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DDR SDRAM在高速數據采集系統中的應用

  • 在數據處理中為了更好地對被測對象進(jìn)行處理和分析,研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數據采集系統的研究上 由于A(yíng)/D芯片及高性能的FPGA的出現,已經(jīng)可以實(shí)現高速高精度的數據處理,則
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DDR測試技術(shù)與工具

  • DDR是雙倍數據速率的SDRAM內存,如今大多數計算機系統、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù),并且不斷向嵌入式系統應用領(lǐng)域滲透。孰不知,隨著(zhù)iPhone等大牌智能手機的采納,DDR內存儼然成為智能手機轉變的方向之一,例如韓國
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DRAM內存迎來(lái)價(jià)格反彈期

  •   臺灣南亞科技2月16日表示,今年二季度的DRAM內存芯片期貨價(jià)增長(cháng)幅度至少達到5%,并以此開(kāi)啟增長(cháng)勢頭。此前他們預計DRAM芯片價(jià)格最早在一季度開(kāi)始恢復增長(cháng)。   
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DDR信號測量方法及信號完整性驗證面臨的挑戰與建議

  • 1. DDR概述  如今,存儲器件在計算機、汽車(chē)與消費電子產(chǎn)品上可謂無(wú)所不在。其中DDR SDRAM(雙數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器)是最常用的存儲器設計技術(shù)之一,而隨著(zhù)該技術(shù)的發(fā)展,其傳輸速率在日益加快,功耗在日益
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新思科技為創(chuàng )意電子達成首次流片就試產(chǎn)成功的成果

  •   全球半導體設計、驗證及制造軟件暨IP領(lǐng)導廠(chǎng)商新思科技(Synopsys)今日宣布,利用新思科技完整的DesignWare® SATA IP解決方案,包含控制器、實(shí)體層以及驗證IP,使創(chuàng )意電子(Global Unichip Corp.) 之GP5080固態(tài)硬盤(pán)系統單芯片第一次流片就試產(chǎn)成功之成果。   系統單芯片設計代工服務(wù)的龍頭企業(yè)創(chuàng )意電子,肯定了新思科技的DesignWare SATA IP在品質(zhì)、功耗、性能和功能集上的卓越性。對創(chuàng )意電子來(lái)說(shuō)SATA的互通性是一個(gè)關(guān)鍵的需求,而新思科技是唯
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基于FPGA的DDR內存條的控制研究與設計

  • 1內存條的工作原理DDR內存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成,DDRSDRAM是雙數據率同步動(dòng)態(tài)隨機...
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基于FPGA的DDR內存條的控制

  • 摘要:隨著(zhù)數據存儲量的日益加大以及存儲速度的加快,大容量的高速存儲變得越來(lái)越重要。內存條既能滿(mǎn)足大容量的存儲又能滿(mǎn)足讀寫(xiě)速度快的要求,這樣使得對內存條控制的應用越來(lái)越廣泛。首先介紹了內存條的工作原
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Cyclone II如何實(shí)現的DDR SDRAM接口

  • Cyclone II如何實(shí)現的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復雜度的情況下要想增強系統性能,改善數據位寬是一個(gè)有效的手段。通常來(lái)說(shuō),可以把系統頻率擴大一倍或者把數據I/O管腳增加一倍來(lái)實(shí)現雙倍的數據位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的,因為它們會(huì )增加
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新思科技與中芯國際推出DesignWare USB 2.0 nanoPHY

  •   全球半導體設計制造軟件和知識產(chǎn)權領(lǐng)先企業(yè)新思科技有限公司和全球領(lǐng)先的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司今天宣布開(kāi)始提供用于中芯國際65納米(nanometer)低漏電(Low Leakage)工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗證的和獲得USB標志認證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權(IP)。作為一家提供包括控制器、PHY和驗證IP等USB2.0接口完整IP解決方案的領(lǐng)先供應商,新思科技繼續致力于通過(guò)提供高品質(zhì)IP助力設計人員降低集成風(fēng)險,這些IP具備了驗證過(guò)的互操作性,
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用高帶寬混合信號示波器進(jìn)行DDR驗證和調試的技巧

  • DDR存儲器,也稱(chēng)雙倍數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器,常用于高級嵌入式電路系統的設計,包括計算機、交通運輸、家庭娛樂(lè )系統、醫療設備和消費類(lèi)電子產(chǎn)品。 DDR的廣泛采用也推動(dòng)著(zhù)DDR存儲器自身的研發(fā),在DDR 1和DDR
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365天:DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

  •   2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭,年初1顆DRAM均價(jià)還在0.5美元,當時(shí)生產(chǎn)成本還在2美元,可見(jiàn)虧損有多嚴重,各廠(chǎng)只好宣布停工、減產(chǎn),巨額虧損的問(wèn)題延伸至臺、美、日DRAM廠(chǎng)大整合階段,也演變成國與國之間的戰爭。但到了年底,DRAM廠(chǎng)又開(kāi)始生龍活虎起來(lái),中間歷程看似短短 365天,但個(gè)中辛酸DRAM廠(chǎng)冷暖自知,未來(lái)各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景,終于擺脫地獄魔咒,前進(jìn)在通往天堂的路上。   365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺幣1億元、每1季虧損超過(guò)百億元的DRAM
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泰克為DDR測試和驗證解決方案系列增加兩項新功能

  •   泰克公司日前宣布增強和升級其業(yè)界領(lǐng)先的DDR測試和驗證解決方案系列。用于泰克TLA7000系列邏輯分析儀的新型內插器為工程師提供了最新DDR3-1867標準的總線(xiàn)捕捉和分析功能。新型內插器大大降低了TLA7000系列的DDR3測試成本,使存儲器總線(xiàn)捕捉功能能為更多的設計人員所使用。泰克同時(shí)還為DDR標準最新的節能版LP-DDR2推出業(yè)內第一款電氣接口測試和驗證解決方案。這些新功能完善了泰克全面而廣泛的DDR存儲器解決方案,為驗證和改善工程師的設計提供幫助。   DDR3-1867是最新一代雙倍數
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DDR存儲器電氣特性驗證

  • 在本應用文章中,描述了與DDR相關(guān)的許多測試挑戰,并提出了驗證和調試存儲器設計的工具。
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電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇(二)

  • 與其它存儲器技術(shù)相比,DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本??膳c以前的SDRAM技術(shù)相...
  • 關(guān)鍵字: 電源管理IC  DDR  SDRAM  存儲器  便攜設備  

電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇

  • 與其它存儲器技術(shù)相比,DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本??膳c以前的SDRAM技術(shù)相...
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