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瓴盛科技選用新思科技DesignWare IP核加速新一代SoC開(kāi)發(fā)

  • 摘要瓴盛科技采用新思科技廣泛的DesignWare IP核組合來(lái)降低風(fēng)險并加快新一代移動(dòng)芯片組上市用于USB、MIPI和DDR的高品質(zhì)DesignWare IP已幫助億萬(wàn)片上系統實(shí)現量產(chǎn)雙方的長(cháng)期合作助力瓴盛科技的SoC設計一次性流片成功和量產(chǎn)新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達克股票代碼:SNPS)今天宣布瓴盛科技(JLQ Technology Co., Ltd.)已經(jīng)選用新思科技DesignWare? Interface IP核來(lái)加速其面向一系列應用的新一代高性能、低功耗SoC芯片的開(kāi)發(fā)。瓴
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宏旺半導體ICMAX置辦全自動(dòng)化大型DDR測試機臺 填補國內市場(chǎng)空白

  • 在國內疫情尚還未完全好轉的情況下,全球疫情開(kāi)始逐漸惡化。而日韓疫情的兇猛,更是給全球半導體領(lǐng)域投下了“重磅炸彈”。
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DDR硬件設計要點(diǎn)都在這里

  •   DDR硬件設計要點(diǎn)  1. 電源 DDR的電源可以分為三類(lèi):  a主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用?! ∮械男酒€有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。電源設計時(shí),需要考慮電壓,電流是否滿(mǎn)足要求,電源的上電順序和電源的上電時(shí)間,單調性等。電源電壓的要求一般在±5%以?xún)?。電流需要根據使用的不同芯片,及芯片個(gè)數等進(jìn)行計算。由于DDR的電流一般都比較大,所以P
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DDR內存的發(fā)展簡(jiǎn)史:和三星有關(guān)

  •   DDR的種類(lèi):  1、DDR SDRAM:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,雙倍數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器;  2、DDR2 SDRAM:Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory,第二代雙倍數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器;  3、DDR3 SDRAM:Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Ra
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國產(chǎn)內存即將到來(lái) 可業(yè)內卻判DDR死刑

  • 似乎中國已經(jīng)要趕上國外主流水準,但是業(yè)內卻傳出DDR內存已經(jīng)過(guò)時(shí),新的內存即將取代,這無(wú)疑給國內的DDR內存制造廠(chǎng)商當頭一棒。
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控制DDR線(xiàn)長(cháng)匹配來(lái)保證時(shí)序,在PCB設計時(shí)應該這么做!

  •   DDR布線(xiàn)在PCB設計中占有舉足輕重的地位,設計成功的關(guān)鍵就是要保證系統有充足的時(shí)序裕量。要保證系統的時(shí)序,線(xiàn)長(cháng)匹配又是一個(gè)重要的環(huán)節。我們來(lái)回顧一下,DDR布線(xiàn),線(xiàn)長(cháng)匹配的基本原則是:地址,控制/命令信號與時(shí)鐘做等長(cháng)。數據信號與DQS做等長(cháng)。為啥要做等長(cháng)?大家會(huì )說(shuō)是要讓同組信號同時(shí)到達接收端,好讓接收芯片能夠同時(shí)處理這些信號。那么,時(shí)鐘信號和地址同時(shí)到達接收端,波形的對應關(guān)系是什么樣的呢?我們通過(guò)仿真來(lái)看一下具體波形?! 〗⑷缦峦ǖ?,分別模擬DDR3的地址信號與時(shí)鐘信號?! ?nbsp; 
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DDR布線(xiàn)舉足輕重,一文看懂背后的大學(xué)問(wèn)

  •   DDR布線(xiàn)在PCB設計中占有舉足輕重的地位,設計成功的關(guān)鍵就是要保證系統有充足的時(shí)序裕量。要保證系統的時(shí)序,線(xiàn)長(cháng)匹配又是一個(gè)重要的環(huán)節。我們來(lái)回顧一下,DDR布線(xiàn),線(xiàn)長(cháng)匹配的基本原則是:地址,控制/命令信號與時(shí)鐘做等長(cháng)。數據信號與DQS做等長(cháng)。為啥要做等長(cháng)?大家會(huì )說(shuō)是要讓同組信號同時(shí)到達接收端,好讓接收芯片能夠同時(shí)處理這些信號。那么,時(shí)鐘信號和地址同時(shí)到達接收端,波形的對應關(guān)系是什么樣的呢?我們通過(guò)仿真來(lái)看一下具體波形?! 〗⑷缦峦ǖ?,分別模擬DDR3的地址信號與時(shí)鐘信號?! ?nbsp; 
  • 關(guān)鍵字: DDR  布線(xiàn)  

DDR布線(xiàn)舉足輕重,一文看懂背后的大學(xué)問(wèn)

  • DDR布線(xiàn)在PCB設計中占有舉足輕重的地位,設計成功的關(guān)鍵就是要保證系統有充足的時(shí)序裕量。要保證系統的時(shí)序,線(xiàn)長(cháng)匹配又是一個(gè)重要的環(huán)節。我們來(lái)回顧一下,DDR布線(xiàn),線(xiàn)長(cháng)匹配的基本原則是:地址,控制/命令信號與時(shí)鐘做等長(cháng)。
  • 關(guān)鍵字: DDR  PCB  DQS  

基于MIMO技術(shù)的視頻緩存器設計方案

  • 隨著(zhù)高速處理器的不斷發(fā)展,嵌入式系統應用的領(lǐng)域越來(lái)越廣泛,高速大容量緩存器被廣泛應用于音視頻系統中,然而專(zhuān)用的高速大容量緩存芯片價(jià)格過(guò)于昂貴,傳統SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無(wú)法滿(mǎn)足應用.
  • 關(guān)鍵字: MIMO技術(shù)  視頻緩存器  DDR  

基于FPGA的LCoS顯示驅動(dòng)系統的設計與實(shí)現

  • 研究了硅基液晶(LCoS)場(chǎng)序彩色顯示驅動(dòng)系統的設計與實(shí)現.該系統以FPGA作為主控芯片,用兩片高速DDR2 SDRAM作為幀圖像存儲器.通過(guò)對圖像數據以幀為單位進(jìn)行處理,系統將并行輸入的紅、綠、藍數據轉換成申行輸出的紅、綠、藍單色子幀.將該驅動(dòng)系統與投影光機配合,實(shí)現了分辨率為800×600的LCoS場(chǎng)序彩色顯示.
  • 關(guān)鍵字: 硅基液晶  DDR  FPGA  

基于FPGA的DDR內存條的控制研究

  • 隨著(zhù)數據存儲量的日益加大以及存儲速度的加快,大容量的高速存儲變得越來(lái)越重要。內存條既能滿(mǎn)足大容量的存儲又能滿(mǎn)足讀寫(xiě)速度快的要求,這樣使得對內存條控制的應用越來(lái)越廣泛。首先介紹了內存條的工作原理,內存條電路設計的注意事項,以及如何使用FPGA實(shí)現對DDR內存條的控制,最后給出控制的仿真波形。
  • 關(guān)鍵字: DDR  內存條  FPGA  

如何玩轉DDR?要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

  • 差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設計,但大家對CK#(CKN)的作用認識很少,很多人理解為第二個(gè)觸發(fā)時(shí)鐘,其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準的作用。
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利用新一代虛擬探測功能實(shí)現DDR等信號去嵌測試

  • 一、內存測試中的難點(diǎn)內存廣泛應用于各類(lèi)電子產(chǎn)品中,內存測試也是產(chǎn)品測試中的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。內存測試中最為關(guān)鍵的測試項目為DQ/DQS/CLK之間的時(shí)序關(guān)系。JEDEC規范規定測量這幾個(gè)信號之間的時(shí)序時(shí)測試點(diǎn)需要選擇在靠
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高速存儲器的調試和評估――不要僅僅停留在一致性測試上

  • 引言:DDR4 等存儲技術(shù)的發(fā)展帶動(dòng)存儲器速度與功率效率空前提升,僅僅停留在一致性測試階段,已經(jīng)不能滿(mǎn)足日益深入的調試和評估需求。DDR 存儲器的測試項目涵蓋了電氣特性和時(shí)序關(guān)系,由JEDEC明確定義,JEDEC 規范并
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基于FPGA 的DDR SDRAM控制器在高速數據采集系統中應用

  • 實(shí)現數據的高速大容量存儲是數據采集系統中的一項關(guān)鍵技術(shù)。本設計采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成了對DDR SDRAM 的控制,以狀態(tài)機來(lái)描述對DDR SDRAM 的各種時(shí)序操作,設計了DDR SDRAM 的數據與命令接口。用控
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