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機器學(xué)習模型設計過(guò)程和MEMS MLC
- 開(kāi)發(fā)機器學(xué)習項目的五個(gè)步驟 — 掌握要點(diǎn)，應用并不困難！邊緣機器學(xué)習具有許多優(yōu)勢。 然而，由于開(kāi)發(fā)方法與標準程序設計方法截然不同，許多機器學(xué)習開(kāi)發(fā)者可能會(huì )擔心自己難以駕馭。其實(shí)，完全沒(méi)有必要擔心。一旦熟悉了步驟，并掌握了機器學(xué)習項目的要點(diǎn)，就能夠開(kāi)發(fā)具有價(jià)值的機器學(xué)習應用。此外，意法半導體（STMicroelectronics；ST）提供解決方案，以促進(jìn)邊緣機器學(xué)習得到廣泛應用發(fā)揮全部潛力。本文描述機器學(xué)習項目的必要開(kāi)發(fā)步驟，并介紹了ST MEMS傳感器內嵌機器學(xué)習核心（MLC）的優(yōu)勢。 圖一
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意法半導體推出高級iNEMO傳感器，為工業(yè)和消費應用增添機器學(xué)習內核的能效優(yōu)勢
- 近日，意法半導體推出最新的ISM330DHCX?和?LSM6DSRX?iNEMO?6軸慣性測量單元(IMU)，將動(dòng)作檢測機器學(xué)習內核(MLC)技術(shù)的優(yōu)勢擴大到工業(yè)和高端消費應用領(lǐng)域。機器學(xué)習內核(MLC)技術(shù)對動(dòng)作數據執行基本的AI預處理任務(wù)所用功耗，約為典型微控制器(MCU)完成相同任務(wù)所用功耗的千分之一。因此，集成這一IP技術(shù)的IMU傳感器可以減輕主MCU的處理負荷，延長(cháng)情景感知和體感設備的電池續航時(shí)間，降低維護檢修成本，縮減產(chǎn)品體積和重量。繼去年推出首個(gè)MLC增強型商用
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NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開(kāi)發(fā)，但該項架構技術(shù)并不成熟。采SLC架構是在每個(gè)Cell中存儲1個(gè)bit的信息，以達到其穩定、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫(xiě)次數為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
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東芝攜強大產(chǎn)品陣容亮相慕尼黑上海電子展
- 日本半導體制造商株式會(huì )社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，東芝攜其強勢產(chǎn)品和尖端技術(shù)參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日在展會(huì )同期舉辦新聞發(fā)布會(huì )，推出促進(jìn)人類(lèi)智慧生活的四大應用最新解決方案：Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延續“智社會(huì ) 人為本”的企業(yè)理念，致力于打造放心、安全、舒適的社會(huì )。
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東芝：泄密了的閃存技術(shù)走勢
- 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數據表明，東芝2014年會(huì )計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運表現最亮眼，位出貨量季成長(cháng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(cháng)23.7%?！ |芝電子(中國)有限公司董事長(cháng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì )電子展上也透露，2014年?yáng)|芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會(huì )電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來(lái)閃存的發(fā)展趨勢。
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NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤(pán)、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機械硬盤(pán)有了較大幅度的提升，但縱觀(guān)整個(gè)計算架構，閃存仍舊是計算系統中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫(xiě)入壽命上都還不盡如人意，并且隨著(zhù)工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會(huì ))上就公布了其最新的可變電阻式存儲
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三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司
- 據國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“BTG”)今天向美國國際貿易委員會(huì )提出申訴，稱(chēng)三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專(zhuān)利，要求禁止進(jìn)口侵權芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋(píng)果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 BTG申訴材料稱(chēng)，涉案專(zhuān)利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。 申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
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NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性
- 周一消息 研究機構iSuppli指出，NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(pán)(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預期。 iSuppli專(zhuān)研行動(dòng)和新興內存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價(jià)格上漲，對閃存供貨商來(lái)說(shuō)來(lái)說(shuō)是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來(lái)阻礙。因為SSD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價(jià)格上漲，SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷(xiāo)量就會(huì )減緩。 多層單元(MLC)規格16GB的NAND閃存，其平均價(jià)格大幅上漲12
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