)，三星 DRAM 的毛利率超過(guò) 45%，盡管三星產(chǎn)品售價(jià)高，但是由于質(zhì)量出眾，優(yōu)于競爭對手，在市場(chǎng)供不應求。 三星是內存霸主，去年在全球 DRAM 市占高達 48%。

　　集邦統計，首季除利基型DRAM漲幅在10~15%外，其余包括標準型DRAM、服務(wù)器DRAM、移動(dòng)DRAM等，漲幅都在20~35%不等，并在淡季寫(xiě)下單季歷史最大漲幅。 預估第2季DRAM合約價(jià)仍會(huì )續漲，漲幅雖收斂，但也會(huì )逾一成。 三星決定增產(chǎn)DRAM，內存模塊業(yè)界表示，這一波DRAM上漲是由三星領(lǐng)軍，使價(jià)格回到合理的利潤，預料不至于殺價(jià)搶市場(chǎng)份額。