DDR內存接口的設計與實(shí)現

摘 要： 針對當今電子系統對高速大容量內存的需要，本文闡述了使用DDR控制器IP核來(lái)設計實(shí)現DDR內存接口的方法。該方法能使設計盡可能簡(jiǎn)單，讓設計者更專(zhuān)注于關(guān)鍵邏輯設計，以便達到更高的性能。該設計經(jīng)過(guò)仿真顯示，完全符合要求。
關(guān)鍵字：DDR內存 IP核 地址產(chǎn)生邏輯 FIFO

1.引言
在當今的電子系統設計中內存被使用的越來(lái)越多，用來(lái)存放數據和程序。并且對內存的要求越來(lái)越高，要求內存讀寫(xiě)速度盡可能的快，容量盡可能的大。面對這種趨勢，設計實(shí)現大容量高速讀寫(xiě)的內存顯得尤為重要。

本文結合筆者承擔的T比特路由器項目,對其中的大容量高速DDR內存接口的設計實(shí)現進(jìn)行了詳細闡述。本文第2節對與DDR內存相關(guān)的知識做了簡(jiǎn)單的介紹，從總體上對DDR內存有個(gè)認識；第3節闡述了DDR內存接口模塊的整體設計；第4節對整個(gè)設計中的關(guān)鍵設計地址產(chǎn)生邏輯進(jìn)行了詳細闡述；最后總結全文。

2.DDR內存相關(guān)知識介紹
DDR SDRAM是雙數據率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器的縮寫(xiě)。它能夠在一個(gè)時(shí)鐘周期內傳送兩次數據，也就是說(shuō)數據速率是時(shí)鐘頻率的兩倍，可以達到很高的數據讀寫(xiě)速度。此外它通過(guò)對地址線(xiàn)的分時(shí)復用，可以做到很大的容量。比如我們設計實(shí)現的DDR內存時(shí)鐘頻率可達到150MHz，數據速率為300MHz，容量達到1M x 72bit。

DDR內存為了更精確的同步使用若干對差分時(shí)鐘；它還有一個(gè)獨特的數據脈沖信號（DQS）。DDR內存就是根據DQS來(lái)分割一個(gè)時(shí)鐘周期內的兩次數據。更需要注意的是：DDR內存沒(méi)有一個(gè)信號是發(fā)送讀或寫(xiě)的明確命令的，而是通過(guò)芯片的可寫(xiě)狀態(tài)來(lái)達到讀/寫(xiě)的目的。具體為：片選信號（CS），行地址有效信號（RAS），列地址有效信號（CAS），寫(xiě)允許信號（WE）。它們都是低電平有效，它們的不同組合構成了對DDR內存的不同命令。比如CS，CAS有效，RAS無(wú)效，WE無(wú)效，表示從現在地址線(xiàn)指示的存儲單元處讀出一個(gè)數據放到數據線(xiàn)上；再如CS，CAS有效，RAS無(wú)效，WE有效，表示將數據線(xiàn)上的數據寫(xiě)入現在地址線(xiàn)指示的存儲單元處。

DDR內存可以支持突發(fā)讀寫(xiě)，并能根據不同的需要選擇不同的突發(fā)長(cháng)度（BL）；位寬也可以選擇，并能利用掩碼技術(shù)靈活的選擇每次讀寫(xiě)的有效數據寬度（以8bit為單位）；此外由于DDR內存讀寫(xiě)時(shí)需要先激活（Active）將要讀寫(xiě)的存儲單元行，然后再讀寫(xiě)，但DDR內存任何時(shí)候只能有一存儲行是打開(kāi)的（處于激活態(tài)），因此在需要讀寫(xiě)不同存儲行時(shí)，要先關(guān)閉前已打開(kāi)的存儲行，才能打開(kāi)現在將要讀寫(xiě)的存儲單元行，這一操作被稱(chēng)為預充電（precharge）。另外由于DDR內存是動(dòng)態(tài)存儲器，需要對存儲體進(jìn)行周期性的刷新（refresh）。

從上面的介紹中可以看出DDR內存的性能雖然好，但接口控制很復雜。為了快速實(shí)現DDR內存接口，縮短設計周期，我們使用已經(jīng)成熟的商業(yè)化內存控制器 IP 核對DDR內存進(jìn)行控制。我們使用的是Altera公司的DDR Controller IP核，版本為2.2.0，使用的開(kāi)發(fā)工具為Quartus II 4.1，使用VHDL語(yǔ)言進(jìn)行描述。

3.獨立內存接口模塊整體設計
為了將內存接口模塊設計成相對獨立的模塊，也為了調整不同模塊之間的時(shí)鐘相位差，使數據穩定輸入輸出，我們給DDR內存接口模塊前端增加了一個(gè)入口FIFO，出口增加了一個(gè)出口FIFO。我們的功能需求是根據出口FIFO的狀態(tài)確定是否將數據送往DDR內存條中進(jìn)行緩存，并且設計中必須充分考慮DDR內存條存儲器帶寬的利用效率，設計成批量讀寫(xiě)的模式，減少讀寫(xiě)切換工作的開(kāi)銷(xiāo)。該內存模塊具體完成以下功能：
1)使用DDR控制器IP核完成對DDR內存的初始化配置，產(chǎn)生讀寫(xiě)命令和其他各種控制信號；
2)根據出口FIFO狀態(tài)產(chǎn)生對DDR內存接口的讀寫(xiě)請求；
3)并且整個(gè)系統對數據的緩存處理應該公平，不能有系統差別，也就是說(shuō)要保證在任何情況下讀出的數據都是有效的數據，寫(xiě)入的數據不覆蓋DDR中的原有效數據；DDR內存接口模塊主要功能由DDR控制器IP核完成，對DDR內存進(jìn)行初始化配置，產(chǎn)生讀寫(xiě)命令和其他各種控制信號。DDR控制器有兩個(gè)接口：DDR－interface和local－interface。DDR－interface直接與DDR內存條相連，不需要干預。local－interface就是根據不同需要輸入不同信號，可以增加自己的邏輯。我們需要設計的邏輯就是產(chǎn)生讀寫(xiě)請求信號和對應的地址信息送給DDR控制器，DDR控制器把這些請求轉換為對DDR內存的數據讀寫(xiě)。因此DDR內存接口模塊的重點(diǎn)是對地址產(chǎn)生邏輯的設計。我們的內存模塊設計框圖詳見(jiàn)圖1。

圖1 DDR內存接口模塊設計框圖

4.內存讀寫(xiě)地址產(chǎn)生邏輯的FPGA設計實(shí)現
根據本模塊的功能需求，在出口FIFO的狀態(tài)為忙時(shí)，要將數據送往DDR內存條緩存，當出口FIFO的狀態(tài)為非忙時(shí)，要將數據從DDR內存條讀出送到出口FIFO。并且設計必須充分考慮DDR內存條存儲器帶寬的利用效率，設計成批量讀寫(xiě)的模式，減少讀寫(xiě)切換工作的開(kāi)銷(xiāo)。出口FIFO的狀態(tài)能由門(mén)限信號th1和th2反映出來(lái)，從而根據th1和th2反饋控制地址產(chǎn)生邏輯。

此外還要注意數據的次序，要保證對數據的公平處理，不能對數據造成系統差別，因此整個(gè)DDR內存邏輯上是一個(gè)循環(huán)隊列。還要保證：DDR內存滿(mǎn)時(shí)，不應再寫(xiě)DDR內存；DDR內存空時(shí)，不應再讀DDR內存。DDR內存的空滿(mǎn)對地址產(chǎn)生邏輯也有重要影響。

從上面分析中看出：對地址產(chǎn)生邏輯有影響的信號是出口FIFO的狀態(tài)指示信號th1和th2，DDR內存的空滿(mǎn)信號；輸出信號為對DDR內存的讀請求rd_req和寫(xiě)請求wr_req，地址addr。規定：th1＝1表示出口FIFO幾乎空，出口FIFO狀態(tài)為非忙，可以對DDR內存發(fā)出讀請求，直到th2＝1為止；th2＝1表示出口FIFO幾乎滿(mǎn)，出口FIFO狀態(tài)為忙，可以對DDR內存發(fā)出寫(xiě)請求，直到th1＝1為止。

DDR內存的空滿(mǎn)由讀寫(xiě)地址的比較得出，并且要提前幾個(gè)時(shí)鐘周期置出。非空標志由這樣的地址比較得出：rdaddr/= wraddr-2 and rdaddr/= wraddr-1 and rdaddr/=wraddra；非滿(mǎn)標志由這樣的地址比較得出：wraddr+2/=rdaddr and wraddr+3/=rdaddr and rdaddr/= wraddr+1。
讀請求rd_req產(chǎn)生條件是： ①DDR內存非空，DDR內存滿(mǎn)且th2＝0；
②DDR內存非空，DDR內存非滿(mǎn)且th1＝1至th2＝1。
寫(xiě)請求wr_req產(chǎn)生條件是：①DDR內存非滿(mǎn)，DDR內存空；
②DDR內存非滿(mǎn)，DDR內存非空且th2＝1至th1＝1。
DDR內存模塊的地址產(chǎn)生邏輯使用VHDL語(yǔ)言在Quartus II 4.1上實(shí)現，最后編程例化到Altera公司的Stratix GX系列FPGA中物理實(shí)現。具體仿真波形詳見(jiàn)圖2。

圖 2 ＤＤＲ內存模塊地址產(chǎn)生程序的信號仿真波形
仿真說(shuō)明：輸入時(shí)鐘為150M，復位信號高有效，ready為DDR控制器準備好信號，th1＝1表示出口FIFO幾乎空，在DDR內存非空時(shí)，應該讀DDR內存；th2＝1表示出口FIFO幾乎滿(mǎn)，在DDR內存非滿(mǎn)時(shí)，應該寫(xiě)DDR內存；輸出數據為讀請求信號rdreq，寫(xiě)請求信號wrreq，輸出地址信號ddraddr（為仿真方便，仿真時(shí)的地址位寬設定為5bit）。

通過(guò)仿真從Quartus II 4.1的報告中可以看到如此設計的時(shí)鐘可以最高達到162.92MHz，符合設計要求的150MHz。其它功能要求也能滿(mǎn)足。

5.結束語(yǔ)
本文根據電子系統對高速大容量?jì)却娴男枰?，使用成熟商業(yè)化DDR控制器IP核來(lái)設計獨立的DDR內存接口模塊，不僅能從控制的細節中解脫出來(lái)，專(zhuān)注于系統的關(guān)鍵功能設計，并且能夠獲得更高的性能，完全滿(mǎn)足我們的功能性能需要。經(jīng)測試該設計性能穩定，整個(gè)工作流程簡(jiǎn)單實(shí)用，符合設計要求。

參考文獻
1 stratix_GX_datasheet. Altera公司，2003
2 Double Data Rate（DDR）SDRAM Handbook.Micron公司，2004
3邊計年,薛宏熙.用VHDL設計電子線(xiàn)路[M].北京：清華大學(xué)出版社，2000