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減少DDR記憶體驗負載的探測技術(shù)
- DDR內存已成為系統DRAM的主要技術(shù)，而DDR系統的驗證則是新的數字系統設計最具挑戰性且費時(shí)的工作之一。邏輯分析儀是協(xié)助工程師驗證這些系統的重要工具，但在成本與空間的限制下，邏輯分析儀探測技術(shù)變成了一個(gè)值得深思的問(wèn)題。 理想上，DDR的可測試性應成為最終設計的一部份，以利于在測試臺進(jìn)行系統的驗證，因為在整個(gè)產(chǎn)品生命周期中的工程設計與委外代工都會(huì )增加成本。然而礙于邏輯分析儀探測點(diǎn)的電氣負載與空間需求，這種作法直到今天仍不可行。新的免接頭式邏輯分析儀探測技術(shù)使DDR可測試性得以結合到產(chǎn)品的最初與最終
- 關(guān)鍵字： DDR 測量 測試
可以消除開(kāi)關(guān)噪聲的DDR內存系統電源
- 本設計介紹了一種應用于DDR內存系統的獨特、低成本的電源電路。常規DDR內存系統包括一個(gè)雙反向轉換器和一個(gè)輸出參考電壓。與常規設計不同，本文用線(xiàn)性調節器代替反向轉換器，見(jiàn)圖1，具有消除PWM轉換器開(kāi)關(guān)噪聲的優(yōu)點(diǎn)。DDR內存系統要求穩定的2.5V主電源(VDD)、端電壓(VTT)和參考電壓(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收電流，，這些要求給電源設計者帶來(lái)新挑戰。本電路中，低壓同步反向器產(chǎn)生8A，2.5V的主電源VDD輸出，VTT和VREF通過(guò)運放的線(xiàn)性調節設計實(shí)現。電路專(zhuān)門(mén)為低功耗DDR系統(如p
- 關(guān)鍵字： DDR 存儲器
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