designware ddr 文章進(jìn)入designware ddr技術(shù)社區

泰克推出第三代經(jīng)過(guò)驗證的DDR分析軟件產(chǎn)品

　　全球領(lǐng)先的測試、測量和監測儀器提供商--泰克公司日前宣布，為DPO/DSA70000B系列和DPO7000系列示波器推出第三代經(jīng)過(guò)驗證的DDR分析軟件產(chǎn)品(DDRA選件)。泰克DDR測試解決方案支持DDR、DDR2、DDR3、LP-DDR和GDDR3的全部速度，同時(shí)覆蓋了物理層和數字域。泰克公司還為DDR3存儲器設計推出一套新的擁有Nexus Technology技術(shù)的球柵陣列(BGA)元件內插器(Interposers)，改善了連接能力。泰克系列邏輯分析儀、示波器和探測系統共同構成了DDR設計和測試
關(guān)鍵字： tektronix 示波器 DPO/DSA70000B DPO7000 DDR

一種基于DDR高速圖像緩存的實(shí)現

隨著(zhù)半導體傳感器技術(shù)的發(fā)展，在實(shí)際應用中越來(lái)越多地用到了高幀頻、大面陣的CCD相機以獲取高質(zhì)量、高分辨率的圖像數據。以分辨率為1K×1K、幀頻為200f/s、8bit灰度級的相機為例，其圖像數據流速率就將高達200MB/s，
關(guān)鍵字：實(shí)現圖像高速 DDR 基于 DDR存儲控制器高速緩存 FIFO

Spartan-3A 的 DDR 2 接口數據采集

1引言DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯(lián)合委員會(huì ))制定的新生代內存技術(shù)標準，它與上一...
關(guān)鍵字： DDR FPGA 接口數據采集

嵌入式DDR息線(xiàn)的布線(xiàn)分析與設計

嵌入式DDR息線(xiàn)的布線(xiàn)分析與設計,
關(guān)鍵字： DDR 時(shí)鐘終端匹配阻抗設計

NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節點(diǎn)，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過(guò)2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強勁增長(cháng)，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內。由于數字內容需要的增長(cháng)，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿(mǎn)足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會(huì )議的論文和2007
關(guān)鍵字： NAND 柵極感應 DDR MLC MLC

TI推出新一代 3A DDR 端接穩壓器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿(mǎn)足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極／源極雙數據速率 (DDR) 終端穩壓器 TPS51200。該簡(jiǎn)便易用的新型穩壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類(lèi)競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設計人員可利用該器件實(shí)現更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案，以滿(mǎn)足數字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數據通信、筆記本以及臺式機電腦等現代大容量存儲器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費類(lèi)電子產(chǎn)品的需求。
關(guān)鍵字： TI 穩壓器存儲器 DDR

Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC

　　Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該PMIC集成了單節Li+電池充電器、控制系統電源和電池電源切換的電源轉換系統、以及用于“調節”DDR存儲器電源的2MHz同步降壓調節器。這種空前的高度集成特性省去了現有方案中15個(gè)以上的分立元件，從而節省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源，非常適合用于RAID服務(wù)器/系統存儲卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
關(guān)鍵字： Maxim DDR 存儲器電源管理 IC

基于FPGA的DDR SDRAM控制器在高速數據采集系統中的應用

實(shí)現數據的高速大容量存儲是數據采集系統中的一項關(guān)鍵技術(shù)。本設計采用Altera公司Cyclone系列的FPGA完成了對DDR SDRAM的控制，以狀態(tài)機來(lái)描述對DDR SDRAM的各種時(shí)序操作，設計了DDR SDRAM的數據與命令接口。用控制核來(lái)簡(jiǎn)化對DDR SDRAM的操作，并采用自頂至下模塊化的設計方法，將控制核嵌入到整個(gè)數據采集系統的控制模塊中，完成了數據的高速采集、存儲及上傳。使用開(kāi)發(fā)軟件Quartus II中內嵌的邏輯分析儀SignalTap II對控制器的工作流程進(jìn)行了驗證和調試。最終采集到的
關(guān)鍵字： FPGA DDR SDRAM 數據采集

針對DDR供電飛思卡爾推出全線(xiàn)電源芯片產(chǎn)品

　　模擬市場(chǎng)正在茁壯成長(cháng)，按照12%的年復增長(cháng)率估算，將超過(guò)許多其他的數字IC市場(chǎng)。在這樣的發(fā)展速度下，據預測，模擬市場(chǎng)將在2012年達到680億美元，屆時(shí)將實(shí)現近1390億的出貨量。亞太地區是模擬市場(chǎng)的最大消費區域，但設計和生產(chǎn)遍布在世界各地。　　模擬市場(chǎng)是一個(gè)高度競爭的市場(chǎng)，一些供應商只關(guān)注特定的產(chǎn)品，而另一些則進(jìn)行全面組合，以覆蓋各個(gè)領(lǐng)域的特色模擬產(chǎn)品，事實(shí)上，新興業(yè)務(wù)已經(jīng)加速發(fā)展。模擬領(lǐng)域有大量的新業(yè)務(wù)出現，尤其是在研發(fā)新技術(shù)方面，但是進(jìn)入這一領(lǐng)域的門(mén)檻依然很高，由于工程人才，渠道力量和全球實(shí)
關(guān)鍵字： DDR 飛思卡爾 200802

集邦：9月下旬DRAM合約價(jià)格預計下滑10%

DRAM現貨市場(chǎng)需求不佳，整體報價(jià)呈現下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達7.8%，價(jià)格下跌至1.54美元。其余顆粒報價(jià)皆呈現微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來(lái)由于市場(chǎng)需求不振以及買(mǎi)賣(mài)雙方抱持觀(guān)望的態(tài)度，使得價(jià)格持續緩跌。然而當DDR2eTT價(jià)格跌破5月低點(diǎn)后，部分分銷(xiāo)商及模塊廠(chǎng)開(kāi)始備貨，使得現貨價(jià)格出現反彈，間接帶動(dòng)了些許買(mǎi)氣。而合約市場(chǎng)方面，由于現貨價(jià)格快速下跌，加上PCOEM廠(chǎng)商已經(jīng)備足旺季所需的庫存水位，因此部份OEM廠(chǎng)商于9月上旬所談妥的合約數量有砍單的動(dòng)作。
關(guān)鍵字：嵌入式系統單片機 DRAM DDR DDR2 MCU和嵌入式微處理器

DRAM價(jià)格跌至新低分析師稱(chēng)還可能進(jìn)一步下滑

據國外媒體報道，所有想為自己電腦增加更多內存的人都贏(yíng)得了來(lái)自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內存價(jià)格猛跌，行業(yè)分析師預測，DRAM價(jià)格還將進(jìn)一步下降。使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價(jià)格已比兩周前下跌了12.5%，周二時(shí)跌至1.75美元，創(chuàng )下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運營(yíng)一家對內存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。這條重大新聞將對用戶(hù)產(chǎn)生三個(gè)重大影響：第一，DRAM價(jià)格下跌將增加惠普和戴爾這類(lèi)電腦制
關(guān)鍵字：嵌入式系統單片機 DRAM DDR DDR2 存儲器

DDR內存接口的設計與實(shí)現

針對當今電子系統對高速大容量?jì)却娴男枰?，本文闡述了使用DDR控制器IP核來(lái)設計實(shí)現DDR內存接口的方法。
關(guān)鍵字： DDR 內存接口的設計

丹納赫傳動(dòng)宣布專(zhuān)利Cartridge DDR現有五種不同框架尺寸供應

2007年6月8日，全球領(lǐng)先的運動(dòng)控制解決方案提供商——丹納赫傳動(dòng)（Danaher Motion）公司宣布，其創(chuàng )新的Cartridge DDR™系列直接驅動(dòng)旋轉伺服電機（CDDR）新添三種小框架的新產(chǎn)品，因此，現共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五種框架尺寸的CDDR電機供應，每種尺寸各有四個(gè)鐵心長(cháng)度。CDDR是直接驅動(dòng)技術(shù)中非常特別的一種，其特點(diǎn)在于采用預制零部件、完整的工廠(chǎng)對準型高分辨率反饋裝置和獨特的無(wú)軸承設計，確?？梢栽?0分鐘內實(shí)現即裝即用，且沒(méi)有維護成本。
關(guān)鍵字： Cartridge DDR 丹納赫消費電子消費電子

低成本DDR內存電源設計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
關(guān)鍵字： NCP1570 NCP1571 ONSEMICONDUCTOR DDR

采用FPGA IP實(shí)現DDR的讀寫(xiě)控制的設計與驗證

摘要：本文采用LatticeXP系列FPGA結合IP解決DDR RAM的讀寫(xiě)控制。并且在硬件上面進(jìn)行了實(shí)際測試。關(guān)鍵詞：嵌入式系統；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP 前言隨著(zhù)高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統應用的領(lǐng)域越來(lái)越廣泛，數字信號處理的規模也越來(lái)越大，系統中RAM規模不斷增加，比如視頻監控、圖像數據采集等領(lǐng)域，圖像處理的實(shí)時(shí)性對RAM帶寬的要求不斷增加，傳統的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無(wú)法滿(mǎn)足應用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時(shí)鐘CL
關(guān)鍵字： 0702_A DDR FPGA IP LattcieXP RAM 單片機嵌入式系統雜志_設計天地存儲器