- DDR2簡(jiǎn)介從1998年的PC100到今天的DDR3,內存技術(shù)同CPU前端總線(xiàn)一道經(jīng)歷著(zhù)速度的提升及帶寬的擴展。雖然DDR3在當今已經(jīng)量產(chǎn)與使用,DDR2在實(shí)際上還擔任著(zhù)內存業(yè)界應用最廣泛最成熟的中流砥柱的角色。DDR2在DDR的基礎上
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DDR2 DDR 測試 力科
- DDR是雙倍數據速率的SDRAM內存,如今大多數計算機系統、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù),并且不斷向嵌入式系統應用領(lǐng)域滲透。孰不知,隨著(zhù)iPhone等大牌智能手機的采納,DDR內存儼然成為智能手機轉變的方向之一,例如韓國
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DDR 測試技術(shù) 分析
- 你是否長(cháng)時(shí)間糾纏于線(xiàn)路板的失效分析?你是否花費大量精力在樣板調試過(guò)程中?你是否懷疑過(guò)自己的原本正確的...
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硬件失效 焊接 樣板調試 DDR
- Cyclone II實(shí)現DDR SDRAM接口的方法,在不增加電路板復雜度的情況下要想增強系統性能,改善數據位寬是一個(gè)有效的手段。通常來(lái)說(shuō),可以把系統頻率擴大一倍或者把數據I/O管腳增加一倍來(lái)實(shí)現雙倍的數據位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的,因為它們會(huì )增加
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接口 方法 SDRAM DDR II 實(shí)現 Cyclone
- GE智能平臺的DDR-1500高性能測試測量采集分析系統就是利用高精度的AD及DA卡和功能強大的在線(xiàn)配制、分析、存貯、回放軟件來(lái)實(shí)現高性能測試測量。在測試測量過(guò)程中及時(shí)進(jìn)行數據采集或波形輸出。在持續在線(xiàn)動(dòng)態(tài)監測情況
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1500 2200 DDR DSC
- 業(yè)界最小負載點(diǎn)直流—直流轉換器領(lǐng)先創(chuàng )新者Enpirion 公司發(fā)布了其 DDR 存儲器終端電源的電源集成電路 (IC) 產(chǎn)品組合的新成員。Enpirion EV1320 是 2A (sink/source) DDR 終端轉換器,最高效率達到 96%——比傳統 LDO(低壓差)穩壓器解決方案省電 1.4 瓦,同時(shí)擁有低成本、小尺寸的優(yōu)點(diǎn)。早在產(chǎn)品的官方版本發(fā)布之前,客戶(hù)就開(kāi)始享受 EV1320 帶來(lái)的好處了——許多應用都配置了該裝置,包括 ul
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Enpirion DDR
- 在以往汽車(chē)音響的系統設計當中, 一塊PCB上的最高時(shí)鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了,而現在多數PCB的時(shí)鐘頻率超過(guò)100MHz,有的甚至達到了GHz數量級。為此,傳統的以網(wǎng)表驅動(dòng)的串行式設計方法已經(jīng)不能滿(mǎn)足今天的設計要
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DDR PCB 汽車(chē)音響 導航系統
- 在高速信號處理系統中,需要緩存高速、大量的數據,存儲器的選擇與應用已成為系統實(shí)現的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動(dòng)態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器,它采用雙倍數據速率結構來(lái)完成高速操作。DDR SDRAM一個(gè)時(shí)鐘周期只能傳輸一個(gè)數據位寬的數據,因此在相同的數據總線(xiàn)寬度和工作頻率下,DDR SDRAM的總線(xiàn)帶寬比DDR SDRAM的總線(xiàn)帶寬提高了一倍。
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存儲器 DDR SDRAM
- CMOS邏輯系統的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后,電源...
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電源設計 DDR 內存電源
- CMOS 邏輯系統的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后,電源電壓也隨之降低,從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度,允許系統時(shí)鐘頻
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電源 內存 設計 DDR
- DDR存儲器的發(fā)展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數據(可能是計算機、服務(wù)器或游戲系統)的應用中都要求 ...
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DDR 電源
- 目前廣泛使用的計算機內存芯片是DDR(雙倍數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經(jīng)可以...
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DDR 測試
- 使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB,在生成控制模塊時(shí)設置不同參數,可以輕而易舉的實(shí)現對不同型號的DDR存儲芯片的測試,數據率可高達800Mb/s以上。由于時(shí)間利用率比使用計算機主板測試DDR芯片高得多,所以可以極大地節約測試時(shí)間。
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Xilinx FPGA DDR 201109
- 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要:介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制,提供更好的讀寫(xiě)速度,以適應高清播放和高清監控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
關(guān)鍵詞:DDR NAN
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嵌入式 接口 設計 高性能 閃存 DDR NAND 基于
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