SEMI：3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠(chǎng)設備支出動(dòng)能

　　SEMI(國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì ))公布最新“SEMI全球晶圓廠(chǎng)預測”(SEMIWorldFabForecast)報告，2016年包括新設備、二手或專(zhuān)屬(in-house)設備在內的前段晶圓廠(chǎng)設備支出預期將增加3.7%，達372億美元，而2017年則將再成長(cháng)13%，達421億美元。另方面，2015年晶圓廠(chǎng)設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。

　　SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠(chǎng)預測”報告，2016年包括新設備、二手或專(zhuān)屬(in-house)設備在內的前段晶圓廠(chǎng)設備支出預期將增加3.7%，

　　SEMI全球晶圓廠(chǎng)預測，不僅詳列整個(gè)產(chǎn)業(yè)的晶圓廠(chǎng)相關(guān)支出，范圍還擴及2017年底前之市場(chǎng)展望。2016年上半年晶圓廠(chǎng)設備支出可望緩慢提升，下半年則將開(kāi)始加速，為2017年儲備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復兩位數成長(cháng)率(見(jiàn)表1)。

　　2011年至2017年晶圓廠(chǎng)設備支出

　　對成長(cháng)貢獻最大的類(lèi)別，包括晶圓代工、3DNAND晶圓廠(chǎng)，以及準備在2017年拉升10奈米制程產(chǎn)能的業(yè)者。專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)仍然是最大支出來(lái)源。而2015年支出從107億美元略為下滑至98億美元(較前一年減少8%)，惟2016年可望增加5%，2017年成長(cháng)率更將接近10%。

　　DRAM支出緊追在晶圓代工之后，排行第二。2015年DRAM支出表現強勁，但2016年可望趨緩，下滑23%，到2017年將恢復上揚趨勢，成長(cháng)率上看10%。

　　就支出成長(cháng)率來(lái)看，最大成長(cháng)動(dòng)力來(lái)自3DNAND(包括3DXPoint)。2014年支出為18億美元，到2015年倍增至36億美元，成長(cháng)幅度高達101%。2016年支出將再增加50%，上揚56億美元以上。

　　設備支出增加因受6家業(yè)者帶動(dòng)之下，其支出的排名皆于全球前十名之列。這6家公司均宣布計畫(huà)于2016年增加資本支出，但預料最大支出企業(yè)三星的資本支出將會(huì )低于2015年。

　　帶動(dòng)2017年設備支出成長(cháng)的，還有24處在2015年或今年開(kāi)始動(dòng)工的廠(chǎng)房(不含研發(fā)設施)。這些廠(chǎng)房位于全球各地，由中國囊括其中8座。

　　近來(lái)半導體業(yè)在并購方面屢屢締造新紀綠，2016年可望有更多交易案浮上臺面。2015年半導體設備支出整體成長(cháng)持平，2016年亦將維持緩慢成長(cháng)，證明市場(chǎng)已趨于成熟。新的技術(shù)、制程與新型記憶體元件，將在2017年帶動(dòng)支出成長(cháng)。